电子工程世界电子工程世界电子工程世界

型号

产品描述

搜索
 

AO3400

器件型号:AO3400
文件大小:110.54KB,共0页
厂商名称:AOSMD [Alpha & Omega Semiconductors]
厂商官网:http://www.aosmd.com/
下载文档

文档预览

AO3400器件文档内容

AO3400
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description                                    Features

The AO3400 uses advanced trench technology to          VDS (V) = 30V
provide excellent RDS(ON), low gate charge and         ID = 5.8 A (VGS = 10V)
operation with gate voltages as low as 2.5V. This      RDS(ON) < 28m (VGS = 10V)
device is suitable for use as a load switch or in PWM  RDS(ON) < 33m (VGS = 4.5V)
applications. Standard Product AO3400 is Pb-free       RDS(ON) < 52m (VGS = 2.5V)
(meets ROHS & Sony 259 specifications). AO3400L
is a Green Product ordering option. AO3400 and
AO3400L are electrically identical.

                 TO-236                                              D
                (SOT-23)
                Top View                               G
                                                                     S
           G
                               D

           S

Absolute Maximum Ratings TA=25C unless otherwise noted

Parameter                              Symbol                           Maximum          Units
                                                                             30            V
Drain-Source Voltage                   VDS                                  12            V
                                                                            5.8
Gate-Source Voltage                    VGS                                  4.9            A
                                                                             30
Continuous Drain TA=25C                                                    1.4            W
                                                                              1            C
Current A               TA=70C        ID
                                                                        -55 to 150       Units
Pulsed Drain Current B                 IDM                                               C/W
                                                                                         C/W
                              TA=25C  PD                                                C/W
Power Dissipation A TA=70C

Junction and Storage Temperature Range TJ, TSTG

Thermal Characteristics

Parameter                                              Symbol           Typ         Max

Maximum Junction-to-Ambient A             t  10s       RJA              65          90
Maximum Junction-to-Ambient A          Steady-State                     85          125

Maximum Junction-to-Lead C             Steady-State    RJL              43          60

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
AO3400

Electrical Characteristics (TJ=25C unless otherwise noted)

Symbol   Parameter                          Conditions                  Min             Typ Max Units

STATIC PARAMETERS                           ID=250A, VGS=0V                       30                                                    V
BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage        VDS=24V, VGS=0V        TJ=55C

IDSS     Zero Gate Voltage Drain Current                                           0.7       1
                                                                                   30                  A
                                                                  TJ=125C
                                                                                             5
                                                                                   10
IGSS     Gate-Body leakage current          VDS=0V, VGS=12V                                 100 nA
VGS(th)  Gate Threshold Voltage             VDS=VGS ID=250A
ID(ON)   On state drain current             VGS=4.5V, VDS=5V                            1.1 1.4                                          V
                                            VGS=10V, ID=5.8A
                                                                                                                                         A

                                                                                        22.8 28                                          m

RDS(ON)  Static Drain-Source On-Resistance                                              32   39

gFS                                         VGS=4.5V, ID=5A                             27.3 33 m
VSD
IS                                          VGS=2.5V, ID=4A                             43.3 52 m

         Forward Transconductance           VDS=5V, ID=5A                               15                                               S

         Diode Forward Voltage              IS=1A,VGS=0V                                0.71 1                                           V

         Maximum Body-Diode Continuous Current                                               2.5                                         A

DYNAMIC PARAMETERS

Ciss     Input Capacitance                                                              823 1030 pF

Coss     Output Capacitance                 VGS=0V, VDS=15V, f=1MHz                     99                                               pF
                                            VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz
Crss     Reverse Transfer Capacitance                                                   77                                               pF

Rg       Gate resistance                                                                1.2 3.6                                          

SWITCHING PARAMETERS

Qg       Total Gate Charge                                                              9.7 12 nC

Qgs      Gate Source Charge                 VGS=4.5V, VDS=15V, ID=5.8A                  1.6                                              nC

Qgd      Gate Drain Charge                                                              3.1                                              nC

tD(on)   Turn-On DelayTime                                                              3.3  5                                           ns

tr       Turn-On Rise Time                  VGS=10V, VDS=15V, RL=2.7,                   4.8  7                                           ns
tD(off)  Turn-Off DelayTime                 RGEN=3
                                                                                        26.3 40                                          ns

tf       Turn-Off Fall Time                                                             4.1  6                                           ns

trr      Body Diode Reverse Recovery Time IF=5A, dI/dt=100A/s                          16   20                                          ns

Qrr      Body Diode Reverse Recovery Charge IF=5A, dI/dt=100A/s                        8.9 12 nC

