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AND8079

器件型号:AND8079
厂商名称:ON Semiconductor
厂商官网:http://www.onsemi.cn
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器件描述

A Low Cost DDR Memory Power Supply Using the NCP1571 Synchronous Buck Converter and a LM358 Based Linear Voltage Regulator

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AND8079器件文档内容

AND8079/D                                                                                  http://onsemi.com

A Low Cost DDR Memory                                                                APPLICATION NOTE
Power Supply Using the
NCP1571 Synchronous Buck
Converter and a LM358
Based Linear Voltage
Regulator

Prepared by: Jim Lepkowski
Senior Application Engineer

                       INTRODUCTION                                                  Vdd
  This application note describes a low cost power supply
circuit for a DDR (Double Data Rate) memory system. The                                     Vtt = Vdd/2
design is based on the NCP1570/NCP1571 low voltage
synchronous buck converter. The reference design created                                    RT
to evaluate the system uses a 3.80 by 2.15 two layer printed
circuit board, optimized for a small solution size at an                             RS     25
economical cost.
  DDR memories bring new challenges to the power supply                 Transmitter
by requiring an efficient main power of 2.5 V (Vdd) and a
second voltage (Vtt) that accurately tracks one half of Vdd                                 22                     Receiver
(i.e. 1.25 V) that is capable of both sourcing and sinking                                                   VREF
current. In addition, a third voltage is required (VREF) that
also tracks Vdd/2. A low voltage synchronous buck                       Figure 1. DDR Memory Simplified Schematic
converter is used to create an 8.0 A output at 2.5 V, while the
Vtt and VREF voltages are created using a unique operational              Vtt is equal to Vdd/2 instead of Vdd in order to save power.
amplifier linear regulator circuit. The demonstration circuit           The power dissipated in the resistors is equal to voltage
is designed for low power DDR systems such as desktop                   squared divided by the bus resistance, thus a termination
PCs, but the circuit's output power capability can be                   voltage of Vdd/2 provides a factor of four power savings.
increased with the selection of the external inductor and               The third voltage is used as a reference voltage to the
capacitors for high power systems such as PC workstations.              differential amplifier input section of the receiver ICs.

DDR Memory Power Supply Requirements                                      A summary of the specifications for the DDR memory
  Figure 1 shows a simplified schematic of the DDR                      system is listed below. The transient requirements are not
                                                                        defined in the industry JEDEC standards.
memory system. Voltage Vdd powers the memory ICs, in
addition to the buffer interface circuits. The termination                DDR     Output     Tolerance              Output Current
voltage Vtt is used for the pull-up resistors and must be able          Voltage   Voltage                                  8.0 A
to either sink or source current. For example, if all of the                                 "200 mV
driver circuits are at a logic high state (i.e. VOH = Vdd =               Vdd       2.5 V                                 "2.0 A
2.5 V), the Vtt supply will have to sink current in order to               Vtt      Vdd/2   Vdd/2 " 3%             (Sink and Source)
maintain its 1.25 V. In contrast, if all of the driver circuits are              (^1.25 V)  (1.250 V "
at a logic low state (i.e. VOL = Vss = 0 V), the Vtt supply will         VREF                                             5.0 mA
have to source current because the termination resistors will                       Vdd/2     37.5 mV)
be effectively connected to ground.
                                                                                            Vtt " 40 mV

Semiconductor Components Industries, LLC, 2002                     1                      Publication Order Number:
                                                                                                               AND8079/D
October, 2002 - Rev. 1
AND8079/D

