电子工程世界电子工程世界电子工程世界

产品描述

搜索

ALD114813SCL

器件型号:ALD114813SCL
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:Advanced Linear Devices
标准:
下载文档

器件描述

MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch

参数
产品属性属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商:
Manufacturer:
Advanced Linear Devices
产品种类:
Product Category:
MOSFET
Shipping Restrictions:This product may require additional documentation to export from the United States.
RoHS:YES
技术:
Technology:
Si
安装风格:
Mounting Style:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
Package / Case:
SOIC-16
Number of Channels:4 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:10 V
Id - Continuous Drain Current:12 mA
Rds On - Drain-Source Resistance:500 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage:10.6 V
最小工作温度:
Minimum Operating Temperature:
0 C
最大工作温度:
Maximum Operating Temperature:
+ 70 C
Configuration:Quad
Pd-功率耗散:
Pd - Power Dissipation:
500 mW (1/2 W)
Channel Mode:Depletion
封装:
Packaging:
Tube
产品:
Product:
MOSFET Small Signal
系列:
Series:
ALD114813S
Transistor Type:4 N-Channel
类型:
Type:
MOSFET
商标:
Brand:
Advanced Linear Devices
Forward Transconductance - Min:0.0014 S
产品类型:
Product Type:
MOSFET
工厂包装数量:
Factory Pack Quantity:
50
子类别:
Subcategory:
MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time:10 ns
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
单位重量:
Unit Weight:
0.023492 oz

ALD114813SCL器件文档内容

           ADVANCED                                                                                                                                           e TM

           LINEAR                                                                                                                                                 EPAD ®        D

                                                                                                                                                                   ENAB   L  E

           DEVICES, INC.                                                                                                       ALD114813/ALD114913

                                    QUAD/DUAL N-CHANNEL DEPLETION MODE EPAD®

                                       PRECISION MATCHED PAIR MOSFET ARRAY                                                               VGS(th)= -1.30V

GENERAL DESCRIPTION                                                                                      APPLICATIONS

ALD114813/ALD114913 are high precision monolithic quad/dual depletion mode                               • Functional replacement of Form B (NC) relays

N-Channel MOSFETS matched at the factory using ALD’s proven EPAD CMOS                                    • Ultra low power (nanowatt) analog and digital

technology. These devices are intended for low voltage, small signal applica-                            circuits

tions. They are excellent functional replacements for normally-closed relay appli-                       • Ultra low operating voltage (<0.2V) analog and

cations, as they are normally on (conducting) without any power applied, but                             digital circuits

could be turned off or modulated when system power supply is turned on. These                            • Sub-threshold biased and operated circuits

MOSFETS have the unique characteristics of, when the gate is grounded, oper-                             • Zero power fail safe circuits in alarm systems

ating in the resistance mode for low drain voltage levels and in the current source                      • Backup battery circuits

mode for higher voltage levels and providing a constant drain current.                                   • Power failure and fail safe detector

                                                                                                         • Source followers and high impedance buffers

These MOSFETS are designed for exceptional device electrical characteristics                             • Precision current mirrors and current sources

matching.  As these devices are on the same monolithic chip, they also exhibit                           • Capacitives probes and sensor interfaces

excellent temperature tracking characteristics. They are versatile as design com-                        • Charge detectors and charge integrators

ponents for a broad range of analog applications, and they are basic building                            • Differential amplifier input stage

blocks for current sources, differential amplifier input stages, transmission gates,                     • High side switches

and multiplexer applications. Besides matched pair electrical characteristics, each                      • Peak detectors and level shifters

individual MOSFET also exhibits well controlled parameters, enabling the user to                         • Sample and Hold

depend on tight design limits. Even units from different batches and different date                      • Current multipliers

of manufacture have correspondingly well matched characteristics.                                        • Discrete analog switches and multiplexers

                                                                                                         • Discrete voltage comparators

These depletion mode devices are built for minimum offset voltage and differen-

tial thermal response, and they are designed for switching and amplifying appli-

cations in single 1.5V to +/-5V systems where low input bias current, low input

capacitance and fast switching speed are desired.      These devices exhibit well                        PIN  CONFIGURATIONS

controlled turn-off and sub-threshold charactersitics and therefore can be used in

designs that depend on sub-threshold characteristics.                                                                           ALD114813

The ALD114813/ALD114913 are suitable for use in precision applications which                                               V-                         V-

require very high current gain, beta, such as current mirrors and current sources.                            IC*  1                                      16  IC*

A sample calculation of the DC current gain at a drain current of 3mA and input                               GN1  2                                      15  GN2

leakage current of 30pA at 25°C is 3mA/30pA = 100,000,000. For most applica-                                                       M  1  M2

tions, connect the V+ pin to the most positive voltage and the V- and IC pins to                              DN1  3                                      14  DN2

the most negative voltage in the system. All other pins must have voltages within                             S12                                 V+      13  V+

these voltage limits at all times.                                                                                 4

FEATURES                                                                                                      V-   5           V-                         12  S34

                                                                                                              DN4  6               M  4  M3               11  DN3

• Depletion mode (normally ON)                                                                                GN4  7                                      10  GN3

