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AO3162

器件型号:AO3162
厂商名称:AOS[Alpha & Omega Semiconductor]
厂商官网:http://www.aosmd.com/about
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器件描述

AO3162器件文档内容

                                                                                          AO3162

                                                                        600V,0.034A N-Channel MOSFET

General Description                                            Product Summary

The AO3162 is fabricated using an advanced high voltage        VDS                        700V@150
MOSFET process that is designed to deliver high levels         ID (at VGS=10V)            0.034A
of performance and robustness in popular AC-DC                 RDS(ON) (at VGS=10V)       < 500
applications.
By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with
guaranteed avalanche capability this device can be
adopted quickly into new and existing offline power supply
designs.

                      SOT23A                                                              D

            Top View       Bottom View                                                    S

                                  D                                                             Units
D                                                                                                 V
                                                                                                  V
                        S                 G                                          G            A

                G                      S                                                        V/ns
                                                                                                  W
Absolute Maximum Ratings TA=25C unless otherwise noted                                           C

Parameter                                            Symbol              Maximum                Units
                                                                             600                C/W
Drain-Source Voltage                                 VDS                     30                C/W
                                                                            0.034               C/W
Gate-Source Voltage                                  VGS                    0.028
                                                                             0.16
Continuous Drain TA=25C                             ID                        5
                                                                             1.39
CurrentA,F              TA=70C                      IDM                     0.89
                                                     dv/dt
Pulsed Drain Current B                                                   -50 to 150

Peak diode recovery dv/dt

                              TA=25C                PD
Power Dissipation A TA=70C

Junction and Storage Temperature Range               TJ, TSTG

Thermal Characteristics

Parameter                                            Symbol         Typ              Max
                                                                                      90
Maximum Junction-to-Ambient A          t  10s            RJA        70               125
Maximum Junction-to-Ambient A          Steady-State                 100               80

Maximum Junction-to-Lead C             Steady-State      RJL        63

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Electrical Characteristics (TJ=25C unless otherwise noted)

Symbol             Parameter                Conditions                        Min Typ Max Units

STATIC PARAMETERS

BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage        ID=250A, VGS=0V, TJ=25C         600  -     -
                                            ID=250A, VGS=0V, TJ=150C
                                                                              -    700   -                   V

BVDSS    Zero Gate Voltage Drain Current    ID=250A, VGS=0V                  -    0.69  - V/ oC
/TJ

IDSS     Zero Gate Voltage Drain Current    VDS=600V, VGS=0V                  -    -     1                   A
                                            VDS=480V, TJ=125C
                                                                              -    -     10

IGSS     Gate-Body leakage current          VDS=0V, VGS=30V                  -    - 100 n

VGS(th) Gate Threshold Voltage              VDS=5V, ID=8A                    2.8 3.2 4.1                    V

RDS(ON) Static Drain-Source On-Resistance   VGS=10V, ID=0.016A                -    154 500

gFS      Forward Transconductance           VDS=40V, ID=0.016A                - 0.045 -                      S

VSD      Diode Forward Voltage              IS=0.016A,VGS=0V                  - 0.74 1                       V

IS       Maximum Body-Diode Continuous Current                                -    - 0.034 A

ISM      Maximum Body-Diode Pulsed Current                                    -    - 0.16 A

DYNAMIC PARAMETERS

Ciss     Input Capacitance                                                    -    4.2   6                   pF

Coss     Output Capacitance                 VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz           - 0.45 0.6 pF
                                            VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz
Crss     Reverse Transfer Capacitance                                         - 0.05 0.07 pF

Rg       Gate resistance                                                      14   28    42                  

SWITCHING PARAMETERS

Qg       Total Gate Charge                                                    -    0.1 0.15 nC
Qgs
Qgd      Gate Source Charge                 VGS=10V, VDS=400V, ID=0.01A       - 0.03 0.05 nC
tD(on)                                                                        - 0.05 0.08 nC
tr       Gate Drain Charge
tD(off)
tf       Turn-On DelayTime                                                    -    13.8 20                   ns
trr
Qrr      Turn-On Rise Time                  VGS=10V, VDS=300V, ID=0.01A,      -    10    15                  ns
         Turn-Off DelayTime                 RG=6
                                                                              -    39.2 57                   ns

         Turn-Off Fall Time                                                   -    13    19                  ns

         Body Diode Reverse Recovery Time IF=0.016A,dI/dt=100A/s,VDS=300V    -    105 160 ns
         Body Diode Reverse Recovery Charge IF=0.016A,dI/dt=100A/s,VDS=300V
                                                                              -    9.5 14.3 nC

A: The value of R JA is measured with the device mounted on 1in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A =25C. The value in
any given application depends on the user's specific board design.

B: Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.

C. The R JA is the sum of the thermal impedence from junction to lead R JL and lead to ambient.
D. The static characteristics in Figures 1 to 6 are obtained using <300 s pulses, duty cycle 0.5% max.
E. These tests are performed with the device mounted on 1 in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A=25C. The SOA curve
provides a single pulse rating.
F. The current rating is based on the t  10s thermal resistance rating.

THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.