  Many industry experts have predicted that DDR memory           The sink and source ability of the Vtt supply is provided
will soon become the standard for desktop computers, with      by MOSFETs Q4 and Q5 which are used to extend the
notebooks shortly behind. Next generation DDR-II               current capability of the operational amplifier circuit. When
generation systems are likely to have a lower Vdd voltage of   the Vtt supply is in the current sinking mode of operation, Q4
1.8 V with a Vtt and VREF voltage equal to 900 mV. This        is "OFF" and Q5 is "ON". The output of U2A will be at a
lower voltage will be required to satisfy the consumer's       negative voltage (i.e. 5.0 V) to control the Vgs of the
requirement for more memory without a large increase in        P-channel MOSFET (Q5) in order to maintain the Vtt
required power.                                                voltage of 1.25 V. In a similar manner, when the Vtt supply
                                                               is in the current sourcing mode of operation, Q4 is "ON" and
Supply Voltage (Vdd)                                           Q5 is "OFF". The output of U2A will reach a positive voltage
  The Vdd 2.5 V power supply is created with the NCP1571       (i.e. + 4.5 V) to control the Vgs of the N-channel MOSFET
                                                               (Q5) in order to maintain the Vtt voltage of 1.25 V. Resistor
low voltage synchronous buck controller. The NCP1571           R7 is used to isolate the output of U2B from Vtt and the bulk
controller contains the required circuitry for a synchronous   capacitor C20.
N-channel MOSFET buck regulator. The V2t control
method is used to achieve a fast 200 ns transient response       The slew rate of the operational amplifier and the ability
and an output regulation of 1.0%. The IC operates at a fixed  of the bulk capacitors to hold the voltage at 1.25 V under the
internal frequency of 200 kHz. In addition, the NCP1571        load conditions control the transient response of the Vtt
provides the following features: undervoltage lockout          control loop. Note that the bulk capacitors maintain the Vtt
protection, programmable soft start, power good signal with    voltage at approximately 1.25 V; therefore, the operational
delay and overvoltage protection. Note the NCP1570 and         amplifier is only required to slew its output a relatively small
NCP1571 are functionally and pin for pin equivalent. The       amount; therefore, the relatively slow slew rate of the
NCP1571's under voltage lockout operation (UVLO)               LM358 operational amplifiers is not a limiting factor in the
feature has been modified for applications that require a      design.
parallel standby power supply in addition to the main power
supplied by the buck converter.                                Standby Power Operation
                                                                 The demonstration PCB has the provision of providing a
Termination Supply Voltage (Vtt) and Reference
Voltage (VREF)                                                 low power standby mode of operation to the DDR memory
                                                               system. This mode could be used to provide a 2.5 V low
  The Vtt supply voltage is equal to one half of the Vdd       current standby voltage to the memory ICs when the main
voltage, or approximately 1.25 V. Operational amplifiers       5.0 V input power is not available. A MC33375 (U3)
U2A and U2B function as voltage followers to create the Vtt    300 mA low dropout voltage regulator (LDO) was chosen
voltage. The input to U2B is created by the resistive voltage  for the design to provide the 2.5 V standby power. The
divider formed by R5 and R6 and divides the 2.5 V Vdd          MC33375 has an ON/OFF enable pin and is available in a
supply by two to form the VREF reference voltage. Also, U2B    SOT-223 package. The performance of the standby
provides filtering to remove any of the high frequency         regulator was not verified.
switching noise that is results from the synchronous buck
converter. The Vtt output of the circuit formed by U2A and       Q1, a N-Channel MOSFET, serves as a diode to prevent
transistors Q4 and Q5 tracks the voltage at the non-inverting  current flow back to the main 5.0 volt input power supply
terminal by virtue of the voltage follower circuit             during the standby mode. The MOSFET was chosen instead
configuration. Thus, the output of voltage of the Vtt supply   of a Schottky diode in order to minimize the voltage drop
is referenced to 50% of the 2.5 V Vdd supply, rather than an   and power consumption of the diode.
absolute 1.25 V reference.