• Precision Gate Threshold Voltages: -1.30V +/- 0.04V

• Nominal RDS(ON) @ VGS = 0.0V of 1.3KΩ                                                                       IC*  8       V-                         V-  9   IC*

• Matched MOSFET-to-MOSFET characteristics

• Tight lot-to-lot parametric control                                                                                      SCL, PCL PACKAGES

• Low input capacitance

• VGS(th) match (VOS) — 20mV                                                                                                    ALD114913
• High input impedance — 1012Ω typical

• Positive, zero, and negative VGS(th) temperature coefficient                                                             V-                         V-
• DC current gain >108
                                                                                                              IC*  1                                      8   IC*

• Low input and output leakage currents                                                                       GN1  2                                      7   GN2

ORDERING INFORMATION (“L” suffix denotes lead-free (RoHS))                                                    DN1  3               M1    M2               6   DN2

              Operating Temperature Range*                                                                    S12  4                              V-      5   V-

           0°C to +70°C                         0°C to +70°C

16-Pin        16-Pin                     8-Pin         8-Pin                                                               SAL, PAL PACKAGES

SOIC          Plastic Dip                SOIC          Plastic Dip

Package       Package                    Package       Package                                                     *IC pins are internally connected,

                                                                                                                                   connect to V-

ALD114813SCL  ALD114813PCL             ALD114913SAL    ALD114913PAL

* Contact factory for industrial temp. range or user-specified threshold voltage values

©2016 Advanced Linear Devices, Inc., Vers. 2.3                                           www.aldinc.com                                                       1 of 12
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Drain-Source voltage, VDS                                                                            10.6V

Gate-Source voltage, VGS                                                                             10.6V

Power dissipation                                                                                    500 mW

Operating temperature range SCL, PCL, SAL, PAL                                                       0°C to +70°C

Storage temperature range                                                                        -65°C to +150°C

Lead temperature, 10 seconds                                                                         +260°C

CAUTION: ESD Sensitive Device. Use static control procedures in ESD controlled environment.

OPERATING ELECTRICAL CHARACTERISTICS

V+ = +5V    V- = -5V     TA = 25°C unless otherwise specified

                                                          ALD114813/ALD114913

Parameter                       Symbol             Min         Typ             Max           Unit    Test Conditions

Gate Threshold Voltage          VGS(th)            -1.34       -1.30           -1.26         V       IDS = 1µA, VDS = 0.1V

Offset Voltage                  VOS                            7               20            mV      IDS = 1µA

VGS(th)1-VGS(th)2

Offset VoltageTempco            TCVOS                          5                             µV/ °C  VDS1 = VDS2

Gate Threshold Voltage          TCVGS(th)                      -1.7                          mV/ °C  IDS = 1µA, VDS = 0.1V

Tempco                                                         0.0                                   IDS = 20µA, VDS = 0.1V

                                                               +1.6                                  IDS = 40µA, VDS = 0.1V

Drain Source On Current         IDS(ON)                        12.0                          mA      VGS = +8.2V, VDS = +5V

                                                               3.0                                   VGS = +2.7V, VDS = +5V

Forward Transconductance        GFS                            1.4                           mmho    VGS = +2.7V

                                                                                                     VDS = +7.7V

Transconductance Mismatch       ∆GFS                           1.8                           %

Output Conductance              GOS                            68                            µmho    VGS = +2.7V

                                                                                                     VDS = +7.7V

Drain Source On Resistance      RDS(ON)                        500                           Ω       VGS = +2.7V

                                                                                                     VDS = +0.1V

Drain Source On Resistance      RDS(ON)                        1.3                           KΩ      VGS = +0.0V

                                                                                                     VDS = +0.1V

Drain Source On Resistance      ∆RDS(ON)                       7                             %

Tolerance

Drain Source On Resistance      ∆RDS(ON)                       0.5                           %

Mismatch

Drain Source Breakdown          BVDSX              10                                        V       V- = VGS = -2.3V

Voltage                                                                                              IDS = 1.0µA

Drain Source Leakage Current1   IDS(OFF)                       10              400           pA      VGS = -2.3V, VDS =+5V

                                                                               4             nA      TA = 125°C

Gate Leakage Current1           IGSS                           3               200           pA      VGS = +5V, VDS = 0V

                                                                               1             nA      TA =125°C

Input Capacitance               CISS                           2.5                           pF

Transfer Reverse Capacitance    CRSS                           0.1                           pF

Turn-on Delay Time              ton                            10                            ns      V+ = 5V,      RL= 5KΩ

Turn-off Delay Time             toff                           10                            ns      V+ = 5V,      RL= 5KΩ

Crosstalk                                                      60                            dB      f = 100KHz

Notes:   1  Consists of junction leakage currents

ALD114813/ALD114913, Vers. 2.3                     Advanced Linear Devices                                                  2  of  12
                                       PERFORMANCE CHARACTERISTICS OF EPAD®

