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AO4410

器件型号:AO4410
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厂商名称:AOSMD [Alpha & Omega Semiconductors]
厂商官网:http://www.aosmd.com/
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AO4410器件文档内容

AO4410
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description                                     Features

The AO4410 uses advanced trench technology to           VDS (V) = 30V
provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity,
body diode characteristics and ultra-low gate           ID = 18A              (VGS = 10V)
resistance. This device is ideally suited for use as a
low side switch in Notebook CPU core power              RDS(ON) < 5.5m (VGS = 10V)
conversion. Standard product AO4410 is Pb-free
(meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4410L         RDS(ON) < 6.2m (VGS = 4.5V)
is a Green Product ordering option. AO4410 and
AO4410L are electrically identical.

S                  D                                                  D

S                  D                                    G
                                                                      S
S                  D

G                  D

           SOIC-8

Absolute Maximum Ratings TA=25C unless otherwise noted

Parameter                          Symbol                                Maximum           Units
                                                                              30             V
Drain-Source Voltage               VDS                                       12             V
                                                                              18
Gate-Source Voltage                VGS                                        15             A
                                                                              80
Continuous Drain TA=25C                                                       3             W
                                                                             2.1             C
Current A               TA=70C    ID
                                                                         -55 to 150        Units
Pulsed Drain Current B             IDM                                                     C/W
                                                                                           C/W
Power Dissipation       TA=25C    PD                                                      C/W
                        TA=70C

Junction and Storage Temperature Range TJ, TSTG

Thermal Characteristics

Parameter                                               Symbol           Typ         Max
                                                                                      40
Maximum Junction-to-Ambient A         t  10s            RJA              31           75
Maximum Junction-to-Ambient A      Steady-State                          59           24

Maximum Junction-to-Lead C         Steady-State         RJL              16

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
AO4410

Electrical Characteristics (TJ=25C unless otherwise noted)

Symbol   Parameter                         Conditions                        Min  Typ Max Units

STATIC PARAMETERS                          ID=250A, VGS=0V                  30              V
BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage

IDSS     Zero Gate Voltage Drain Current   VDS=24V, VGS=0V                        0.005 1
                                                                                                          A
                                                                   TJ=55C
                                                                                                5

IGSS     Gate-Body leakage current         VDS=0V, VGS= 12V                            100 nA
VGS(th)  Gate Threshold Voltage
ID(ON)   On state drain current            VDS=VGS ID=250A                  0.8  1.1 1.5    V

                                           VGS=4.5V, VDS=5V                  80              A

                                           VGS=10V, ID=18A                        4.7 5.5
                                                                                                        m
RDS(ON) Static Drain-Source On-Resistance                          TJ=125C
                                                                                  6.4 7.4

                                           VGS=4.5V, ID=15A                       5.2 6.2 m

gFS      Forward Transconductance          VDS=5V, ID=18A                         102        S

VSD      Diode Forward Voltage             IS=1A,VGS=0V                           0.64 1     V

IS       Maximum Body-Diode Continuous Current                                          4.5  A

DYNAMIC PARAMETERS

Ciss     Input Capacitance                                                        9130 10500 pF

Coss     Output Capacitance                VGS=0V, VDS=15V, f=1MHz                625        pF
                                           VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz
Crss     Reverse Transfer Capacitance                                             387        pF

Rg       Gate resistance                                                          0.4 0.5   

SWITCHING PARAMETERS

Qg(4.5V) Total Gate Charge                                                        72.4 85 nC

Qgs      Gate Source Charge                VGS=10V, VDS=15V, ID=18A               13.4       nC

Qgd      Gate Drain Charge                                                        16.8       nC

tD(on)   Turn-On DelayTime                                                        11    15   ns

tr       Turn-On Rise Time                 VGS=10V, VDS=15V, RL=0.83,             7     11   ns
tD(off)  Turn-Off DelayTime                RGEN=3
                                                                                  99 135 ns

tf       Turn-Off Fall Time                                                       13 19.5 ns

trr      Body Diode Reverse Recovery Time IF=18A, dI/dt=100A/s                   33    40   ns

Qrr      Body Diode Reverse Recovery Charge IF=18A, dI/dt=100A/s                 22.2 30 nC