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             2
                  Q1                                                                                                                                                                    AND8079/DL1C2C3C4C5Q2
         MTB1306             1mH       1800mF  1800mF      0.1mF         1800mF                   MTB1306
                                                                                                                                                                                                                                               410V10V10VD2 PAK
            D2 PAK            C1                                         Prov.
    TP5                                                                                                                                              +1800mFL2
5 V_Input                                                                                                                                       +10V2.2mH

    TP6http://onsemi.com                                                             D1
GND_Input3
                                                                                     MBRM110LT                                                                                            TP1
    TP7                                                                                                                                                                                      2.5V
12 V_Input                                                                           PowerMite Prov.                R3
                                                                                                                                                                                       VDDQ (+2.5V, 8A)
    TP8                                                                          Q3                            To = 1.0% 20k         C7      C8      C9       C10 C11
V_Logic                                                                                                                              1800mF                   1800mF 1800mF
                                               NCP1571                                                         Tol = 1.0% R4         6.3V    1800mF 0.1mF     6.3V 6.3V
    TP9                                                                                                                      13k     Prov.
V_5P0_STBV            R1                  U1   SO-8                              MTB1306                                                     6.3V
                      10                                                          D2PAK
    TP10
-12 V_Input            C12        R2   1                              8                      C6                                                                                        Q4
                      0.1mF       47k      VCC              GND                            100pF                                                                                       NTD4302
                                                                                                                                                                                       D2 PAK
                              C13      2                              7
                             0.01mF        PWRGD              Vfb                                                                                                                                     VTT (+1.25V, 2A)

                                       3                              6
                                           PGDELAY     GATE(L)

                                       4                              5

                                           COMP        GATE(H)

                                       C14

                                       0.1mF                                                                                           C16

                                          MC33375ST-2.5T3                                                                         4                                                                                       TP2
                                                                                                                                                                                                                        1.25V_Vtt
                                                SOT-223                                                                                                    R7
                                           U3 Prov.                                                                      2        -  V- 0.1mF              1k
                                                                                                                                         1
                                       1 VIN        VOUT 3                                                               3        OUT                                              Q5
                                                                                                                  U2A                                             MTD20P03HDL          C20                 C21 C22 C23
                                                                                                               LM358
                                       2                   4                                                   Micro8                V+                                        DPAK    1800mF 1800mF 0.1mF 1800mF
                                                                                                                                     8
                             C24          ON OFF GND                                                                                                                                   6.3V                6.3V         6.3V
                             1mF                                                                                                      C17                                              Prov.               Prov.                         TP3

                                                                                                                                                                                                                        GND_Output

                                                                                                                                       0.1mF

                                                                                                                                             C18                                       VREF (+1.25V, 2mA)                TP4
                                                                                                                                                                                                                        1.25V_Ref
                                                                                                                  U2B                        0.15mF
                                                                                 Tol. = 1.0% R5                LM358
                                                                                                      10K                                      R8
                                                                                                                   6-                          200

                                                                                                                         OUT 7

                                                                                                               5

                                                                                 Tol. = 1.0% R6                                        R9                C19

                                                                                                  10K          C15                     100               2mF

                                                                                                               1mF

Note: The provisional components were not used in the verification of the reference design.
                                                                                   Figure 2. DDR Memory Reference Design
                                                           AND8079/D

Component Selection                                               Output Capacitors
                                                                    The output capacitors are selected to meet the desired
Input Inductor
  The input inductor (LIN) is used to isolate the input power     output ripple requirements. The key specifications for the
                                                                  capacitors are their ESR (Equivalent Series Resistance) and
supply from the switching portion of the buck regulator. LIN      ESL (Equivalent Series Inductance). In order to obtain a
also limits the inrush current into the bulk input capacitors     good transient response, a combination of low value/high
and limits the input current slew rate that results from the      frequency ceramic capacitors and bulk electrolytic
transient load. The inductor blocks the ripple current and        capacitors are placed as close to the load as possible.
transfers the transient current requirement to the bulk input
capacitor bank.                                                     The voltage change during the load current transient is:

  The design equations for LIN are listed below and for                                             ESL
connivance an inductance of 1.0 mH is chosen. The cut-off                                            Dt
frequency of the second order LC filter provides adequate             DVOUT + DIOUT                    )  ESR  )      tr
attenuation for the 200 kHz switching frequency of the                           ^ DIOUT                           COUT
NCP1571.
                                                                                                  ESR