                                       PRECISION MATCHED PAIR MOSFET FAMILY

ALD1108xx/ALD1109xx/ALD1148xx/ALD1149xx are monolithic                     signal voltages are applied to the gate terminal, the designer/user

quad/dual N-Channel MOSFETs matched at the factory using ALD’s             can depend on the EPAD MOSFET device to be controlled, modu-
proven EPAD® CMOS technology. These devices are intended for
                                                                           lated and turned off precisely. The device can be modulated and

low voltage, small signal applications.                                    turned-off under the control of the gate voltage in the same manner

                                                                           as the enhancement mode EPAD MOSFET and the same device

ALD’s Electrically Programmable Analog Device (EPAD) technol-              equations apply.

ogy provides a family of matched transistors with a range of preci-

sion threshold values. All members of this family are designed and         EPAD MOSFETs are ideal for minimum offset voltage and differen-

actively programmed for exceptional matching of device electrical          tial thermal response, and they are used for switching and amplify-

characteristics.  Threshold values range from -3.50V Depletion to          ing applications in low voltage (1V to 10V or +/-0.5V to +/-5V) or

+3.50V Enhancement devices, including standard products speci-             ultra low voltage (less than 1V or +/-0.5V) systems. They feature

fied at -3.50V, -1.30V, -0.40V, +0.00V, +0.20V, +0.40V, +0.80V,            low input bias current (less than 30pA max.), ultra low power

+1.40V, and +3.30V.  ALD can also provide any customer desired             (microWatt) or Nanopower (power measured in nanoWatt) opera-

value between -3.50V and +3.50V. For all these devices, even the           tion, low input capacitance and fast switching speed. These de-

depletion and zero threshold transistors, ALD EPAD technology              vices can be used where a combination of these characteristics

enables the same well controlled turn-off, subthreshold, and low           are desired.

leakage characteristics as standard enhancement mode MOSFETs.

With the design and active programming, even units from different

batches and different dates of manufacture have well matched char-         KEY APPLICATION ENVIRONMENT

acteristics. As these devices are on the same monolithic chip, they

also exhibit excellent tempco tracking.                                    EPAD MOSFET Array products are for circuit applications in one or

                                                                           more of the following operating environments:

This EPAD MOSFET Array product family (EPAD MOSFET) is avail-              * Low voltage: 1V to 10V or +/-0.5V to +/-5V

able in the three separate categories, each providing a distinctly         * Ultra low voltage: less than 1V or +/-0.5V

different set of electrical specifications and characteristics. The first  * Low power: voltage x current = power measured in microwatt

category is the ALD110800/ALD110900 Zero-Threshold™ mode                   * Nanopower: voltage x current = power measured in nanowatt

EPAD   MOSFETs.      The  second       category  is  the  ALD1108xx/       * Precision matching and tracking of two or more MOSFETs

ALD1109xx enhancement mode EPAD MOSFETs. The third cat-

egory  is  the    ALD1148xx/ALD1149xx    depletion        mode  EPAD

MOSFETs. (The suffix “xx” denotes threshold voltage in 0.1V steps,         ELECTRICAL CHARACTERISTICS

for example, xx = 08 denotes 0.80V).

                                                                           The turn-on and turn-off electrical characteristics of the EPAD

The ALD110800/ALD110900 (quad/dual) are EPAD MOSFETs in                    MOSFET products are shown in the Drain-Source On Current vs

which the individual threshold voltage of each MOSFET is fixed at          Drain-Source On Voltage and Drain-Source On Current vs Gate-

zero. The threshold voltage is defined as IDS = 1µA @ VDS = 0.1V           Source Voltage graphs. Each graph shows the Drain-Source On

when the gate voltage VGS = 0.00V.       Zero threshold devices oper-      Current versus Drain-Source On Voltage characteristics as a func-

ate in the enhancement region when operated above threshold volt-          tion of Gate-Source voltage in a different operating region under

age and current level (VGS > 0.00V and IDS > 1µA) and subthresh-           different bias conditions. As the threshold voltage is tightly speci-

old region when operated at or below threshold voltage and cur-            fied, the Drain-Source On Current at a given gate input voltage is

rent level (VGS <= 0.00V and IDS < 1µA). This device, along with           better controlled and more predictable when compared to many

other very low threshold voltage members of the product family,            other types of MOSFETs.

constitute a class of EPAD MOSFETs that enable ultra low supply

voltage operation and nanopower type of circuit designs, applicable        EPAD MOSFETs behave similarly to a standard MOSFET, there-

in either analog or digital circuits.                                      fore classic equations for a n-channel MOSFET applies to EPAD

                                                                           MOSFET as well. The Drain current in the linear region (VDS <

The ALD1108xx/ALD1109xx (quad/dual) product family features                VGS - VGS(th)) is given by:

precision matched enhancement mode EPAD MOSFET devices,

which require a positive bias voltage to turn on. Precision threshold      IDS = u . COX . W/L . [VGS - VGS(th) - VDS/2] . VDS

values such as +1.40V, +0.80V, +0.20V are offered. No conductive

channel exists between the source and drain at zero applied gate           where:            u = Mobility

voltage for these devices, except that the +0.20V version has a                          COX = Capacitance / unit area of Gate electrode

subthreshold current at about 20nA.                                                      VGS = Gate to Source voltage

                                                                                   VGS(th) = Turn-on threshold voltage

The ALD1148xx/ALD1149xx (quad/dual) features depletion mode                              VDS = Drain to Source voltage

EPAD MOSFETs, which are normally-on devices when the gate                                    W = Channel width

bias voltage is at zero volts. The depletion mode threshold voltage                          L = Channel length

is at a negative voltage level at which the EPAD MOSFET turns off.