A: The value of RJA is measured with the device mounted on 1in2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with TA =25C.
The value in any given application depends on the user's specific board design. The current rating is based on the t 10s thermal
resistance rating.
B: Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.
C. The R JA is the sum of the thermal impedence from junction to lead RJL and lead to ambient.
D. The static characteristics in Figures 1 to 6,12,14 are obtained using 80s pulses, duty cycle 0.5% max.
E. These tests are performed with the device mounted on 1 in2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with TA=25C. The
SOA curve provides a single pulse rating.
Rev 4 : June 2005

THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
AO3400

TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS

        25                                                                                               20

                    10V           3V

        20                                                                                               16             VDS=5V

                            4.5V

        15                                                 2.5V                                          12

ID (A)                                                                         ID(A)

        10                                                                                               8

                                                                                                                                125C         25C

                                                           VGS=2V

             5                                                                                           4

             0                                                                                           0

                0        1            2                 3               4  5                                 0    0.5   1      1.5         2  2.5           3

                                      VDS (Volts)                                                                              VGS(Volts)

                         Fig 1: On-Region Characteristics                                                               Figure 2: Transfer Characteristics

             60                                                                                          1.8

             50                                                                Normalized On-Resistance  1.6

RDS(ON) (m)                                                                                                                    VGS=4.5V

             40                   VGS=2.5V                                                               1.4                                        VGS=10V

             30                             VGS=4.5V                                                     1.2                                  VGS=2.5V

             20                                                                                              1
                                                            VGS=10V

             10                5            10             15              20                            0.8      25 50 75 100 125 150 175
                 0                                                                                            0
                                                                                                                                Temperature (C)
                                                    ID (A)                                                        Figure 4: On-Resistance vs. Junction
                       Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
                                                                                                                                   Temperature
                                              Gate Voltage

                70                                                                                       1.0E+01

                60                                                                                       1.0E+00
                                                                 ID=5A
RDS(ON) (m)                                                                                              1.0E-01        125C
                50                                                                                       1.0E-02
                                                                               IS (A)
                                                    125C
                40

                30                                                                                       1.0E-03               25C
                                                  25C                                                   1.0E-04

                20                                                                                       1.0E-05

                10                                                                                       1.0E-06
                                                                                                                   0.0
                    0       2            4              6               8  10                                             0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2

                                               VGS (Volts)                                                                                VSD (Volts)
                    Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage                                                     Figure 6: Body-Diode Characteristics

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
AO3400

TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS

             5                                                                                                               1400
                                         VDS=15V
                                                                                                                             1200
                                         ID=5A
             4

VGS (Volts)  3                                                                                             Capacitance (pF)  1000
                                                                                                                                                                              Ciss

                                                                                                                              800

             2                                                                                                               600

                                                                                                                             400

             1                                                                                                                         Coss         Crss

                                                                                                                             200

             0                                                                                                                   0

                0                           2   4           6            8                  10        12                            0        5      10       15                     20  25        30

                                                                 Qg (nC)                                                                                  VDS (Volts)
                                            Figure 7: Gate-Charge Characteristics                                                      Figure 8: Capacitance Characteristics

             100.0                                                           TJ(Max)=150C                                   40
                                                                             TA=25C                                                                                              TJ(Max)=150C
                       RDS(ON)
              10.0 limited                                                  100s                                                                                                 TA=25C

                                                                                                                             30

ID (Amps)                                                                1ms                               Power (W)         20

                                                    0.1s 10ms                                                                10

                1.0
                                       1s

                                                10s
                                                                 DC

                0.1                                                                                                          0

                                       0.1         1                     10                           100                    0.001 0.01 0.1                  1   10 100 1000

                                                            VDS (Volts)                                                                                  Pulse Width (s)
                                                                                                                                 Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
                                            Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
                                                                                                                                                        Ambient (Note E)
                                                Operating Area (Note E)

                                       10                                     In descending order
                                                   D=Ton/T

             ZJA Normalized Transient           TJ,PK=TA+PDM.ZJA.RJA          D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
                 Thermal Resistance
                                                RJA=90C/W

                                       1

                                       0.1                                                                                                      PD

                                                                                                                                                    Ton
                                                                                                                                                          T

                                                                              Single Pulse
                                       0.01

                                       0.00001  0.0001         0.001                            0.01       0.1                         1                10       100                        1000

                                                                                                 Pulse Width (s)
                                                               Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
This datasheet has been downloaded from:
             www.EEworld.com.cn

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company

AO3400器件购买:

该厂商的其它器件

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved