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AO3400A

器件型号:AO3400A
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:AOS[Alpha & Omega Semiconductor]
厂商官网:http://www.aosmd.com/about
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器件描述

5700 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

5700 mA, 30 V, N沟道, , 小信号, 场效应管

参数

AO3400A端子数量 3
AO3400A最小击穿电压 30 V
AO3400A加工封装描述 绿色 PACKAGE-3
AO3400A无铅 Yes
AO3400A欧盟RoHS规范 Yes
AO3400A状态 CONSULT MFR
AO3400A包装形状 矩形的
AO3400A包装尺寸 SMALL OUTLINE
AO3400A表面贴装 Yes
AO3400A端子形式 GULL WING
AO3400A端子涂层 NOT SPECIFIED
AO3400A端子位置
AO3400A包装材料 塑料/环氧树脂
AO3400A结构 单一的 WITH BUILT-IN 二极管
AO3400A元件数量 1
AO3400A晶体管应用 开关
AO3400A晶体管元件材料
AO3400A通道类型 N沟道
AO3400A场效应晶体管技术 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
AO3400A操作模式 ENHANCEMENT
AO3400A晶体管类型 通用小信号
AO3400A最大漏电流 5.7 A
AO3400A最大漏极导通电阻 0.0265 ohm

AO3400A器件文档内容

                                                                                       AO3400A

                                                                               30V N-Channel MOSFET

General Description                                                  Product Summary

The AO3400A combines advanced trench MOSFET                          VDS                                       30V
technology with a low resistance package to provide                  ID (at VGS=10V)                           5.7A
extremely low RDS(ON). This device is suitable for use as a          RDS(ON) (at VGS=10V)                      < 26.5m
load switch or in PWM applications.                                  RDS(ON) (at VGS = 4.5V)                   < 32m
                                                                     RDS(ON) (at VGS = 2.5V)                   < 48m

                                       SOT23                                                  D

                        Top View              Bottom View

                                                    D
                  D

                                       S                        G                      G
                                                                                                            S
                         G                              S
                                                                               Maximum
Absolute Maximum Ratings TA=25C unless otherwise noted                             30
                                                                                   12
Parameter                                                  Symbol                  5.7                         Units
                                                                                   4.7                           V
Drain-Source Voltage                                       VDS                      30                           V
                                                                                   1.4
Gate-Source Voltage                                        VGS                     0.9                           A

Continuous Drain        TA=25C                            ID                  -55 to 150                        W
Current                 TA=70C                                                                                  C

Pulsed Drain Current C                                     IDM                                                 Units
                                                                                                               C/W
                              TA=25C                      PD                                                  C/W
Power Dissipation B TA=70C                                                                                    C/W

Junction and Storage Temperature Range                     TJ, TSTG

Thermal Characteristics

                  Parameter                                Symbol         Typ                 Max
                                                                                               90
Maximum Junction-to-Ambient A t  10s                            RJA       70                  125
Maximum Junction-to-Ambient A D Steady-State                              100                  80

Maximum Junction-to-Lead                  Steady-State          RJL       63

Rev 3: Dec 2011                                            www.aosmd.com                                                Page 1 of 5
                                                                                       AO3400A

Electrical Characteristics (TJ=25C unless otherwise noted)

Symbol             Parameter               Conditions                        Min Typ Max Units

STATIC PARAMETERS

BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage       ID=250A, VGS=0V                  30             V

IDSS     Zero Gate Voltage Drain Current   VDS=30V, VGS=0V                             1
                                                                                                 A
                                                                    TJ=55C
                                                                                       5

IGSS     Gate-Body leakage current         VDS=0V, VGS= 12V                           100 nA

VGS(th) Gate Threshold Voltage             VDS=VGS ID=250A                  0.65 1.05 1.45 V

ID(ON)   On state drain current            VGS=4.5V, VDS=5V                  30             A

                                           VGS=10V, ID=5.7A                       18 26.5   m
                                           VGS=4.5V, ID=5A
RDS(ON) Static Drain-Source On-Resistance                     TJ=125C            28   38

                                                                                  19   32 m

                                           VGS=2.5V, ID=3A                        24   48 m

gFS      Forward Transconductance          VDS=5V, ID=5.7A                        33        S

VSD      Diode Forward Voltage             IS=1A,VGS=0V                           0.7  1    V

IS       Maximum Body-Diode Continuous Current                                         2    A

DYNAMIC PARAMETERS

Ciss     Input Capacitance                                                        630       pF

Coss     Output Capacitance                VGS=0V, VDS=15V, f=1MHz                75        pF
                                           VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz
Crss     Reverse Transfer Capacitance                                             50        pF

Rg       Gate resistance                                                     1.5  3    4.5  

SWITCHING PARAMETERS

Qg       Total Gate Charge                                                        6    7    nC

Qgs      Gate Source Charge                VGS=4.5V, VDS=15V, ID=5.7A             1.3       nC

Qgd      Gate Drain Charge                                                        1.8       nC

tD(on)   Turn-On DelayTime                                                        3         ns

tr       Turn-On Rise Time                 VGS=10V, VDS=15V, RL=2.6,              2.5       ns

tD(off)  Turn-Off DelayTime                RGEN=3                                 25        ns

tf       Turn-Off Fall Time                                                       4         ns

trr      Body Diode Reverse Recovery Time IF=5.7A, dI/dt=100A/s                  8.5       ns

Qrr      Body Diode Reverse Recovery Charge IF=5.7A, dI/dt=100A/s                2.6       nC

A. The value of RJA is measured with the device mounted on 1in2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with TA =25C. The
value in any given application depends on the user's specific board design.