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TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS

             0.04                                                                                                       0.025      VDS=40V
            0.035                                                                                                        0.02
                                                                                   10V
             0.03
ID (A)      0.025                                                                  5V         ID(A)                     0.015
                                                                                                                         0.01
             0.02                                                                                                                                 25C
            0.015
                                                                             4.5V
             0.01
            0.005                                                                                                       0.005

                 0                                                           VGS=4V
                      0
                                                                                                                        0
            300
                                     2         4                       6     8          10                                     0       1    2         3        4       5  6

                                                     VDS (Volts)                                                                                    VGS(Volts)
                                     Fig 1: On-Region Characteristics                                                              Figure 2: Transfer Characteristics

                                                                                                                        2.5

RDS(ON) ()  250                                                                               Normalized On-Resistance    2
                                              VGS=10V                                                                                  VGS=10V
                                                                                                                                       ID=0.016A
            200
            150                                                                                                         1.5
            100
                                                                                                                          1
             50
                                                                                                                        0.5

            0                        0.01                        0.02        0.03       0.04                            0              -25        25       75     125     175
                0                                                                                                         -75

                                                                  ID (A)                                                                                       Temperature (C)
                                     Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and                                                     Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature

                                                             Gate Voltage

                                1.2                                                                   1.0E+00

                                                                             ID=30A

            BVDSS (Normalized)  1.1                                                                                     1.0E-0410         125C

                                1                                      125                   IS (A)                    1.0E-02

                                0.9                                                                                     1.0E-03                                   25C
                                                            25

                                0.8                                                                                     1.0E-04

                                     -100 -50  0                 50 100 150 200                                                   0.2       0.4       0.6         0.8     1.0

                                                                  TJ (oC)                                                                             VSD (Volts)
                                     Figure 5: Break Down vs. Junction Temperature                                                 Figure 6: Body-Diode Characteristics

Rev0: May 2012                                                                     www.aosmd.com                                                                          Page 3 of 5
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TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS

                          10                                                                                          100.00

                          8           VDS=400V
                                      ID=0.01A
                                                                                                                                        10.00                                  Ciss
                                                                                                                                                                                   Coss
VGS (Volts)               6                                                                                           Capacitance (pF)
                                                                                                                  1.00                                                         Crss

                          4

                                                                                                                  0.10
                          2

                          0                                                                                                             0.01

                               0.00           0.03          0.06       0.09  0.12                                                              0.1       1VDS (Volts)     10                         100

                                                    Qg (nC)                                                                                         Figure 8: Capacitance Characteristics

                                     Figure 7: Gate-Charge Characteristics

                          1                                                                                                             120

                                                                             100s                                                      100
                                                                               1ms
                          0.1                                                                                                                                  TJ(Max)=150C
                                                                             10ms
ID (Amps)                            RDS(ON)                                  0.1s                                    Power (W)         80                     TA=25C
                                     limited                                  1s
           0.01                                                               10s
                                                                                                                                        60
                                                                              1000
                                                                  DC                                                                    40

0.001                               TJ(Max)=150C                                                                                      20
0.0001                               TA=25C

                                                                                                                                        0

                               1              10                  100                                                                   0.0001 0.001        0.01          0.1      1                 10

                                                    VDS (Volts)                                                                                                         Pulse Width (s)
                                                                                                                                               Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
                                     Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
                                                Operating Area (Note E)                                                                                               Ambient (Note E)

ZJC Normalized Transient       10                                                                                                                   In descending order
   Thermal Resistance                 D=Ton/T                                                                                                       D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
                                      TJ,PK=TA+PDM.ZJA.RJA

                                1 RJA=125C/W

                          0.1

                           0.01                     Single Pulse                                                                                         PD
                          0.001
                                                                                                                                                               Ton
                                                                                                                                                                       T

                               1E-05                0.0001        0.001      0.01                                                                   0.1     1                  10                    100

                                                                                            Pulse Width (s)
                                                    Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note E)

Rev0: May 2012                                                               www.aosmd.com                                                                                                 Page 4 of 5
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                                       Gate Charge Test Circuit & Waveform

                 +                           +                      Vgs
                                                                                           Qg
                VDC                           VDC Vds
                                                                    10V
                  -                    DUT -
                                                                              Qgs Qgd
                               Vgs
                          Ig

                          Vds                Res istive Switching Test Circuit & Waveforms                                                    Charge
                                       RL
                     Vgs                                                                                                                         90%
            Rg                                                          Vds                                                                      10%
Vgs
                                                +

                                       DUT VDC Vdd

                                                 -

                                                          Vgs        t d(on) t r                           t d(off)         tf
                                                                           t on
                                                                                                                     t off

                         Vds           Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms                                                   BVDSS
                         Id         L                                                                                                                 IAR
                    Vgs
           Rg                                                                                                                              2

Vgs                                                                                    EAR= 1/2 LI AR

                                                                Vds

                                       Vgs              +

                                                       VDC Vdd

                                                       -        Id

                                       DUT
                                                                                 Vgs

Vds +                                Diode RecoveryTes t Circuit & Waveforms

                                                                                              Qrr = - Idt
                   DUT

                                                                          Vgs

Vds -                               L                           Isd                   IF  dI/dt                                 trr
              Isd

     Vgs                                +                                                                  IRM
Ig                                                                                                                                         Vdd
                                       VDC Vdd

                                            -                   Vds

Rev0: May 2012                                         www.aosmd.com                                                                                  Page 5 of 5
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