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AO3402

器件型号:AO3402
器件类别:晶体管
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厂商名称:ETC [ETC]
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AO3402器件文档内容

                                                                                         Rev 2: Nov 2004

AO3402, AO3402L ( Green Product )
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description                                    Features

The AO3402 uses advanced trench technology to          VDS (V) = 30V
provide excellent RDS(ON), low gate charge and         ID = 4 A
operation with gate voltages as low as 2.5V. This      RDS(ON) < 55m (VGS = 10V)
device is suitable for use as a load switch or in PWM  RDS(ON) < 70m (VGS = 4.5V)
applications. AO3402L( Green Product ) is offered in   RDS(ON) < 110m (VGS = 2.5V)
a lead-free package.

                 TO-236                                              D
                (SOT-23)
                Top View                               G
                                                                     S
           G
                               D

           S

Absolute Maximum Ratings TA=25C unless otherwise noted

Parameter                              Symbol                           Maximum          Units
                                                                             30            V
Drain-Source Voltage                   VDS                                  12            V
                                                                              4
Gate-Source Voltage                    VGS                                  3.4            A
                                                                             15
Continuous Drain TA=25C                                                    1.4            W
                                                                              1            C
Current A               TA=70C        ID
                                                                        -55 to 150       Units
Pulsed Drain Current B                 IDM                                               C/W
                                                                                         C/W
                              TA=25C  PD                                                C/W
Power Dissipation A TA=70C

Junction and Storage Temperature Range TJ, TSTG

Thermal Characteristics

Parameter                                              Symbol           Typ         Max

Maximum Junction-to-Ambient A             t  10s       RJA              70          90
Maximum Junction-to-Ambient A          Steady-State                     100         125

Maximum Junction-to-Lead C             Steady-State    RJL              63          80

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
AO3402, AO3402L

Electrical Characteristics (TJ=25C unless otherwise noted)

Symbol             Parameter               Conditions                       Min  Typ   Max Units

STATIC PARAMETERS                                                                  1

BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage       ID=250A, VGS=0V                 30    45                                                        V
                                                                                  66
IDSS     Zero Gate Voltage Drain Current   VDS=24V, VGS=0V                        55   1
                                                                                  83             A
                                                                  TJ=55C          8
                                                                                 0.8   5

IGSS     Gate-Body leakage current         VDS=0V, VGS=12V                      390   100 nA
                                                                                 54.5
VGS(th) Gate Threshold Voltage             VDS=VGS ID=250A                 0.6   41   1.4                                                  V

ID(ON)   On state drain current            VGS=4.5V, VDS=5V                 10     3                                                        A

                                           VGS=10V, ID=4A                        4.34  55
                                                                                 0.6             m
RDS(ON) Static Drain-Source On-Resistance                         TJ=125C       1.38
                                                                                 3.3   80
                                                                                   1
                                           VGS=4.5V, ID=3A                       21.7  70 m
                                                                                 2.1
                                           VGS=2.5V, ID=2A                        12   110 m
                                                                                 6.3
gFS      Forward Transconductance          VDS=5V, ID=4A                                                                                    S

VSD      Diode Forward Voltage             IS=1A,VGS=0V                                1                                                    V

IS       Maximum Body-Diode Continuous Current                                         2.5                                                  A

DYNAMIC PARAMETERS

Ciss     Input Capacitance                                                                                                                  pF
                                                                                                                                            pF
Coss     Output Capacitance                VGS=0V, VDS=15V, f=1MHz                                                                          pF
                                           VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz                                                                           
Crss     Reverse Transfer Capacitance

Rg       Gate resistance

SWITCHING PARAMETERS

Qg       Total Gate Charge                                                                                                                  nC
Qgs                                                                                                                                         nC
Qgd      Gate Source Charge                VGS=4.5V, VDS=15V, ID=4A                                                                         nC
tD(on)                                                                                                                                      ns
tr       Gate Drain Charge                                                                                                                  ns
tD(off)                                                                                                                                     ns
tf       Turn-On DelayTime                                                                                                                  ns
trr
Qrr      Turn-On Rise Time                 VGS=10V, VDS=15V, RL=3.75,                                                                       ns
         Turn-Off DelayTime                RGEN=6                                                                                           nC

         Turn-Off Fall Time

         Body Diode Reverse Recovery Time IF=4A, dI/dt=100A/s
         Body Diode Reverse Recovery Charge IF=4A, dI/dt=100A/s

A: The value of RJA is measured with the device mounted on 1in2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with TA =25C. The
value in any a given application depends on the user's specific board design. The current rating is based on the t 10s thermal resistance
rating.
B: Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.
C. The R JA is the sum of the thermal impedence from junction to lead RJL and lead to ambient.
D. The static characteristics in Figures 1 to 6,12,14 are obtained using 80s pulses, duty cycle 0.5% max.
E. These tests are performed with the device mounted on 1 in2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with TA=25C. The
SOA curve provides a single pulse rating.

THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
AO3402, AO3402L

TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS

             15                                                                                         10
                    10V
                                           3V                                                           8        VDS=5V
             12             4.5V

             9                                                                                          6

ID (A)                                                2.5V                    ID(A)

             6                                                                                          4

                                                                                                                        125C

             3                                                                                          2
                                                               VGS=2V
                                                                                                                                               25C
             0                                                                                          0

                  0      1     2                   3                   4  5                                0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
                                                                                                                                        VGS(Volts)
                                         VDS (Volts)
                         Fig 1: On-Region Characteristics                                                              Figure 2: Transfer Characteristics

             150                                                                                        1.8

             125                                                              Normalized On-Resistance  1.6             VGS=4.5V
                                         VGS=2.5V
RDS(ON) (m)
             100

                                                                                                        1.4                       VGS=10V

             75                                                                                         1.2                       VGS=2.5V
                                                      VGS=4.5V

             50

             25                                    VGS=10V                                              1

             0                                                                                          0.8
                                                                                                             0
                  0      2     4                   6                   8  10                                     25 50 75 100 125 150 175

                                                  ID (A)                                                                       Temperature (C)
                     Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and                                               Figure 4: On-Resistance vs. Junction

                                             Gate Voltage                                                                         Temperature

             200                                                                                        1.0E+01

                                                                                                        1.0E+00

             150                                      ID=2A                                             1.0E-01
                                                                                                        1.0E-02
RDS(ON) (m)                                                                                                      125C

             100                                      125C                   IS (A)

                                                                                                        1.0E-03          25C
                                                                                                        1.0E-04
             50
                                     25C

                                                                                                        1.0E-05

                  0                                                                                     1.0E-06
                                                                                                                  0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
                     0      2     4                6                   8  10
                                                                                                                                               VSD (Volts)
                                                VGS (Volts)                                                                Figure 6: Body-Diode Characteristics
                     Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
AO3402, AO3402L

TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS

             5                                                                                                   600
                                          VDS=15V
                                                                                                                 500
                                          ID=4A
             4                                                                                                                                            Ciss
                                                                                                                 400
VGS (Volts)                                                                                    Capacitance (pF)
             3

                                                                                                                 300

             2

                                                                                                                 200

             1                                                                                                   100      Coss          Crss

             0                                                                                                      0

                0                            1              2  3                4         5                            0     5      10        15                20   25          30

                                                                   Qg (nC)                                                                   VDS (Volts)
                                             Figure 7: Gate-Charge Characteristics                                        Figure 8: Capacitance Characteristics

             100.0                           TJ(Max)=150C                                                20
                                             TA=25C                                                                                                              TJ(Max)=150C
                                                                                                                                                                  TA=25C
             10.0 RDS(ON)                                                         10s
                      limited                                         100s                               15

ID (Amps)                                                      1ms                             Power (W)

                                                               0.1s 10ms                                  10

                1.0                                                                                              5
                                        1s

                                                10s
                                                                 DC

                0.1                                                                                              0

                                       0.1                  1               10            100                    0.001 0.01 0.1               1                 10   100 1000

                                                               VDS (Volts)                                                                     Pulse Width (s)
                                                                                                                       Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
                                            Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
                                                                                                                                              Ambient (Note E)
                                                Operating Area (Note E)

             ZJA Normalized Transient  10                                       In descending order
                 Thermal Resistance                D=Ton/T                      D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
                                                   TJ,PK=TA+PDM.ZJA.RJA
                                                   RJA=90C/W

                                        1

                                       0.1                                                                                      PD

                                                                                                                                    Ton
                                                                                                                                          T

                                                               Single Pulse

                                       0.01

                                       0.00001  0.0001         0.001                0.01       0.1                        1             10                      100      1000

                                                                                                 Pulse Width (s)
                                                               Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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