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AO3401

器件型号:AO3401
器件类别:晶体管
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厂商名称:AOSMD [Alpha & Omega Semiconductors]
厂商官网:http://www.aosmd.com/
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器件描述

4000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL,

4000 mA, 30 V, P沟道, , 小信号,

参数

AO3401端子数量 3
AO3401最小击穿电压 30 V
AO3401加工封装描述 绿色 PACKAGE-3
AO3401状态 CONSULT MFR
AO3401包装形状 矩形的
AO3401包装尺寸 SMALL OUTLINE
AO3401表面贴装 Yes
AO3401端子形式 GULL WING
AO3401端子位置
AO3401包装材料 塑料/环氧树脂
AO3401结构 单一的 WITH BUILT-IN 二极管
AO3401元件数量 1
AO3401晶体管应用 开关
AO3401晶体管元件材料
AO3401通道类型 P沟道
AO3401场效应晶体管技术 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
AO3401操作模式 ENHANCEMENT
AO3401晶体管类型 通用小信号
AO3401最大漏电流 4 A
AO3401最大漏极导通电阻 0.0500 ohm

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AO3401器件文档内容

AO3401
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description                                    Features

The AO3401 uses advanced trench technology to          VDS (V) = -30V
provide excellent RDS(ON), low gate charge and         ID = -4.2 A (VGS = -10V)
operation with gate voltages as low as 2.5V. This      RDS(ON) < 50m (VGS = -10V)
device is suitable for use as a load switch or in PWM  RDS(ON) < 65m (VGS = -4.5V)
applications. Standard product AO3401 is Pb-free       RDS(ON) < 120m (VGS = -2.5V)
(meets ROHS & Sony 259 specifications). AO3401L
is a Green Product ordering option. AO3401 and
AO3401L are electrically identical.

                 TO-236                                              D
                (SOT-23)
                Top View                               G
                                                                     S
           G
                               D

           S

Absolute Maximum Ratings TA=25C unless otherwise noted

Parameter                              Symbol                  Maximum               Units
                                                                   -30                 V
Drain-Source Voltage                   VDS                         12                 V
                                                                   -4.2
Gate-Source Voltage                    VGS                         -3.5                A
                                                                   -30
Continuous Drain TA=25C                                           1.4                 W
                                                                     1                 C
Current A               TA=70C        ID
                                                               -55 to 150            Units
Pulsed Drain Current B                 IDM                                           C/W
                                                                                     C/W
                              TA=25C  PD                                            C/W
Power Dissipation A TA=70C

Junction and Storage Temperature Range TJ, TSTG

Thermal Characteristics

Parameter                                              Symbol           Typ  Max

Maximum Junction-to-Ambient A             t  10s       RJA              65   90
Maximum Junction-to-Ambient A          Steady-State                     85   125

Maximum Junction-to-Lead C             Steady-State    RJL              43   60

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
AO3401

Electrical Characteristics (TJ=25C unless otherwise noted)

Symbol             Parameter                Conditions                       Min   Typ Max Units

STATIC PARAMETERS

BVDSS    Drain-Source Breakdown Voltage     ID=-250A, VGS=0V                -30                                                            V
IDSS
IGSS     Zero Gate Voltage Drain Current    VDS=-24V, VGS=0V                             -1
VGS(th)                                                                                            A
ID(ON)                                                             TJ=55C
                                                                                         -5
RDS(ON)
         Gate-Body leakage current          VDS=0V, VGS=12V                             100 nA
gFS
VSD      Gate Threshold Voltage             VDS=VGS ID=-250A                -0.7  -1 -1.3 V
IS
         On state drain current             VGS=-4.5V, VDS=-5V               -25                                                            A

                                            VGS=-10V, ID=-4.2A                     42    50  m

         Static Drain-Source On-Resistance                         TJ=125C              75

                                            VGS=-4.5V, ID=-4A                      53    65 m

                                            VGS=-2.5V, ID=-1A                      80 120 m

         Forward Transconductance           VDS=-5V, ID=-5A                  7     11                                                       S

         Diode Forward Voltage              IS=-1A,VGS=0V                          -0.75 -1                                                 V

         Maximum Body-Diode Continuous Current                                           -2.2 A

DYNAMIC PARAMETERS

Ciss     Input Capacitance                                                         954                                                      pF

Coss     Output Capacitance                 VGS=0V, VDS=-15V, f=1MHz               115                                                      pF
                                            VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz
Crss     Reverse Transfer Capacitance                                              77                                                       pF

Rg       Gate resistance                                                           6                                                        

SWITCHING PARAMETERS

Qg       Total Gate Charge                                                         9.4                                                      nC
Qgs
Qgd      Gate Source Charge                 VGS=-4.5V, VDS=-15V, ID=-4A            2                                                        nC
tD(on)
tr       Gate Drain Charge                                                         3                                                        nC
tD(off)
tf       Turn-On DelayTime                                                         6.3                                                      ns
trr
Qrr      Turn-On Rise Time                  VGS=-10V, VDS=-15V, RL=3.6,            3.2                                                      ns
         Turn-Off DelayTime                 RGEN=6
                                                                                   38.2                                                     ns