LIN  +       DV      +    5  V  *   2.5  V      5 ms + 1.25 mH      Empirical data indicates that most of the output voltage
        (dIdt)Max               10  A                             change that results from the load current transients is
                                                                  determined by the capacitor ESR; therefore, the maximum
f * 3db +             1         +                   1             allowable ESR can be approximated from the following
              2p     LIN                                          equation.
                                             1 mH
                          CIN       2p                 5400 mF                          ^  DVOUT   +   75 mV  +       mW
                                                                                           DIOUT        10 A
        + 216 Hz                                                              ESR  max                           7.5

where:                                                              The number of capacitors is calculated by using the
                                                                  equation listed below.
LIN = input inductor
CIN = bulk input capacitor(s)                                     Number      of   capacitors  +  ESRCAP   +  19   mW  +   2.5
dI/dt = 10 A in 5.0 ms                                                                            ESR max     7.5  mW

Input Capacitors                                                    The ESR of the Rubycon 6.3 V 1800 mF capacitors is
  The input filter capacitors provide a charge reservoir that     specified at 19 mW; therefore, 3 capacitors are used in the
                                                                  design.
minimizes the supply voltage variations due to the pulsating
current through the MOSFETs. The input capacitors are             MOSFET Selection
chosen primarily to meet the ripple current rating of the           The output switch MOSFETs are chosen based on the gate
capacitors.
                                                                  charge/gate-source threshold voltage, gate capacitance, on
  The design equation is listed below.                            resistance, current rating and the thermal capacity of the
                                                                  package. In this DDR design, the MOSFETs were chosen for
            ICin(RMS) + D (1 * D) Iout2                           economical reasons and have a current and power rating that
                                                                  is much better than needed for this design. In addition, the
           + .5 (1 * .5) 102 + 5 A                                MOSFETs selected were verified by measuring the thermal
                                                                  characteristics of the devices on the PCB.
where:
D = duty cycle = VOUT/VIN = 2.5 V/5.0 V = 0.5                       The power dissipation design equation for selecting the
IOUT = maximum output current                                     MOSFETs is given below.

  The Rubycon 10 V 1800 mf capacitors have a ripple               P + IMAX2        RDS(ON)        D ) IMAX     VDS     Tr       FS
current rating of 2.55 A. Thus only 2 of the capacitors are                                                        2
needed to meet the ripple requirements; however, 3
capacitors were chosen to be conservative.

Output Inductance                                                             ) IMAX    VDS    Tf     FS
                                                                                            2
  The main criterion in selecting the output filter inductance
(LOUT) is to provide a satisfactory response to the load          where:
transients. The inductance affects the output voltage ripple
by limiting the rate at which the current can either increase                 Tr = rise time or turn-on time of MOSFET
or decrease. The design equation used for selecting LOUT is                   Tf = fall time or turn-off time of MOSFET
listed below. A 2.2 mH inductor was chosen for the design.                    FS = switching frequency

LOUT  +  (VIN     *  VOUT)      tr  +    (5  V  *  2.5 V)  10 ms
                      DI                            10 A

      + 2.5 mH

where:
          tr = output transient load time

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                                                                        4
                                               AND8079/D

Schottky Diode for Synchronous MOSFET                           Experimental Results
  The efficiency of the buck converter can be improved
                                                                  The experimental results of the demonstration PCB are
slightly by placing a Schottky diode (D1) in parallel with the  shown in Figures 4 through 20. Figure 3 shows the test setup
bottom MOSFET (Q3). The body diode of Q3 is used to             used to create the current load transients for the Vtt supply
conduct current during the non-overlap time when both the       voltage. The transient current load tests for the Vdd and Vtt
top (Q2) and bottom (Q3) MOSFETs are turned OFF. But            supply voltages were created using a Kikusui Electronic
because the non-overlap time is only approximately 50 ns        Load Controller. Unless noted, the standard test conditions
for the NCP1571's 200 kHz switching speed, the efficiency       are as listed below:
savings will be only approximately 1.0%. The
demonstration board included a provision for D1; however,            1. Ambient Temperature = 23_C
the performance of the circuit was not testing with this             2. Vdd Current Load (IVdd) = 8.0 A
diode.                                                               3. Vtt Current Load (IVtt) = 1.25 A source load
                                                                     4. VREF Current Load (IREF) = 2.5 mA
                                                                     5. 5.0 V Input Voltage = 5.00 V
                                                                     6. 12 V Input Voltage = 12.00 V
                                                                     7. -12 V Input Voltage = -12.00 V

      Vtt DDR Circuit                   2.5 V
                                         Vdd

                                               Q4                      - 2.0 A

                                                                       + DC Current Source

           -                R7                                             Vtt

           OUT                                                         + Pulsating Current Source
                                                                       -
VREF       +
                                                                                         Pulse Width = 100 ms
      U2A                                              +        +                        Period = 200 ms
                                                         C22      C23                    l1 = 0 A
                                                                                         l2 = 4.0 A
                                               Q5                                        Rise Time = 50 ms
                                                                                         Fall Time = 50 ms

                DC Current Source                                      DC Current Source

                     2.0 A  2 .0 A                                             2.0 A  2 .0 A
      Vtt Circuit                                               Vtt Circuit
                                Vtt                                                       Vtt
                            0A                                                        4A

              Pulsating Current Source                                 Pulsating Current Source

              2.0 A Current Sink Test                                  2.0 A Current Source Test

      Figure 3. Vtt Transient Load Test Setup for a 2.0 A Sink to 2.0 A Source Test

                                        http://onsemi.com
                                                     5
                                                                              AND8079/D

                        2.6                                                                          2.475
                                                                                                     2.470
OUTPUT VOLTAGE (V)      2.4                                                                          2.465          Vdd
                                Vdd                                                                  2.460
                                                                                                     2.455     1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0
                        2.2                                                                          2.450                          Vdd LOAD (A)
                                                                                                     2.445
                        2.0                                                      Vdd VOLTAGE (V)     2.440       Figure 5. Vdd Voltage vs. Vdd Load

                        1.8                                                                                 0

                        1.6

                        1.4
                               JVtt

                        1.2

                        1.0            YVref
                            0        1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0

                                           Vdd LOAD (A)

                                     Figure 4. Output Voltage vs. Vdd Load

VOLTAGE (V) Vtt & Vref1.234                      Vref                            VOLTAGE OUTPUT (V)  2.6
                      1.232             Vtt
                      1.230                                                                          2.4
                      1.228          1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0                                                   Vdd
                      1.226                               Vdd LOAD (A)
                      1.224                                                                          2.2
                      1.222             Figure 6. Vtt and Vref vs. Vdd Load
                      1.220                                                                          2.0
                      1.218
                      1.216                                                                          1.8
                      1.214
                                                                                                     1.6
                             0
                                                                                                     1.4
                                                                                                            JVtt

                                                                                                     1.2
                                                                                                               YVref

                                                                                                     1.0
                                                                                                       3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 7.0 7.5 8.0
                                                                                                                                  INPUT VOLTAGE (V)

                                                                                                              Figure 7. Output Voltage vs. Input Voltage

                        0.90                                                                         0.82
                                                                                                     0.81
                        0.85                                                                         0.80            EFFICIENCY
                                                                                                     0.79
EFFICIENCY (%)          0.80                  EFFICIENCY                         EFFICIENCY (%)      0.78
                                                                                                     0.77
                        0.75                                                                         0.76
                                                                                                     0.75
                        0.70                                                                         0.74

                        0.65                                                                               3

                        0.60

                              0      1  2  3  4  5               6         7  8                                4  5  6  7               8  9           10

                                           Vdd LOAD CURRENT (A)                                                      INPUT VOLTAGE (V)

                                        Figure 8. Efficiency vs. Vdd Load                                      Figure 9. Efficiency vs. Input Voltage

                                                                           http://onsemi.com
                                                                                        6
                                           AND8079/D

                                          Channel 1: L2 Inductor Voltage
                                          Channel 2: Bottom (Q3) Buck MOSFET Gate Drive
                                          Channel 3: Top (Q2) Buck MOSFET Gate Drive
        Figure 10. L2 Inductor Voltage, Top (Q2) and Bottom (Q3) Buck MOSFET Gate Drive

