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AO3415

器件型号:AO3415
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:ETC
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器件描述

4000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

参数

AO3415端子数量 3
AO3415最小击穿电压 20 V
AO3415加工封装描述 绿色 PACKAGE-3
AO3415状态 CONSULT MFR
AO3415包装形状 矩形的
AO3415包装尺寸 SMALL OUTLINE
AO3415表面贴装 Yes
AO3415端子形式 GULL WING
AO3415端子位置
AO3415包装材料 塑料/环氧树脂
AO3415结构 单一的 WITH BUILT-IN 二极管
AO3415元件数量 1
AO3415晶体管应用 开关
AO3415晶体管元件材料
AO3415通道类型 P沟道
AO3415场效应晶体管技术 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
AO3415操作模式 ENHANCEMENT
AO3415晶体管类型 通用小信号
AO3415最大漏电流 4 A
AO3415反馈电容 110 pF
AO3415最大漏极导通电阻 0.0540 ohm

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AO3415器件文档内容

                                                                                          Rev 3: May 2004

AO3415
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description                                      Features

The AO3415 uses advanced trench technology to            VDS (V) = -20V
provide excellent RDS(ON), low gate charge and           ID = -4 A
operation with gate voltages as low as 1.8V. This        RDS(ON) < 43m (VGS = -4.5V)
device is suitable for use as a load switch or in PWM    RDS(ON) < 54m (VGS = -2.5V)
applications. It is ESD protected. AO3415 is Pb-free     RDS(ON) < 73m (VGS = -1.8V)
(meets ROHS & Sony 259 specifications). AO3415L          ESD Rating: 3000V HBM
is a Green Product ordering option. AO3415 and
AO3415L are electrically identical.

                           TO-236                                                 D
                          (SOT-23)
                          Top View                               G
                                                                                  S
                     G
                                        D

                     S

Absolute Maximum Ratings TA=25C unless otherwise noted

Parameter                                  Symbol                Maximum                  Units
                                                                     -20                    V
Drain-Source Voltage                       VDS                        8                    V
                                                                     -4.0
Gate-Source Voltage                        VGS                       -3.5                   A
                                                                     -30
Continuous Drain TA=25C                                             1.4                    W
                                                                     0.9                    C
Current A               TA=70C            ID
                                                                 -55 to 150               Units
Pulsed Drain Current B                     IDM                                            C/W
                                                                                          C/W
                              TA=25C      PD                                             C/W
Power Dissipation A TA=70C

Junction and Storage Temperature Range TJ, TSTG

Thermal Characteristics

Parameter                                                Symbol  Typ                 Max
                                                                                      90
Maximum Junction-to-Ambient A                 t  10s     RJA     65                  125
Maximum Junction-to-Ambient A              Steady-State          85                   60

Maximum Junction-to-Lead C                 Steady-State  RJL     43

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
AO3415, AO3415L

Electrical Characteristics (TJ=25C unless otherwise noted)

Symbol             Parameter               Conditions                        Min   Typ    Max Units

STATIC PARAMETERS                                                                  -0.55

BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage       ID=-250A, VGS=0V                 -20    35                                                   V
                                                                                    48
IDSS     Zero Gate Voltage Drain Current   VDS=-16V, VGS=0V                         45    -1
                                                                                    56              A
                                                                   TJ=55C          16
                                                                                   -0.78  -5

IGSS     Gate-Body leakage current         VDS=0V, VGS=4.5V                       1450   1                                             A
                                           VDS=0V, VGS=8V                         205
                                                                                   160    10 A
                                                                                    6.5
VGS(th) Gate Threshold Voltage             VDS=VGS ID=-250A                 -0.3         -1
                                                                                   17.2
ID(ON)   On state drain current            VGS=-4.5V, VDS=-5V                -25    1.3                                                  A
                                                                                    4.5
                                           VGS=-4.5V, ID=-4A                        9.5   43
                                                                                    17              m
RDS(ON) Static Drain-Source On-Resistance                          TJ=125C         94
                                                                                    35    60
                                           VGS=-2.5V, ID=-4A                        31    54 m
                                                                                   13.8
                                           VGS=-1.8V, ID=-2A                              73 m

gFS      Forward Transconductance          VDS=-5V, ID=-4A                   8                                                           S

VSD      Diode Forward Voltage             IS=-1A,VGS=0V                                  -1                                             V

IS       Maximum Body-Diode Continuous Current                                            -2.2 A

DYNAMIC PARAMETERS

Ciss     Input Capacitance                                                                                                               pF
                                                                                                                                         pF
Coss     Output Capacitance                VGS=0V, VDS=-10V, f=1MHz                                                                      pF
                                           VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz                                                                        
Crss     Reverse Transfer Capacitance