B. The power dissipation PD is based on TJ(MAX)=150C, using  10s junction-to-ambient thermal resistance.
C. Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature TJ(MAX)=150C. Ratings are based on low frequency and duty cycles to keep
initialTJ=25C.
D. The RJA is the sum of the thermal impedence from junction to lead RJL and lead to ambient.
E. The static characteristics in Figures 1 to 6 are obtained using <300s pulses, duty cycle 0.5% max.
F. These curves are based on the junction-to-ambient thermal impedence which is measured with the device mounted on 1in2 FR-4 board with

2oz. Copper, assuming a maximum junction temperature of TJ(MAX)=150C. The SOA curve provides a single pulse rating.

THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING
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FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.

Rev 3: Dec 2011                            www.aosmd.com                                  Page 2 of 5
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TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS

             40                       3V                                                                         15
                     10V           4.5V
                                                                                                                                       VDS=5V
             35                                                                                                  12

             30

             25                                            2.5V                                                  9

ID (A)       20                                                                        ID(A)

             15                                                                                                  6

             10                                                                                                                    125C                 25C
                                                                  VGS=2V                                         3

              5

             0                                                                                                   0

                 0        1        2                    3                 4        5                                  0   0.5  1               1.5  2    2.5          3

                                             VDS (Volts)                                                                                        VGS(Volts)
                       Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)                                                         Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)

             30                                                                                                  1.8

                                                                                       Normalized On-Resistance                VGS=4.5V

                                                                                                                 1.6           ID=5A

RDS(ON) (m)  25                                                                                                  1.4                                     17
                                              VGS=4.5V
                                                                                                                                                         VGS=105V
             20

                                                                                                                 1.2                                     ID=5.7A2

             15                    VGS=10V                                                                                                               10

                                                                                                                 1

             10                                                                                                  0.8
                                                                                                                       0
                    0           5            10            15                      20                                       25 50 75 100 125 150 175
                                             ID (A)
                                                                                                                                             Temperature (C) 0
                       Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate                                                 Figure 4: On-Resistance vs. Junction18Temperature

                                   Voltage (Note E)                                                                                                     (Note E)

             50                                                                                                  1.0E+01
                                                                      ID=5.7A
RDS(ON) (m)                                                                            IS (A)                    1.0E+00       125C
             40
                                                                                                                      40
                                                                         125C
             30                                                                                                  1.0E-01

                                                                                                                 1.0E-02                                 25C

                                                                                                                 1.0E-03

             20

                                                                                                                 1.0E-04

                                                                             25C

             10                                                                                                  1.0E-05

                    0        2            4             6                 8        10                                     0.0  0.2             0.4  0.6        0.8       1.0

                                                  VGS (Volts)                                                                                      VSD (Volts)
                       Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage                                                    Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)

                                                    (Note E)

Rev 3: Dec 2011                                                              www.aosmd.com                                                                            Page 3 of 5
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TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS

             5                                                                                                   1000

                      VDS=15V                                                                                     800
                      ID=5.7A                                                                                                                                 Ciss
             4

VGS (Volts)  3                                                                                 Capacitance (pF)             600

             2                                                                                                              400
                                                                                                                                                Coss
             1
                                                                                                                            200

             0                                                                                                              0       Crss

                          0            2                4             6            8                                             0        5           10  15           20       25    30
                                                     Qg (nC)                                                                                              VDS (Volts)

                                  Figure 7: Gate-Charge Characteristics                                                             Figure 8: Capacitance Characteristics

                          100.0                                                                                           1000
                                                                                                                           100
                                                                                                                                                                       TA=25C

ID (Amps)                 10.0         RDS(ON)                                     10s                          Power (W)
                           1.0         limited                                     100s
                                                                                   1ms

                                                                                   10ms                                     10

                          0.1          TJ(Max)=150C

                                       TA=25C                                       10s
                                                                      DC
                                                                                                                            1

                          0.0                                                                                               0.00001 0.001                 0.1               10      1000

                                 0.01           0.1           1          10               100

                                                        VDS (Volts)                                                                                          Pulse Width (s)
                                                                                                                                    Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
                                  Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
                                              Operating Area (Note F)                                                                                      Ambient (Note F)

ZJA Normalized Transient     10                                       In descending order
   Thermal Resistance                D=Ton/T                          D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
                                     TJ,PK=TA+PDM.ZJA.RJA

                              1 RJA=125C/W

                             0.1

                           0.01                         Single Pulse                                                                      PD
                          0.001                                                                                                                 Ton
                                                                                                                                                       T

                             0.00001            0.0001        0.001          0.01              0.1                                  1                 10               100      1000

                                                                                             Pulse Width (s)
                                                     Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)

Rev 3: Dec 2011                                                              www.aosmd.com                                                                                      Page 4 of 5
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                                        Gate Charge Test Circuit & Waveform

                  +                           +                  Vgs                  Qg
                                                                                      Qgd
                 VDC                                  Vds        10V
                                                                           Qgs
                   -                                   VDC

                                Vgs     DUT -
                           Ig

                                              R esistive Switching Test Circuit & W aveform s                   Charge
                                        RL
                                                                                                                     90%
                             Vds                            Vds                                                     10%

                        Vgs             DUT    +
              Rg
Vgs                                                 Vdd

                                             VDC

                                               -

                                                            Vgs       td(on) tr              td(off)        tf
                                                                             ton
                                                                                                      toff

                                             Diode Recovery Test Circuit & W aveform s

Vds +                                                                             Q rr = - Idt

                     DUT

                                                                 Vgs

Vds -                                L                           Isd              IF                  t rr
                Isd
                                                                                      dI/dt
          Vgs
    Ig                                          +                                          I RM
                                                    Vdd
                                             VDC                                                                Vdd

                                                  -              Vds

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