         Turn-Off Fall Time                                                        12                                                       ns

         Body Diode Reverse Recovery Time IF=-4A, dI/dt=100A/s                    20.2                                                     ns
         Body Diode Reverse Recovery Charge IF=-4A, dI/dt=100A/s
                                                                                   11.2                                                     nC

A: The value of RJA is measured with the device mounted on 1in2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with TA =25C. The
value in any given application depends on the user's specific board design. The current rating is based on the t 10s thermal resistance
rating.
B: Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.
C. The R JA is the sum of the thermal impedence from junction to lead RJL and lead to ambient.
D. The static characteristics in Figures 1 to 6,12,14 are obtained using 80s pulses, duty cycle 0.5% max.
E. These tests are performed with the device mounted on 1 in2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with TA=25C. The
SOA curve provides a single pulse rating.

THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
AO3401

TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS

             25.00                                                                                     10

                       -10V                                                                                          VDS=-5V
                                                                                                                                  125C
             20.00              -4.5V                                                                  8

                                             -3V

-ID (A)      15.00                                                           -ID(A)                    6

             10.00                                -2.5V
                                                                                          4

             5.00                      VGS=-2V                                                         2                                    25C

             0.00                                                                                      0
                  0.00 1.00 2.00 3.00 4.00 5.00
                                                                                                            0   0.5  1      1.5          2        2.5  3
                                              -VDS (Volts)
                               Fig 1: On-Region Characteristics                                                                 -VGS(Volts)
                                                                                                                Figure 2: Transfer Characteristics

             120                                                                                       1.8

             100                                                             Normalized On-Resistance  1.6           ID=-3.5A, VGS=-4.5V

                                                                                                                     ID=-3.5A, VGS=-10V

RDS(ON) (m)  80                        VGS=-2.5V                                                       1.4

             60                        VGS=-4.5V                                                       1.2                                  VGS=-2.5V

                                                                                                                                            ID=-1A

             40                                                                                        1
                                                               VGS=-10V

             20                                                                                        0.8
                                                                                                            0
             0.00      2.00     4.00   6.00       8.00 10.00                                                    25 50 75 100 125 150 175

                                                 -ID (A)                                                                      Temperature (C)
                    Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and                                               Figure 4: On-Resistance vs. Junction

                                            Gate Voltage                                                                         Temperature

             190                                                                                       1.0E+01

             170                                                                                       1.0E+00

             150                                ID=-2A

RDS(ON) (m)  130                                                                                       1.0E-01       125C
                                                                                                       1.0E-02
             110                                                             -IS (A)

             90                                   125C                                                1.0E-03
                                                                                                       1.0E-04
             70                                                                                                             25C

             50                        25C

             30                                                                                        1.0E-05

             10                                                                                        1.0E-06
                                                                                                                 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
                    0        2  4            6           8               10
                                                                                                                                             -VSD (Volts)
                                               -VGS (Volts)                                                               Figure 6: Body-Diode Characteristics
                    Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
AO3401

TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS

              5                                                                                                               1400
                                           VDS=-15V
                                           ID=-4A                                                                             1200

              4

-VGS (Volts)  3                                                                                             Capacitance (pF)  1000
                                                                                                                                                                    Ciss

                                                                                                                               800

              2                                                                                                               600

                                                                                                                              400

              1                                                                                                                         Coss         Crss

                                                                                                                              200

              0                                                                                                                   0

                 0                           2   4       6                 8      10                   12                            0        5      10       15          20   25                 30

                                                                  -Qg (nC)                                                                                 -VDS (Volts)
                                             Figure 7: Gate-Charge Characteristics                                                      Figure 8: Capacitance Characteristics

              100.0 TJ(Max)=150C                                           10s                                              40
                         TA=25C                                           100s                                                                                                   TJ(Max)=150C

                        RDS(ON)                                                                                                                                                    TA=25C
               10.0 limited
                                                                                                                              30

-ID (Amps)                                                                 1ms                              Power (W)         20

                                                     0.1s 10ms                                                                10
                 1.0

                                       1s

                                                    10s                                                                       0
                                                                  DC

                 0.1                                1                      10                          100                    0.001 0.01 0.1                  1           10   100 1000
                     0.1

                                                       -VDS (Volts)                                                                                       Pulse Width (s)
                                                                                                                                  Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
                                        Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
                                                    Operating Area (Note E)                                                                              Ambient (Note E)

              ZJA Normalized Transient  10                                      In descending order
                  Thermal Resistance                 D=Ton/T                    D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
                                                     TJ,PK=TA+PDM.ZJA.RJA
                                                     RJA=90C/W

                                         1

                                        0.1                                                                                                      PD

                                                                                                                                                     Ton
                                                                                                                                                           T

                                                                                   Single Pulse
                                        0.01

                                        0.00001  0.0001     0.001                                0.01       0.1                         1            10                   100      1000

                                                                                              Pulse Width (s)
                                                            Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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