Rg       Gate resistance

SWITCHING PARAMETERS

Qg       Total Gate Charge                                                                                                               nC
                                                                                                                                         nC
Qgs      Gate Source Charge                VGS=-4.5V, VDS=-10V, ID=-4A                                                                   nC
                                                                                                                                         ns
Qgd      Gate Drain Charge                                                                                                               ns
                                                                                                                                         ns
tD(on)   Turn-On DelayTime                                                                                                               ns

tr       Turn-On Rise Time                 VGS=-4.5V, VDS=-10V, RL=2.5,                                                                  ns
tD(off)  Turn-Off DelayTime                RGEN=3                                                                                        nC

tf       Turn-Off Fall Time

trr      Body Diode Reverse Recovery Time IF=-4A, dI/dt=100A/s

Qrr      Body Diode Reverse Recovery Charge IF=-4A, dI/dt=100A/s

A: The value of RJA is measured with the device mounted on 1in2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with TA =25C.
The value in any a given application depends on the user's specific board design. The current rating is based on the t 10s thermal
resistance rating.
B: Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.
C. The R JA is the sum of the thermal impedence from junction to lead RJL and lead to ambient.
D. The static characteristics in Figures 1 to 6,12,14 are obtained using 80s pulses, duty cycle 0.5% max.
E. These tests are performed with the device mounted on 1 in2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with TA=25C. The
SOA curve provides a single pulse rating.

THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
AO3415, AO3415L

TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS

             25                       -4.5V             -2.0V                                            10
                        -8V     -3.0V                                                                             VDS=-5V
-ID (A)
             20                 -2.5V                                                                     8

             15                                                                                           6

                                                                               -ID(A)

             10                                                                                          4                        125C
                                                                                                                                               25C
                                                   VGS=-1.5V

             5                                                                                           2

             0                                                                                            0
                                                                                                             0
                 0           1     2            3                       4  5                                               0.5    1                  1.5                  2
                                                                                                         1.6
                                            -VDS (Volts)                                                 1.4                     -VGS(Volts)
                             Fig 1: On-Region Characteristics                                            1.2     Figure 2: Transfer Characteristics
                                                                                                         1.0
RDS(ON) (m)  80                                                                Normalized On-Resistance                        ID=-4A, VGS=-2.5V
                                                             VGS=-1.8V                                                     ID=-2A, VGS=-1.8V

             60                                                                                                                                        ID=-4A, VGS=-4.5V

                                                             VGS=-2.5V
             40

                                                VGS=-4.5V

             20                                                                                          0.8
                                                                                                              0
                 0           2     4            6                       8  10                                    25 50 75 100 125 150 175

                                                  -ID (A)                                                                      Temperature (C)
                     Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and                                               Figure 4: On-Resistance vs. Junction

                                             Gate Voltage                                                                         Temperature

             100                                                                                         1E+01
                                                                                                         1E+00
                 90                                                                                                        125C

                 80                             ID=-4A                                                   1E-01
                                                                                                         1E-02
RDS(ON) (m)      70                                                            -IS (A)                                            25C

                 60                                                                                      1E-03

                 50                                     125C

                                                                                                         1E-04

                 40          25C

                                                                                                         1E-05

                 30

                 20                                                                                      1E-06
                                                                                                                 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
                     0          2            4          6                  8
                                                                                                                                            -VSD (Volts)
                                                -VGS (Volts)                                                              Figure 6: Body-Diode Characteristics
                     Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
AO3415, AO3415L

TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS

              5                                                                                                      2400

                                        VDS=-10V                                                                     2000

              4                         ID=-4A                                                                                                        Ciss

-VGS (Volts)                                                                                       Capacitance (pF)  1600

              3

                                                                                                                     1200

              2

                                                                                                                     800

              1                                                                                                                           Coss
                                                                                                                     400

              0                                                                                                              Crss
                                                                                                                         0

                 0                                5              10              15           20                           0              5           10         15                      20

                                                                   -Qg (nC)                                                                           -VDS (Volts)
                                              Figure 7: Gate-Charge Characteristics                                                Figure 8: Capacitance Characteristics

              100.0                          TJ(Max)=150C                                                           40
                                             TA=25C                                                                                                                      TJ(Max)=150C
                                                                             10s                                                                                         TA=25C
                       RDS(ON)                                                         100s
              10.0 limited                                                                                           30

-ID (Amps)                                                                           1ms           Power (W)         20

                 1.0                                                                 10ms                            10
                                        1s

                                                            10s                      0.1s

                                                                 DC                                                  0

                 0.1

                                        0.1                 1                10               100                    0.001 0.01 0.1                   1     10       100 1000

                                                               -VDS (Volts)                                                                        Pulse Width (s)
                                                                                                                           Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
                                              Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
                                                                                                                                                  Ambient (Note E)
                                                     Operating Area (Note E)

              ZJA Normalized Transient  10                                   In descending order
                  Thermal Resistance           D=Ton/T                       D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
                                               TJ,PK=TA+PDM.ZJA.RJA
                                               RJA=90C/W

                                         1

                                        0.1                                                                                           PD

                                                                                                                                          Ton
                                                                                                                                                   T

                                                                     Single Pulse

                                        0.01

                                        0.00001      0.0001          0.001           0.01          0.1                             1            10          100           1000

                                                                                                       Pulse Width (s)
                                                                     Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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