Without a supply voltage and/or with VGS = 0.0V the EPAD MOSFET            In this region of operation the IDS value is proportional to VDS value

device is already turned on and exhibits a defined and controlled          and the device can be used as a gate-voltage controlled resistor.

on-resistance between the source and drain terminals.

                                                                           For higher values of VDS where VDS >= VGS - VGS(th), the satura-

The ALD1148xx/ALD1149xx depletion mode EPAD MOSFETs are                    tion current IDS is now given by (approx.):

different from most other types of depletion mode MOSFETs and

certain types of JFETs in that they do not exhibit high gate leakage               IDS = u . COX . W/L . [VGS - VGS(th)]2

currents and channel/junction leakage currents.      When negative

ALD114813/ALD114913, Vers. 2.3                            Advanced Linear Devices                                               3  of         12
                                    PERFORMANCE CHARACTERISTICS OF EPAD®

PRECISION MATCHED PAIR MOSFET FAMILY (cont.)

SUB-THRESHOLD REGION OF OPERATION                                       ZERO TEMPERATURE COEFFICIENT (ZTC) OPERATION

Low voltage systems, namely those operating at 5V, 3.3V or less,        For an EPAD MOSFET in this product family, there exist operating

typically require MOSFETs that have threshold voltage of 1V or          points where the various factors that cause the current to increase

less. The threshold, or turn-on, voltage of the MOSFET is a voltage     as a function of temperature balance out those that cause the cur-

below which the MOSFET conduction channel rapidly turns off. For        rent to decrease, thereby canceling each other, and resulting in net

analog designs, this threshold voltage directly affects the operating   temperature coefficient of near zero. One of these temperature

signal voltage range and the operating bias current levels.             stable operating points is obtained by a ZTC voltage bias condi-

                                                                        tion, which is 0.55V above a threshold voltage when VGS = VDS,

At or below threshold voltage, an EPAD MOSFET exhibits a turn-          resulting in a temperature stable current level of about 68µA. For

off characteristic in an operating region called the subthreshold re-   other ZTC operating points, see ZTC characteristics.

gion. This is when the EPAD MOSFET conduction channel rapidly

turns off as a function of decreasing applied gate voltage. The con-

duction channel induced by the gate voltage on the gate electrode       PERFORMANCE CHARACTERISTICS

decreases exponentially and causes the drain current to decrease

exponentially. However, the conduction channel does not shut off        Performance characteristics of the EPAD MOSFET product family

abruptly with decreasing gate voltage.  Rather, it decreases at a       are shown in the following graphs. In general, the threshold voltage

fixed rate of approximately 116mV per decade of drain current de-       shift for each member of the product family causes other affected

crease. Thus, if the threshold voltage is +0.20V, for example, the      electrical characteristics to shift with an equivalent linear shift in

drain current is 1µA at VGS = +0.20V.   At VGS = +0.09V, the drain      VGS(th) bias voltage. This linear shift in VGS causes the subthresh-

current would decrease to 0.1µA. Extrapolating from this, the drain     old I-V curves to shift linearly as well. Accordingly, the subthreshold

current is 0.01µA (10nA) at VGS = -0.03V, 1nA at VGS = -0.14V,          operating current can be determined by calculating the gate volt-

and so forth. This subthreshold characteristic extends all the way      age drop relative to its threshold voltage, VGS(th).

down to current levels below 1nA and is limited by other currents

such as junction leakage currents.

                                                                        RDS(ON) AT VGS = GROUND

At a drain current to be declared “zero current” by the user, the

VGS voltage at that zero current can now be estimated. Note that        Several of the EPAD MOSFETs produce a fixed resistance when

using the above example, with VGS(th) = +0.20V, the drain current       their gate is grounded. For ALD110800, the drain current is 1µA at

still hovers around 20nA when the gate is at zero volts, or ground.     VDS = 0.1V and VGS = 0.0V.  Thus, just by grounding the gate of

                                                                        the ALD110800, a resistor with RDS(ON) = ~100KΩ is produced.

