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AO3401A

器件型号:AO3401A
器件类别:晶体管
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厂商名称:AOSMD [Alpha & Omega Semiconductors]
厂商官网:http://www.aosmd.com/
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器件描述

4000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL,

4000 mA, 30 V, P沟道, , 小信号,

参数

AO3401A端子数量 3
AO3401A最小击穿电压 30 V
AO3401A加工封装描述 绿色 PACKAGE-3
AO3401A无铅 Yes
AO3401A欧盟RoHS规范 Yes
AO3401A状态 CONSULT MFR
AO3401A包装形状 矩形的
AO3401A包装尺寸 SMALL OUTLINE
AO3401A表面贴装 Yes
AO3401A端子形式 GULL WING
AO3401A端子涂层 NOT SPECIFIED
AO3401A端子位置
AO3401A包装材料 塑料/环氧树脂
AO3401A结构 单一的 WITH BUILT-IN 二极管
AO3401A元件数量 1
AO3401A晶体管应用 开关
AO3401A晶体管元件材料
AO3401A通道类型 P沟道
AO3401A场效应晶体管技术 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
AO3401A操作模式 ENHANCEMENT
AO3401A晶体管类型 通用小信号
AO3401A最大漏电流 4 A
AO3401A最大漏极导通电阻 0.0500 ohm

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AO3401A器件文档内容

AO3401A
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description                                            Features

The AO3401A uses advanced trench technology to provide         VDS (V) = -30V
excellent RDS(ON) , low gate charge and operation gate
voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a  ID = -4.3A       (VGS = -10V)
load switch or other general applications. Standard product
AO3401A is Pb-free (meets ROHS & Sony 259                      RDS(ON) < 46m (VGS = -10V)
specifications).
                                                               RDS(ON) < 55m (VGS = -4.5V)

                                                               RDS(ON) < 80mW (VGS = -2.5V)

                                                                                        Rg,Ciss,Coss,Crss Tested

                              TO-236                                                 D
                            (SOT-23)
                            Top View                                   G
                                                                                     S
                        G
                                            D

                        S

Absolute Maximum Ratings TA=25C unless otherwise noted

Parameter                                      Symbol                  Maximum                Units
                                                                           -30                  V
Drain-Source Voltage                           VDS                         12                  V
                                                                           -4.3
Gate-Source Voltage                            VGS                         -3.8                 A
                                                                           -25
Continuous Drain TA=25C                                                   1.4                  W
                                                                           0.9                  C
Current A,F             TA=70C                ID
                                                                       -55 to 150             Units
Pulsed Drain Current B                         IDM                                            C/W
                                                                                              C/W
                              TA=25C          PD                                             C/W
Power Dissipation A TA=70C

Junction and Storage Temperature Range TJ, TSTG

Thermal Characteristics                                        Symbol      Typ          Max
                                                                                         90
Parameter                                         t  10s       RJA         65           125
Maximum Junction-to-Ambient AF                 Steady-State                85            80
Maximum Junction-to-Ambient A                  Steady-State
Maximum Junction-to-Lead C                                     RJL         43

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.                                                             www.aosmd.com
AO3401A

Electrical Characteristics (TJ=25C unless otherwise noted)

Symbol             Parameter               Conditions                         Min Typ Max Units

STATIC PARAMETERS

BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage       ID=-250A, VGS=0V                  -30                 V

IDSS     Zero Gate Voltage Drain Current   VDS=-30V, VGS=0V                              -1
                                                                                                   A
                                                                     TJ=55C
                                                                                         -5

IGSS     Gate-Body leakage current         VDS=0V, VGS=12V                              100 nA

VGS(th) Gate Threshold Voltage             VDS=VGS ID=-250A                  -0.6 -1 -1.3 V

ID(ON)   On state drain current            VGS=-4.5V, VDS=-5V                 -25                 A

                                           VGS=-10V, ID=-4.3A                      36    44       m

RDS(ON) Static Drain-Source On-Resistance  VGS=-4.5V, ID=-3.5A  TJ=125C           52    63
                                           VGS=-2.5V, ID=-2.5A
                                                                                   44    55 m

                                                                                   62    80 m

gFS      Forward Transconductance          VDS=-5V, ID=-4.3A                       13             S

VSD      Diode Forward Voltage             IS=-1A,VGS=0V                           -0.75 -1       V

IS       Maximum Body-Diode Continuous Current                                           -2       A

DYNAMIC PARAMETERS

Ciss     Input Capacitance                                                         933 1200 pF

Coss     Output Capacitance                VGS=0V, VDS=-15V, f=1MHz                108            pF
                                           VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz
Crss     Reverse Transfer Capacitance                                              81             pF

Rg       Gate resistance                                                           6     9        

SWITCHING PARAMETERS

Qg       Total Gate Charge                                                         9.3 12.2 nC

Qgs      Gate Source Charge                VGS=-4.5V, VDS=-15V, ID=-4.3A           1.5            nC

Qgd      Gate Drain Charge                                                         3.7            nC

tD(on)   Turn-On DelayTime                                                         5.2            ns

tr       Turn-On Rise Time                 VGS=-10V, VDS=-15V, RL=3.5,             6.8            ns

tD(off)  Turn-Off DelayTime                RGEN=6                                  42             ns

tf       Turn-Off Fall Time                                                        15             ns

trr      Body Diode Reverse Recovery Time IF=-4.3A, dI/dt=100A/s                  21    28       ns

Qrr      Body Diode Reverse Recovery Charge IF=-4.3A, dI/dt=100A/s                14.3           nC

A: The value of R JA is measured with the device mounted on 1in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A =25C. The
value in any given application depends on the user's specific board design.
B: Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.