A: The value of RJA is measured with the device mounted on 1in2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with TA=25C. The
value in any given application depends on the user's specific board design. The current rating is based on the t 10s thermal resistance rating.
B: Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.
C. The R JA is the sum of the thermal impedence from junction to lead RJL and lead to ambient.
D. The static characteristics in Figures 1 to 6 are obtained using 80s pulses, duty cycle 0.5% max.
E. These tests are performed with the device mounted on 1 in2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with TA=25C. The SOA
curve provides a single pulse rating.
Rev 4 : May 2005

THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
AO4410

TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS

             60                                                                                            60

                     10V

             50                                                                                            50                      VDS=5V

                     2.5V

             40                                                                                            40

ID (A)       30                      VGS=2V                                      ID(A)                     30

             20                                                                                            20

             10                                                                                                                       125C           25C

                                                                                                           10

             0                                                                                             0

                  0        1      2          3                     4         5                                  0        0.5       1       1.5        2        2.5

                                     VDS (Volts)                                                                                          VGS(Volts)
                     Fig 1: On-Region Characteristics                                                                    Figure 2: Transfer Characteristics

             6.0                                                                                           1.6

             5.5                     VGS=4.5V                                    Normalized On-Resistance                ID=18A            VGS=4.5V
                                                                                                                                                      VGS=10V
                                                                                                           1.4

RDS(ON) (m)  5.0                                                                                           1.2

                                                                   VGS=10V

             4.5                                                                                           1

             4.0     10       20     30         40                    50     60                            0.8      25 50 75 100 125 150 175
                  0                                                                                             0
                                                                                                                                  Temperature (C)
                                                  ID (A)                                                            Figure 4: On-Resistance vs. Junction
                     Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
                                                                                                                                     Temperature
                                             Gate Voltage

             16                                                                                            1.0E+02

                                                                                                           1.0E+01

             12                                                                                            1.0E+00            125C
                                                           ID=18A                                          1.0E-01

RDS(ON) (m)  8                                                        125C      IS (A)

                                                                                                           1.0E-02

             4                                                        25C                                 1.0E-03                         25C
                                                                                                           1.0E-04
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.

             0                                                                                             1.0E-05

                  0        2      4          6                     8         10                                     0.0       0.2     0.4        0.6     0.8   1.0

                                                VGS (Volts)                                                                                 VSD (Volts)
                     Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage                                                     Figure 6: Body-Diode Characteristics

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
AO4410

TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS

             5                                                                                          100000

                                   VDS=15V                                                                                                             Ciss
                                                                                                         10000
             4                     ID=18A

VGS (Volts)  3                                                                        Capacitance (pF)

             2                                                                                          1000                  Coss

             1                                                                                                       Crss

             0                                                                                               100
                0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
                                                Qg (nC)                                                           0        5        10 15 20 25 30
                          Figure 7: Gate-Charge Characteristics
                                                                                                                                        VDS (Volts)
                                                                                                                     Figure 8: Capacitance Characteristics

         100.0            RDS(ON)                                                                       100
          10.0            limited
            1.0                                                     100s  10s                                                                              TJ(Max)=150C
                                                           10ms 1ms
                                                                                                        80                                                   TA=25C

ID (Amps)                                   0.1s                                      Power (W)         60

                                                       1s                                               40
                                                     10s
                                                    DC                                                  20
                                TJ(Max)=150C
                                TA=25C

             0.1                                                                                        0

                          0.1      1                         10                  100                    0.001 0.01 0.1                  1  10 100 1000

                                      VDS (Volts)                                                                                    Pulse Width (s)
                                                                                                             Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
                                Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
                                            Operating Area (Note E)                                                                 Ambient (Note E)

ZJA Normalized Transient  10                                               In descending order
    Thermal Resistance                 D=Ton/T                             D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
                                       TJ,PK=TA+PDM.ZJA.RJA
                                       RJA=40C/W

                           1

                          0.1                                                                                        PD

FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.                                                                                     Ton
                                                                                                                                     T
                                                  Single Pulse

                          0.01

                          0.00001  0.0001                  0.001           0.01       0.1                         1                 10     100                        1000

                                                                                             Pulse Width (s)
                                                           Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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