                                                                        When an ALD114804 gate is grounded, the drain current IDS =

LOW POWER AND NANOPOWER                                                 18.5µA @ VDS = 0.1V, producing RDS(ON) = 5.4KΩ.       Similarly,

                                                                        ALD114813 and ALD114835 produce drain currents of 77µA and

When supply voltages decrease, the power consumption of a given         185µA, respectively, at VGS = 0.0V, and RDS(ON) values of 1.3KΩ

load resistor decreases as the square of the supply voltage. So         and 540Ω, respectively.

one of the benefits in reducing supply voltage is to reduce power

consumption. While decreasing power supply voltages and power

consumption go hand-in-hand with decreasing useful AC bandwidth         MATCHING CHARACTERISTICS

and at the same time increases noise effects in the circuit, a circuit

designer can make the necessary tradeoffs and adjustments in any        A key benefit of using a matched pair EPAD MOSFET is to main-

given circuit design and bias the circuit accordingly.                  tain temperature tracking. In general, for EPAD MOSFET matched

                                                                        pair devices, one device of the matched pair has gate leakage cur-

With EPAD MOSFETs, a circuit that performs a specific function          rents, junction temperature effects, and drain current temperature

can be designed so that power consumption can be minimized. In          coefficient as a function of bias voltage that cancel out similar ef-

some cases, these circuits operate in low power mode where the          fects of the other device, resulting in a temperature stable circuit.

power consumed is measure in micro-watts. In other cases, power         As mentioned earlier, this temperature stability can be further en-

dissipation can be reduced to the nano-watt region and still provide    hanced by biasing the matched-pairs at Zero Tempco (ZTC) point,

a useful and controlled circuit function operation.                     even though that could require special circuit configuration and

                                                                        power consumption design consideration.

ALD114813/ALD114913, Vers. 2.3                          Advanced Linear Devices                                               4  of  12
                                                                             TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS

                                                            OUTPUT CHARACTERISTICS                                                                                                                                                                DRAIN-SOURCE ON RESISTANCE

                                                                                                                                                                                                                                                  vs. DRAIN-SOURCE ON CURRENT

                               5                                                                                                                                                                 DRAIN-SOURCE ON RESISTANCE          2500

DRAIN-SOURCE ON CURRENT                    TA  =            +25°C                                                           VGS -               VGS(th)             =  +5V                                                                       TA = +25°C

                               4                                                                                                                                                                                                     2000

                                                                                                                            VGS -               VGS(th)             =  +4V

                         (mA)  3                                                                                                                                                                                                     1500

                                                                                                                            VGS -               VGS(th)             =  +3V                                                   (Ω)                                    VGS = VGS(th) + 4V

                               2                                                                                                                                                                                                     1000

                                                                                                                            VGS -               VGS(th)             =  +2V

                               1                                                                                                                                                                                                     500

                                                                                                                            VGS -               VGS(th)             =  +1V                                                                                                      VGS = VGS(th) + 6V

                               0                                                                                                                                                                                                     0

                                       0                        2         4                                 6                                   8                                    10                                                     10                 100              1000                   10000

                                                            DRAIN-SOURCE                   ON  VOLTAGE                                          (V)                                                                                               DRAIN-SOURCE ON CURRENT (µA)

                               FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS                                                                                                                                                                                   TRANSCONDUCTANCE                           vs.

                                                                                                                                                                                                                                                       AMBIENT TEMPERATURE

DRAIN-SOURCE ON CURRENT        20                                                                                                                                                                                                    2.5

                                               TA = +25°C                                                      VGS(th) = -3.5V

                                               VDS = +10V                                                                                                                                        TRANSCONDUCTANCE                    2.0

                               15                                                          VGS(th) = -1.3V

                         (mA)                                             VGS(th) = -0.4V                                                                                                                                    (mA/V)  1.5

                               10

                                                                   VGS(th) = 0.0V                                                                                                                                                    1.0

                                                            VGS(th) = +0.2V

                               5                                                                                                                                                                                                     0.5

                                                                                                                                                VGS(th) = +0.8V

                               0                                                                                                  VGS(th) = +1.4V                                                                                    0

                                       -4      -2                  0         2                 4                               6                                 8                   10                                                     -50   -25   0           25      50           75       100      125

                                                                GATE-SOURCE VOLTAGE (V)                                                                                                                                                                AMBIENT TEMPERATURE (°C)

                                       SUBTHRESHOLD FORWARD TRANSFER                                                                                                                                                                        SUBTHRESHOLD FORWARD TRANSFER

                                                                   CHARACTERISTICS                                                                                                                                                                      CHARACTERISTICS

                               100000                                                                                                                                                                                                10000

DRAIN-SOURCE ON CURRENT        10000                            TA = +25°C                                                                                                                       CURRENT                             1000

                                                                VDS = +0.1V                                                                                                                                                                      VDS =  +0.1V

                               1000                                                                                                                                                                                                              Slope  =~ 110mV/decade

                                                                                                                                                                                                 DRAIN-SOURCE ON                     100

                         (nA)  100         VGS(th) = -3.5V                VGS(th) = -1.3V  VGS(th) = -0.4V  VGS(th) = 0.0V     VGS(th) = +0.2V  VGS(th) = +0.8V     VGS(th) = +1.4V                                          (nA)

                               10                                                                                                                                                                                                    10

                               1                                                                                                                                                                                                     1

                               0.1                                                                                                                                                                                                   0.1

                               0.01                                                                                                                                                                                                  0.01

                                       -4                   -3        -2                   -1                               0                        1                               2                                               VGS(th)-0.5  VGS(th)-0.4  VGS(th)-0.3  VGS(th)-0.2  VGS(th)-0.1   VGS(th)

                                                                GATE-SOURCE VOLTAGE (V)                                                                                                                                                                 GATE-SOURCE VOLTAGE (V)

ALD114813/ALD114913, Vers. 2.3                                                                                                                       Advanced                            Linear  Devices                                                                                          5    of  12
                                                            TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS (cont.)