                                                        Channel 1: Vdd ripple voltage
                                                        Channel 2: Vtt ripple voltage
Figure 11. Steady-State Vdd and Vtt with IVdd = 0.1 A, IVtt = 1.25 A Sourcing and VREF = 2.45 mA

                                                      http://onsemi.com
                                                                           7
                                            AND8079/D

                                                      Channel 1: VREF ripple voltage
    Figure 12. Steady-State VREF with IVdd = 0.1 A, IVtt = 1.25 A Sourcing and VREF = 2.45 mA

                                                        Channel 1: Vdd ripple voltage
                                                        Channel 2: Vtt ripple voltage
Figure 13. Steady-State Vdd and Vtt with IVdd = 8.0 A, IVtt = 1.25 A Sourcing and VREF = 2.45 mA

                                                      http://onsemi.com
                                                                           8
                                            AND8079/D

                                                      Channel 1: VREF ripple voltage
    Figure 14. Steady-State VREF with IVdd = 8.0 A, IVtt = 1.25 A Sourcing and VREF = 2.45 mA

                                         Channel 1: Vdd ripple voltage
                                         Channel 2: Transient current load IVdd = 0 to 8.0 A
Figure 15. Vdd with a Transient Load IVdd = 0 to 8.0 A, IVtt = 1.25 A Sourcing and VREF = 2.45 mA

                                                       http://onsemi.com
                                                                            9
                                            AND8079/D

                                           Channel 1: Vtt ripple voltage
                                           Channel 2: Transient current load IVdd = 0 to 8.0 A
Figure 16. Vtt with a Transient Load IVdd = 0 to 8.0 A, IVtt = 1.25 A Sourcing and VREF = 2.45 mA

                                           Channel 1: VREF ripple voltage
                                           Channel 2: Transient current load IVdd = 0 to 8.0 A
Figure 17. VREF with a Transient Load IVdd = 0 to 8.0 A, IVtt = 1.25 A Sourcing and VREF = 2.45 mA

                                                        http://onsemi.com
                                                                            10
                                        AND8079/D

                              Channel 1: Vdd ripple voltage
                              Channel 2: Transient current load IVtt = 0 to 4.0 A sourcing
                              (i.e. 2.0 A sinking to +2.0 A sourcing transient current load)
Figure 18. Vdd with a Transient Load IVtt = -2.0 to +2.0 A, IVdd = 8.0 A and VREF = 2.45 mA

                              Channel 1: Vtt ripple voltage
                              Channel 2: Transient current load IVtt = 0 to 4.0 A sourcing
                              (i.e. 2.0 A sinking to +2.0 A sourcing transient current load)
Figure 19. Vtt with a Transient Load IVtt = -2.0 to +2.0 A, IVdd = 8.0 A and VREF = 2.45 mA

                                                  http://onsemi.com
                                                                     11
AND8079/D

Channel 1: 5.0 V Input Voltage
Channel 2: Transient current load of IVdd = 0 to 8.0 A

Figure 20. Switching Noise Reflected to the 5.0 V Input Power Supply with a Transient Load IVdd = 0 to 8.0 A,
IVtt = 0 to 4.0 A Sourcing (i.e. 2.0 A Sinking to +2.0 A Sourcing Transient Current Load) and VREF = 2.45 mA

  Table 1: Component temperature measured in still air at an  Table 1.         Component         Temperature (5C)
ambient temperature of 23_C. The load conditions were:          Circuit      FET Diode (Q1)               41.6
                                                                   Vdd         Top FET (Q2)               54.2
     1. Vdd Transient current load IVdd = 0 to 8.0 A               Vdd      Bottom FET (Q3)               56.4
     2. Vtt Transient current load IVtt = 0 to 4.0 A               Vdd      Input Inductor (L1)           42.1
                                                                   Vdd    Output Inductor (L2)            57.9
         sourcing (i.e. 2.0 A sinking to +2.0 A sourcing          Vdd    Input Capacitor (C2)            33.0
                                                                   Vdd   Output Capacitor (C10)           31.2
         transient current load)                                   Vdd        NCP1571 (U1)                55.0
                                                                   Vdd                                    46.2
     3. Steady state VREF current load IREF = 2.5 mA               Vtt          LM358 (U2)                42.1
                                                                   Vtt         Top FET (Q4)               49.3
                                                                   Vtt      Bottom FET (Q5)

http://onsemi.com
             12
            AND8079/D

DEMONSTRATION DESIGN PCB

   Figure 21. Component Layout

Figure 22. TopSide of PCB (layer 1)
            http://onsemi.com
                           13
              AND8079/D

Figure 23. Bottom Side of PCB (layer 2)

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                              14
            AND8079/D

               3.80

2.15

                                                         0
                                                         0.125

                                           0
                                            0.125

            Figure 24. Drill Plot

      Size  Qty.                   Symbol
       62
       38   5
       62
       18   22
      125
            2

            41
            5

            http://onsemi.com
                         15
                                                AND8079/D

Table 2. Demonstration Board Bill of Materials

Item Quantity Reference  Part                   Part No.        Package                            Mfg.        Comments
                                                             see data sheet                      Rubycon    C5 is provisional
1   4  C1, C2, C3,       1800 mF, 10 V          MBZ Series
                                                             see data sheet                      Rubycon    C7, C20 and C21
       C5                                                                                                   are provisional
                                                               SMT 1206                               -
2   7  C7, C8, C10, 1800 mF, 6.3 V              MBZ Series                                                            -
                                                               SMT O805                               -
       C11, C20,                                               SMT 1206                               -               -
                                                               SMT O805                               -               -
       C21, C23                                                SMT O805                               -               -
                                                               SMT O805                               -               -
3   7  C4, C9, C12,      0.1 mF                 -            see data sheet                      Coilcraft            -
                                                             see data sheet                      Coilcraft            -
       C14, C16,                                                                                    ON                -
                                                                  D2PAK                      Semiconductor            -
       C17, C22                                                                                     ON
                                                               DPAK Bent                     Semiconductor            -
4   1  C6                100 pF                 -                  Lead                             ON
                                                                                             Semiconductor            -
5   1  C18               0.15 mF                -              DPAK Bent                              -
                                                                   Lead                               -               -
6   1  C13               0.01 mF                -                                                     -               -
                                                               SMT O805                               -               -
7   1  C15               1.0 mF                 -              SMT O805                               -               -
                                                               SMT O805                               -               -
8   1  C19               2.0 mF                 -              SMT O805                               -               -
                                                               SMT O805                               -               -
9   1  L1                1.0 mH         DO3316P-102HC          SMT O805                             ON                -
                                                               SMT O805                      Semiconductor            -
10  1  L2                2.2 mH         DO5022P-222HC          SMT O805                             ON
                                                                                             Semiconductor            -
11  3  Q1, Q2, Q3        N-Channel              MTB1306            SO-8                             ON
                                                                                             Semiconductor  U3 is provisional
                         Mosfet                                  Micro-8                            ON
                                                                                             Semiconductor  D1 is provisional
12  1  Q4                N-Channel              NTD4302
                            Mosfet

13  1  Q5                P-Channel              MTD20P03HDL
                           Mosfet

14  1  R1                10 ohm                 -

15  1  R2                47 Kohm                -

16  1  R3                20 Kohm                -

17  1  R4                13 Kohm                -

18  2  R5, R6            10 Kohm                -

19  1  R7                1.0 Kohm               -

20  1  R8                200 ohm                -

21  1  R9                100 ohm                -

22  1  U1                Sync. Buck             NCP1571
                          Controller

23  1  U2                Op-Amp                 LM358DMR2

24  1  U3                   LDO         MC33375ST-2.5T3            SOT-223
                         Regulator

25  1  D1                Schottky               MBRM110LT          PowerMite
                          Diode

NOTE: The provisional components were not used in the verification of the reference design.

Acknowledgement
  The author would like to acknowledge Tod Schiff's

assistance in designing the linear Vdd circuit.

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