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AO3402

器件型号:AO3402
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:AOS[Alpha & Omega Semiconductor]
厂商官网:http://www.aosmd.com/about
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器件描述

MOSFET N-CH 30V 4.0A SOT23

场效应管 N-CH 30V 4.0A SOT23

AO3402器件文档内容

                                                                                         AO3402

                                                                               30V N-Channel MOSFET

General Description                                                  Product Summary

The AO3402 uses advanced trench technology to provide                VDS                                       30V
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate           ID (at VGS=10V)                           4A
voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as          RDS(ON) (at VGS=10V)                      < 52m
a load switch or in PWM applications.                                RDS(ON) (at VGS =4.5V)                    < 65m
                                                                     RDS(ON) (at VGS =2.5V)                    < 85m

                                       SOT23                                                 D

                        Top View              Bottom View

                                                    D
                  D

                                       S                        G                      G
                                                                                                            S
                         G                              S
                                                                               Maximum
Absolute Maximum Ratings TA=25C unless otherwise noted                             30
                                                                                   12
Parameter                                                  Symbol                    4                         Units
                                                                                   3.2                           V
Drain-Source Voltage                                       VDS                      15                           V
                                                                                   1.4
Gate-Source Voltage                                        VGS                     0.9                           A

Continuous Drain        TA=25C                            ID                  -55 to 150                        W
Current                 TA=70C                                                                                  C

Pulsed Drain Current C                                     IDM                                                 Units
                                                                                                               C/W
                              TA=25C                      PD                                                  C/W
Power Dissipation B TA=70C                                                                                    C/W

Junction and Storage Temperature Range                     TJ, TSTG

Thermal Characteristics

                  Parameter                                Symbol         Typ                Max
                                                                                              90
Maximum Junction-to-Ambient A t  10s                            RJA       70                 125
Maximum Junction-to-Ambient A D Steady-State                              100                 80

Maximum Junction-to-Lead                  Steady-State          RJL       63

Rev 6: Jan. 2011                                           www.aosmd.com                                              Page 1 of 5
                                                                                         AO3402

Electrical Characteristics (TJ=25C unless otherwise noted)

Symbol             Parameter               Conditions                       Min Typ Max Units

STATIC PARAMETERS

BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage       ID=250A, VGS=0V                 30              V

IDSS     Zero Gate Voltage Drain Current   VDS=30V, VGS=0V                             1
                                                                                                 A
                                                                  TJ=55C
                                                                                       5

IGSS     Gate-Body leakage current         VDS=0V, VGS=12V                            100 nA

VGS(th) Gate Threshold Voltage             VDS=VGS ID=250A                 0.5  1     1.5  V

ID(ON)   On state drain current            VGS=10V, VDS=5V                  15              A

                                           VGS=10V, ID=4A                        43    52   m

RDS(ON) Static Drain-Source On-Resistance                         TJ=125C       70    84

                                           VGS=4.5V, ID=3A                       47    65 m

                                           VGS=2.5V, ID=2A                       60    85 m

gFS      Forward Transconductance          VDS=5V, ID=3.6A                       14         S

VSD      Diode Forward Voltage             IS=1A,VGS=0V                          0.75 1     V

IS       Maximum Body-Diode Continuous Current                                         1.5  A

DYNAMIC PARAMETERS

Ciss     Input Capacitance                                                  185 235 285 pF

Coss     Output Capacitance                VGS=0V, VDS=15V, f=1MHz          25   35    45   pF
                                           VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz
Crss     Reverse Transfer Capacitance                                       10   18    25   pF

Rg       Gate resistance                                                    2.1 4.3 6.5     

SWITCHING PARAMETERS

Qg(10V) Total Gate Charge                                                        10    12   nC

Qg(4.5V) Total Gate Charge                 VGS=10V, VDS=15V, ID=4A               4.7        nC

Qgs      Gate Source Charge                                                      0.95       nC

Qgd      Gate Drain Charge                                                       1.6        nC

tD(on)   Turn-On DelayTime                                                       3.5        ns

tr       Turn-On Rise Time                 VGS=10V, VDS=15V, RL=3.75,            1.5        ns

tD(off)  Turn-Off DelayTime                RGEN=3                                17.5       ns

tf       Turn-Off Fall Time                                                      2.5        ns

trr      Body Diode Reverse Recovery Time IF=4A, dI/dt=100A/s                   8.5   11   ns

Qrr      Body Diode Reverse Recovery Charge IF=4A, dI/dt=100A/s                 2.6 3.5 nC

A. The value of RJA is measured with the device mounted on 1in2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with TA =25C. The
value in any given application depends on the user's specific board design.

B. The power dissipation PD is based on TJ(MAX)=150C, using  10s junction-to-ambient thermal resistance.
C. Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature TJ(MAX)=150C. Ratings are based on low frequency and duty cycles to keep
initialTJ=25C.

D. The RJA is the sum of the thermal impedence from junction to lead RJL and lead to ambient.
E. The static characteristics in Figures 1 to 6 are obtained using <300s pulses, duty cycle 0.5% max.
F. These curves are based on the junction-to-ambient thermal impedence which is measured with the device mounted on 1in2 FR-4 board with

2oz. Copper, assuming a maximum junction temperature of TJ(MAX)=150C. The SOA curve provides a single pulse rating.

THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.

Rev 6: Jan. 2011                           www.aosmd.com                                 Page 2 of 5
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TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS

             15                      3V                            2.5V                                           10
                     10V        4.5V                                                                                      VDS=5V

             12                                                                                                    8

              9                                                                                                    6

ID (A)                                                                                  ID(A)                                     125C

             6                                                                                                    4

                                                                VGS=2.0V

             3                                                                                                    2                                        25C

             0                                                                                                    0

                 0        1              2          3           4                   5                                  0   0.5           1  1.5         2  2.5          3

                                          VDS (Volts)                                                                                             VGS(Volts)
                    Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)                                                              Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)

             80                                                                                                   1.8

             70                 VGS=2.5V                                                Normalized On-Resistance  1.6             VGS=4.5V

                                                                                                                                  ID=3A

RDS(ON) (m)  60                                                                                                   1.4                                      VGS=1107V
                                                      VGS=4.5V
                                                                                                                                                           ID=4A 5
             50
                                                                                                                  1.2                                            2

             40                                                                                                   1                              VGS=2.5V 10

                                            VGS=10V                                                                                              ID=2A

             30                                                                                                   0.8
                                                                                                                        0
                 0        2              4  6                   8                   10                                       25 50 75 100 125 150 175
                                            ID (A)
                                                                                                                                              Temperature (C) 0
                    Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate                                                     Figure 4: On-Resistance vs. Junction18Temperature

                                         Voltage (Note E)                                                                                                (Note E)

             120                                                                                                  1.0E+02
                                                                             ID=4A
                                                                                                                  1.0E+01
             100
                                                                                                                       40

                                                                                                                  1.0E+00

RDS(ON) (m)  80                                                 125C                   IS (A)                    1.0E-01         125C

             60                                                                                                   1.0E-02

                                                                                                                  1.0E-03                        25C

             40           25C                                                                                    1.0E-04

             20                                                                                                   1.0E-05

                 0        2              4          6           8                   10                                       0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2

                                               VGS (Volts)                                                                                            VSD (Volts)
                    Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage                                                         Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)

                                                 (Note E)

Rev 6: Jan. 2011                                                   www.aosmd.com                                                                                        Page 3 of 5
                                                                                                                                                                        AO3402

TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS

             10                                                                                                        400
                      VDS=15V
                      ID=4A                                                                                            350

              8

                                                                                                                       300

VGS (Volts)               6                                                               Capacitance (pF)             250

                                                                                                                       200                        Ciss

                          4                                                                                            150

                                                                                                                       100           Coss

                          2

                                                                                                                       50

                          0                                                                                            0 Crss

                             0            2           4    6            8  10    12                                         0     5        10     15           20       25    30
                                                           Qg (nC)                                                                                VDS (Volts)

                                    Figure 7: Gate-Charge Characteristics                                                      Figure 8: Capacitance Characteristics

                             100.0                                                                          10000
                                                                                                             1000
                                                                                                                                                               TA=25C

ID (Amps)                    10.0            RDS(ON)                             10s                       Power (W)
                              1.0            limited                             100s

                                                                                                                       100

                             0.1                         TJ(Max)=150C           1ms                                   10
                                                                                 10ms
                                                         TA=25C
                                                                                 10s
                                                                                  DC                                        1

                             0.0                                                                                            0.00001 0.001         0.1               10      1000

                                    0.01              0.1           1      10        100

                                                           VDS (Volts)                                                                                  Pulse Width (s)
                                                                                                                               Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
                                    Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
                                                Operating Area (Note F)                                                                               Ambient (Note F)

ZJA Normalized Transient     10                                                                                        In descending order
   Thermal Resistance               D=Ton/T                                                                            D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
                                    TJ,PK=TA+PDM.ZJA.RJA

                              1 RJA=125C/W

                             0.1

                           0.01                            Single Pulse                                                           PD
                          0.001                                                                                                         Ton
                                                                                                                                               T

                                0.00001      0.0001                 0.001  0.01           0.1                                  1           10                  100      1000

                                                                                                 Pulse Width (s)
                                                         Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)

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                                         Gate Charge Test Circuit & Waveform

                   +                           +                  Vgs                  Qg
                                                       Vds                             Qgd
                  VDC                                             10V
                                                        VDC                 Qgs
                    -
                                         DUT -
                                 Vgs
                            Ig

                                               R esistive Switching Test Circuit & W aveform s                   Charge
                                         RL
                                                                                                                      90%
                             Vds                             Vds                                                     10%

                        Vgs              DUT    +
              Rg
Vgs                                                  Vdd

                                              VDC

                                                -

                                                             Vgs       td(on) tr              td(off)        tf
                                                                              ton
                                                                                                       toff

                                              Diode Recovery Test Circuit & W aveform s

Vds +                                                                              Q rr = - Idt

                     DUT

                                                                  Vgs

Vds -                                 L                           Isd              IF                  t rr
                Isd
                                                                                       dI/dt
          Vgs
    Ig                                           +                                          I RM
                                                     Vdd
                                              VDC                                                                Vdd

                                                   -              Vds

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