                                            DRAIN-SOURCE ON CURRENT, BIAS                                                                           DRAIN-SOURCE ON CURRENT, BIAS

                                       CURRENT vs. AMBIENT TEMPERATURE                                                                              CURRENT vs. AMBIENT TEMPERATURE

                               5                                                                                                         100

DRAIN-SOURCE ON CURRENT                                                                                   DRAIN-SOURCE ON CURRENT                        Zero Temperature

                               4                                                -55°C                                                                    Coefficient (ZTC)

                                                                                -25°C

                               3                                                                                                                                        +125°C

                         (mA)                                                     0°C                                              (µA)  50

                               2

                               1

                                                                                                                                                                        -25°C

                               0                                                  +70°C      +125°C                                      0

                               VGS(th)-1        VGS(th)     VGS(th)+1  VGS(th)+2  VGS(th)+3   VGS(th)+4                                           VGS(th)  VGS(th)+0.2     VGS(th)+0.4  VGS(th)+0.6  VGS(th)+0.8   VGS(th)+1.0

                                                GATE- AND DRAIN-SOURCE VOLTAGE                                                                             GATE- AND DRAIN-SOURCE                    VOLTAGE

                                                            (VGS = VDS) (V)                                                                                                (VGS = VDS) (V)

                                                DRAIN-SOURCE           ON  CURRENT vs.                                                                          GATE-SOURCE VOLTAGE vs.

                                                DRAIN-SOURCE           ON  RESISTANCE                                                                      DRAIN-SOURCE ON CURRENT

                               100000                                                                                                    VGS(th)+4

DRAIN-SOURCE ON CURRENT        10000                                       TA = +25°C                     GATE-SOURCE VOLTAGE (V)                        VDS = RON • IDS(ON)            VDS = +0.5V

                                                                           VGS = -4.0V to +5.4V                                          VGS(th)+3                                      TA = +125°C

                               1000                                                                                                                             D     VDS          VDS = +0.5V

                                                                                                                                                                                   TA = +25°C

                               100                                                                                                       VGS(th)+2         VGS

                         (µA)                                                          VDS = +10V                                                                     IDS(ON)

                               10                                                                                                                               S                                        VDS = +5V

                                                                                                                                         VGS(th)+1                                                       TA = +125°C

                               1                   VDS = +0.1V                         VDS = +5V

                                                                                       VDS = +1V                                         VGS(th)                                                     VDS = +5V

                               0.1                                                                                                                                                                   TA = +25°C

                               0.01                                                                                                      VGS(th)-1

                                       0.1      1           10             100         1000   10000                                                 0.1            1           10       100              1000          10000

                                                DRAIN-SOURCE ON RESISTANCE (KΩ)                                                                                 DRAIN-SOURCE ON CURRENT (µA)

                                                DRAIN-SOURCE           ON CURRENT                                                                                     OFFSET VOLTAGE vs.

                                                   vs. OUTPUT          VOLTAGE                                                                                     AMBIENT TEMPERATURE

                               5                                                                                                         4

DRAIN-SOURCE ON CURRENT                                                           VDS = +10V                                             3

                               4                                                                          OFFSET VOLTAGE                 2                                 REPRESENTATIVE UNITS

                                                TA = +25°C                                                                               1

                         (mA)  3                                                                                                   (mV)

                                                                                       VDS = +5V                                         0

                               2                                                                                                         -1

                               1                                                                                                         -2

                                                                                  VDS = +1V

                                                                                                                                         -3

                               0                                                                                                         -4

                                       VGS(th)  VGS(th)+1   VGS(th)+2  VGS(th)+3  VGS(th)+4   VGS(th)+5                                             -50    -25          0       25      50           75  100           125

                                                         OUTPUT VOLTAGE (V)                                                                                        AMBIENT TEMPERATURE (°C)

ALD114813/ALD114913, Vers. 2.3                                                           Advanced Linear  Devices                                                                                               6  of  12
                                                                                 TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS (cont.)

                                                                GATE LEAKAGE CURRENT                                                                                           GATE SOURCE VOLTAGE vs.