C. The R JA is the sum of the thermal impedence from junction to lead R JL and lead to ambient.
D. The static characteristics in Figures 1 to 6 are obtained using <300 s pulses, duty cycle 0.5% max.
E. These tests are performed with the device mounted on 1 in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A=25C. The SOA
curve provides a single pulse rating.
F.The current rating is based on the t 10s thermal resistance rating.

Rev0: Apr.2007

THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.                                                  www.aosmd.com
AO3401A

TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS

             25                       -4.5V                                                             10
                     -10V                                   -3V                                                   VDS=-5V

             20                                                                                          8

-ID (A)      15                                -2.5V                                                    6

                                                                              -ID(A)

             10                                                                                         4
                                                                                                                                     125C

             5                                                                                          2                                            25C
                                                              VGS=-2V

             0                                                                                          0

                  0        1       2        3                          4  5                                  0   0.5       1      1.5             2        2.5                3

                                            -VDS (Volts)                                                                         -VGS(Volts)
                           Figure 1: On-Region Characteristics                                                   Figure 2: Transfer Characteristics

             100                                                                                        1.6

                                                                              Normalized On-Resistance                     ID=-3.5A, VGS=-4.5V

                                                            VGS=-2.5V                                   1.4      ID=-4.3A, VGS=-10V
             80

RDS(ON) (m)  60                                                                                                                                                    VGS=-2.5V
                                                            VGS=-4.5V                                   1.2

             40                                                                                                                                                     ID=-2.5A

                                                                                                          1

                                            VGS=-10V

             20                                                                                         0.8
                                                                                                             0
                  0        2       4        6                          8  10                                     25 50 75 100 125 150 175

                                                  -ID (A)                                                                      Temperature (C)
                     Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and                                               Figure 4: On-Resistance vs. Junction

                                             Gate Voltage                                                                         Temperature

             80                                                                                         1.0E+01
                         ID=-4.3A
                                                                                                        1.0E+00
             70
                                               125C                                                    1.0E-01            125C
             60                                                                                         1.0E-02
RDS(ON) (m)
             50                                                               -IS (A)

             40                                                                                         1.0E-03                             25C
                                                                                                        1.0E-04

             30                       25C                                                              1.0E-05

             20                                                                                         1.0E-06
                                                                                                                  0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
                  2           4       6        8                          10
                                                                                                                                              -VSD (Volts)
                                                -VGS (Volts)                                                               Figure 6: Body-Diode Characteristics
                     Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.                                                                                                                 www.aosmd.com
AO3401A

TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS

              5                                                                                                1600

                                VDS=-15V                                                                       1200
                                                                                                                                                       Ciss
              4                 ID=-4.3A
                                                                                                                800
-VGS (Volts)  3                                                                              Capacitance (pF)

              2

              1                                                                                                400     Coss

                                                                                                                                                             Crss

              0                                                                                                0

                 0                 3              6                9                     12                         0     5  10              15              20             25        30

                                                     -Qg (nC)                                                                                -VDS (Volts)
                                Figure 7: Gate-Charge Characteristics                                                     Figure 8: Capacitance Characteristics

              100.0                                                                                            30

              10.0                                                                 10s                        24                                            TJ(Max)=150C
                                                                                   100s                                                                     TA=25C
                                RDS(ON)
ID (Amps)                       limited                                                      Power (W)         18

                 1.0                                                               1ms

                                                                                     10ms                      12
                                               10s

                 0.1                                                               0.1s                        6
                                                                                       100
                                   TJ(Max)=150C               DC

                                   TC=25C                                                                     0

                 0.0                                                                                           0.001 0.01 0.1                1               10 100 1000

                          0.01            0.1        1             10

                                                  VDS (Volts)                                                                                Pulse Width (s)
                                                                                                                    Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
                                Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
                                                                                                                                           Ambient (Note E)
                                          Operating Area (Note F)

ZJA Normalized Transient  10                                          In descending order
    Thermal Resistance               D=Ton/T                          D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
                                     TJ,PK=TA+PDM.ZJA.RJA
                                     RJA=125C/W

                           1

                          0.1                                                                                                PD
                                                                     Single Pulse                                                  Ton
                                                                                                                                          T

                          0.01

                          0.00001         0.0001        0.001                      0.01      0.1                       1       10                            100                1000
                                                                                         Pulse Width (s)

                                                        Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.                                                                                                                            www.aosmd.com
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