                                                                vs. AMBIENT TEMPERATURE                                                                                        DRAIN-SOURCE ON RESISTANCE

                                                    10000                                                                                                     VGS(th)+4

GATE LEAKAGE CURRENT                                1000                                                                        (V)                                                                           0.0V ≤ VDS ≤ 5.0V

                                                                                                                                GATE-SOURCE VOLTAGE           VGS(th)+3                       +125°C

                                                    100                                                                                                                                                          D   VDS

                            (pA)                    10                                                                                                        VGS(th)+2                                  VGS              IDS(ON)

                                                                                                                                                                             +25°C

                                                    1                                      IGSS                                                                                                                  S

                                                                                                                                                              VGS(th)+1

                                                    0.1

                                                    0.01                                                                                                      VGS(th)

                                                           -50  -25       0      25   50   75    100               125                                                   0          2          4              6           8              10

                                                                     AMBIENT TEMPERATURE (°C)                                                                                  DRAIN-SOURCE ON RESISTANCE (KΩ)

                                                    DRAIN-GATE DIODE CONNECTED VOLTAGE                                                                                         TRANSFER        CHARACTERISTICS

                                                         TEMPCO vs. DRAIN-SOURCE ON CURRENT

DRAIN-GATE DIODE CONNECTED                          5                                                                                                         1.6

                                                                                                                                                                                                                          VGS(th)    =   -3.5V

                            VOLTAGE TEMPCO (mV/°C)              -55°C ≤ TA ≤ +125°C                                                                                            TA = +25°C
                                                                                                                                TRANSCONDUCTANCE                               VDS = +10V
                                                                                                                                                                                                                          VGS(th)    =   -1.3V

                                                    2.5                                                                                                       1.2                                                VGS(th) = -0.4V

                                                    0                                                                                                (m Ω-1)  0.8

                                                    -2.5                                                                                                      0.4                                                         VGS(th) = 0.0V

                                                                                                                                                                                                                          VGS(th) = +0.2V

                                                                                                                                                                                                                          VGS(th) = +0.8V

                                                    -5                                                                                                        0.0                                                         VGS(th) = +1.4V

                                                           1              10          100        1000                                                                    -4    -2        0            2       4      6            8      10

                                                                DRAIN-SOURCE ON CURRENT (µA)                                                                                        GATE-SOURCE          VOLTAGE        (V)

                                                                     ZERO TEMPERATURE                                                                                        SUBTHRESHOLD CHARACTERISTICS

                                                                COEFFICIENT CHARACTERISTICS

                                                    0.6                                                                                                       2.5

GATE-SOURCE VOLTAGE                                             VGS(th) = -3.5V

                                                                                                                                GATE-SOURCE VOLTAGE           2.0

                                                    0.5

                                                                VGS(th) = -1.3V, -0.4V, 0.0V, +0.2V, +0.8V, +1.4V                                             1.5

                                                                                                                                                                                               VGS(th) = +0.4V

                            (V)                     0.3                                                                                              (V)      1.0                              TA = +25°C

                                                                                                                                                                                                              VGS(th) = +0.4V

                                                                                                                                                              0.5                                             TA = +55°C

                                                    0.2

                                                                                                                                                              0.0            VGS(th) = +0.2V

                                                                                                                                                                             TA = +25°C        VGS(th) = +0.2V

                                                    0.0                                                                                                       -0.5                             TA = +55°C

                                                           0.1       0.2         0.5  1.0        2.0               5.0                                                 100000  10000     1000            100     10            1         0.1

                                                                DRAIN-SOURCE ON VOLTAGE (V)                                                                                         DRAIN-SOURCE ON CURRENT (nA)

ALD114813/ALD114913, Vers. 2.3                                                                        Advanced          Linear  Devices                                                                                           7  of  12
                                                           TYPICAL PERFORMANCE           CHARACTERISTICS (cont.)

                                                     TRANCONDUCTANCE vs.                                                        THRESHOLD VOLTAGE vs.

                                                     DRAIN-SOURCE ON CURRENT                                                    AMBIENT TEMPERATURE

                                        1.2                                                                      4.0

                                                     TA = +25°C
                                                     VDS = +10V
TARNCONDUCTANCE                                                                          THRESHOLD VOTAGE                       IDS = +1µA
                                        0.9                                                                      3.0
                                                                                                                                VDS = +0.1V

                     (m Ω-1)            0.6                                                                 (V)  2.0

                                                                                                                                                                    Vt  = +1.4V

                                        0.3                                                                      1.0

                                                                                                                            Vt  = 0.0V                              Vt  = +0.8V

                                                                                                                                               Vt = +0.2V

                                                                                                                                                                    Vt  = +0.4V

                                        0.0                                                                      0.0

                                              0      2           4    6          8  10                                 -50      -25     0      25  50           75      100      125

                                                     DRAIN-SOURCE ON CURRENT (mA)                                                       AMBIENT TEMPERATURE (°C)

                                                     NORMALIZED SUBTHRESHOLD

                                                     CHARACTERISTICS RELATIVE TO                                                SUBTHRESHOLD FORWARD

                                                     GATE THRESHOLD VOLTAGE                                                     TRANSFER CHARACTERISTICS

                                        0.3                                                                      2.0

GATE-SOURCE VOLTAGE                     0.2                                              THRESHOLD VOLTAGE       1.0        IDS = +1µA

                                                                      VDS = +0.1V                                           VDS = +0.1V

                     VGS - VGS(th) (V)  0.1                                                                      0.0                           VGS(th) = 0.0V

                                        0                                                                   (V)                                VGS(th) = -0.4V

                                                                                                                 -1.0

                                        -0.1                                                                                                   VGS(th) = -1.3V

                                                                          +25°C                                  -2.0

                                        -0.2

                                        -0.3            +55°C                                                    -3.0

                                                                                                                                               VGS(th) = -3.5V

                                        -0.4                                                                     -4.0

                                              10000  1000        100  10         1  0.1                                -25                 25                   75               125

                                                     DRAIN-SOURCE ON CURRENT (nA)                                                    AMBIENT TEMPERATURE (°C)

ALD114813/ALD114913, Vers. 2.3                                                      Advanced Linear Devices                                                             8    of  12
                                      SOIC-16 PACKAGE DRAWING

                                          16 Pin Plastic SOIC Package

                                      E

                                                                          Millimeters              Inches

                                             Dim                      Min             Max   Min            Max

S (45°)                                      A                        1.35            1.75  0.053          0.069

                                             A1                       0.10            0.25  0.004          0.010

                                             b                        0.35            0.45  0.014          0.018

                                             C                        0.18            0.25  0.007          0.010

                                             D-16                     9.80  10.00           0.385          0.394

            D                                E                        3.50            4.05  0.140          0.160

                                             e                              1.27 BSC            0.050 BSC

                                             H                        5.70            6.30  0.224          0.248

                                             L                        0.60  0.937           0.024          0.037

                                      A      ø                        0°               8°   0°             8°

         e                            A1     S                        0.25            0.50  0.010          0.020

                                   b

         S (45°)

                                H     C

                  L                       ø

ALD114813/ALD114913, Vers. 2.3               Advanced Linear Devices                                       9  of  12
                                        PDIP-16 PACKAGE DRAWING

                                           16 Pin Plastic DIP Package

                                    E      E1

                                                                        Millimeters         Inches

                                               Dim                  Min    Max       Min            Max

                                               A                    3.81   5.08      0.105          0.200

                                               A1                   0.38   1.27      0.015          0.050

                                               A2                   1.27   2.03      0.050          0.080

                                               b                    0.89   1.65      0.035          0.065

                                               b1                   0.38   0.51      0.015          0.020

                                               c                    0.20   0.30      0.008          0.012

          D                                    D-16                 18.93  21.33     0.745          0.840

S                                                                   5.59   7.11      0.220          0.280

                                               E

                                               E1                   7.62   8.26      0.300          0.325

                                    A2  A      e                    2.29   2.79      0.090          0.110

                                               e1                   7.37   7.87      0.290          0.310

                                    A1  L      L                    2.79   3.81      0.110          0.150

   b                             e             S-16                 0.38   1.52      0.015          0.060

                                               ø                    0°     15°       0°             15°

      b1

c

      e1                    ø

ALD114813/ALD114913, Vers.  2.3            Advanced Linear Devices                                  10   of  12
                                          SOIC-8 PACKAGE DRAWING

                                                8 Pin Plastic SOIC Package

                                      E

                                                                             Millimeters              Inches

                                                Dim                      Min             Max   Min            Max

                                                A                        1.35            1.75  0.053          0.069

S (45°)                                         A1                       0.10            0.25  0.004          0.010

                                                b                        0.35            0.45  0.014          0.018

                                                C                        0.18            0.25  0.007          0.010

            D                                   D-8                      4.69            5.00  0.185          0.196

                                                E                        3.50            4.05  0.140          0.160

                                                e                              1.27 BSC            0.050 BSC

                                                H                        5.70            6.30  0.224          0.248

                                      A         L                        0.60  0.937           0.024          0.037

                                                ø                        0°               8°   0°             8°

         e                            A1        S                        0.25            0.50  0.010          0.020

                                   b

         S (45°)

                                H         C

                  L                          ø

ALD114813/ALD114913, Vers. 2.3                  Advanced Linear Devices                                       11   of  12
                                         PDIP-8 PACKAGE DRAWING

                                            8 Pin Plastic DIP Package

                                     E      E1

                                                                         Millimeters         Inches

                                                Dim                  Min   Max        Min            Max

                                                A                    3.81  5.08       0.105          0.200

                                                A1                   0.38  1.27       0.015          0.050

                                                A2                   1.27  2.03       0.050          0.080

                                                b                    0.89  1.65       0.035          0.065

                                                b1                   0.38  0.51       0.015          0.020

                      D                         c                    0.20  0.30       0.008          0.012

S                                               D-8                  9.40  11.68      0.370          0.460

                                                E                    5.59  7.11       0.220          0.280

                                     A2  A      E1                   7.62  8.26       0.300          0.325

                                                e                    2.29  2.79       0.090          0.110

                                     A1  L      e1                   7.37  7.87       0.290          0.310

   b                              e             L                    2.79  3.81       0.110          0.150

                                                S-8                  1.02  2.03       0.040          0.080

      b1                                        ø                    0°    15°        0°             15°

c

                      e1     ø

ALD114813/ALD114913,  Vers.  2.3            Advanced Linear Devices                                  12   of  12
Mouser Electronics

Authorized Distributor

Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle  Information:

Advanced Linear Devices:

ALD114813PCL  ALD114813SCL  ALD114913PAL  ALD114913SAL
小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved