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ALD110914SAL

器件型号:ALD110914SAL
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:Advanced Linear Devices
标准:
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器件描述

MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch

参数
产品属性属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商:
Manufacturer:
Advanced Linear Devices
产品种类:
Product Category:
MOSFET
RoHS:YES
技术:
Technology:
Si
安装风格:
Mounting Style:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
Package / Case:
SOIC-8
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:10 V, 10 V
Id - Continuous Drain Current:12 mA, 12 mA
Rds On - Drain-Source Resistance:500 Ohms, 500 Ohms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.38 V, 1.38 V
Vgs - Gate-Source Voltage:10.6 V, 10.6 V
最小工作温度:
Minimum Operating Temperature:
0 C
最大工作温度:
Maximum Operating Temperature:
+ 70 C
Configuration:Dual
Pd-功率耗散:
Pd - Power Dissipation:
500 mW (1/2 W)
Channel Mode:Enhancement
封装:
Packaging:
Tube
产品:
Product:
MOSFET Small Signal
系列:
Series:
ALD110914S
Transistor Type:2 N-Channel
类型:
Type:
MOSFET
商标:
Brand:
Advanced Linear Devices
产品类型:
Product Type:
MOSFET
工厂包装数量:
Factory Pack Quantity:
50
子类别:
Subcategory:
MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time:10 ns, 10 ns
Typical Turn-On Delay Time:10 ns, 10 ns
单位重量:
Unit Weight:
0.002998 oz

ALD110914SAL器件文档内容

                  ADVANCED                                                                                                                               e TM

                  LINEAR                                                                                                                                      EPAD ®        D

                                                                                                                                                              ENAB    L  E

                  DEVICES, INC.                                                                                             ALD110814/ALD110914

                            QUAD/DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD®

                                       PRECISION MATCHED PAIR MOSFET ARRAY                                                             VGS(th)= +1.40V

GENERAL DESCRIPTION                                                                            APPLICATIONS

ALD110814/ALD110914 are high precision monolithic quad/dual enhance-                           • Precision current mirrors

ment mode N-Channel MOSFETs            matched at the factory using ALD’s                      • Precision current sources

proven EPAD® CMOS technology. These devices are intended for low                               • Voltage choppers

voltage, small signal applications.                                                            • Differential amplifier input stages

                                                                                               • Discrete voltage comparators

The ALD110814/ALD110914 MOSFETs are designed and built with                               ex-  • Voltage bias circuits

ceptional device electrical characteristics matching.  Since these devices                     • Sample and Hold circuits

are on the same monolithic chip, they also exhibit excellent tempco track-                     • Analog inverters

ing characteristics. Each device is versatile as a circuit element and is a                    • Level shifters

useful design component for a broad range of analog applications. They                         • Source followers and buffers

are basic building blocks for current sources, differential amplifier input                    • Current multipliers

stages, transmission gates, and multiplexer applications. For most appli-                      • Discrete analog multiplexers/matrices

cations, connect the V+ pin to the most positive voltage and the V- and IC                     • Discrete analog switches

pins to the most  negative voltage in the system. All other pins must have

voltages within these voltage limits at all times.

The ALD110814/ALD110914 devices are built for minimum offset voltage

and differential thermal response, and they are designed for switching                         PIN  CONFIGURATION

and amplifying applications in +1.5V to +10V systems where low input

bias current, low input capacitance and fast switching speed are desired.

Since these are MOSFET devices, they feature very large (almost infinite)                                               ALD110814

current gain in a low frequency, or near DC, operating environment.

                                                                                                    IC*          1  V-                     V-        16  IC*

The ALD110814/ALD110914 are suitable for use in precision applications

which require very high current gain, beta, such as current mirrors and                             GN1          2                                   15  GN2

current sources. The high input impedance and the high DC current gain                                                      M  1  M2

of the Field Effect Transistors result in extremely low current loss through                        DN1          3                                   14  DN2

the control gate. The DC current gain is limited by the gate input leakage                          S12          4                     V+            13  V+

current, which is specified at 30pA at room temperature. For example, DC

beta of the device at a drain current of 3mA and input leakage current of                           V-           5      V-                           12  S34

30pA at 25°C is 3mA/30pA = 100,000,000.

                                                                                                    DN4          6          M  4  M3                 11  DN3

FEATURES                                                                                            GN4          7                                   10  GN3

• Enhancement-mode (normally off)                                                                   IC*          8                                   9   IC*

• Standard Gate Threshold Voltages: +1.40V                                                                          V-                     V-

• Matched MOSFET-to-MOSFET characteristics

• Tight lot-to-lot parametric control                                                                               SCL, PCL PACKAGES

• Parallel connection of MOSFETs to increase drain currents

• Low input capacitance                                                                                                     ALD110914

• VGS(th) match to 10mV                                                                                             V-                     V-
• High input impedance — 1012Ω typical
                                                                                                                 1                                   8
• Positive, zero, and negative VGS(th) temperature coefficient                                      IC*                                                  IC*

• DC current gain >108

• Low input and output leakage currents                                                             GN1          2                                   7   GN2

ORDERING INFORMATION (“L” suffix denotes lead-free (RoHS))                                          DN1          3          M1    M2                 6   DN2

                  Operating Temperature Range*                                                      S12          4                     V-            5   V-

        0°C to +70°C                                0°C to +70°C

16-Pin            16-Pin                 8-Pin               8-Pin

SOIC              Plastic Dip            SOIC                Plastic Dip                                            SAL, PAL PACKAGES

Package           Package                Package       Package

                                                                                                                 *IC pins are internally connected.

ALD110814SCL      ALD110814PCL         ALD110914SAL ALD110914PAL                                                        Connect to V-

* Contact factory for industrial temp. range or user-specified threshold voltage values.

©2016 Advanced Linear Devices, Inc., Vers. 2.3                      www.aldinc.com                                                                           1 of  12
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Drain-Source voltage, VDS                                                                           10.6V

Gate-Source voltage, VGS                                                                            10.6V

Power dissipation                                                                                   500 mW

Operating temperature range SCL, PCL, SAL, PAL                                                     0°C to +70°C

Storage temperature range                                                                       -65°C to +150°C

Lead temperature, 10 seconds                                                                        +260°C

CAUTION: ESD Sensitive Device. Use static control procedures in ESD controlled environment.

OPERATING ELECTRICAL CHARACTERISTICS

V+ = +5V      V- = GND    TA = 25°C unless otherwise        specified

                                                            ALD110814/ALD110914

Parameter                           Symbol            Min   Typ                  Max         Unit   Test Conditions

Gate Threshold Voltage              VGS(th)           1.38  1.40                 1.42        V      IDS = 1µA, VDS = 0.1V

Offset Voltage                      VOS                                3         10          mV     IDS = 1µA

VGS(th)1-VGS(th)2

Offset VoltageTempco                TCVOS                              5                     µV/°C  VDS1 = VDS2

Gate Threshold Voltage              TCVGS(th)               -1.7                             mV/°C  IDS = 1µA, VDS = 0.1V

Tempco                                                                 0.0                          IDS = 20µA, VDS = 0.1V

                                                            +1.6                                    IDS = 40µA, VDS = 0.1V

Drain Source On Current             IDS(ON)                 12.0                             mA     VGS = +10.6V, VDS = +5V

                                                                       3.0                          VGS = +5.4V, VDS = +5V

Forward Transconductance            GFS                                1.4                   mmho   VGS = +5.4V

                                                                                                    VDS = +10.4V

Transconductance Mismatch           ∆GFS                               1.8                   %

Output Conductance                  GOS                                68                    µmho   VGS = +5.4V

                                                                                                    VDS = +10.4V

Drain Source On Resistance          RDS(ON)                 500                              Ω      VGS = +5.4V

                                                                                                    VDS = +0.1V

Drain Source On Resistance          ∆RDS(ON)                           0.5                   %

Mismatch

Drain Source Breakdown              BVDSX             10                                     V      V- = VGS = -0.6V

Voltage                                                                                             IDS = 1.0µA

Drain Source Leakage Current1       IDS(OFF)                           10        400         pA     VGS = -0.6V, VDS =+5V

                                                                                                    V- = -5V

                                                                                 4           nA     TA = 125°C

Gate Leakage Current1               IGSS                               3         200         pA     VGS = +5V, VDS = 0V

                                                                                 1           nA     TA =125°C

Input Capacitance                   CISS                               2.5                   pF

Transfer Reverse Capacitance        CRSS                               0.1                   pF

Turn-on Delay Time                  ton                                10                    ns     V+ = 5V,     RL= 5KΩ

Turn-off Delay Time                 toff                               10                    ns     V+ = 5V,     RL= 5KΩ

Crosstalk                                                              60                    dB     f = 100KHz

Notes:     1  Consists of junction  leakage currents

ALD110814/ALD110914, Vers. 2.3                        Advanced Linear Devices                                             2  of  12
                                       PERFORMANCE CHARACTERISTICS OF EPAD®

                                       PRECISION MATCHED PAIR MOSFET FAMILY

ALD1108xx/ALD1109xx/ALD1148xx/ALD1149xx are monolithic                     signal voltages are applied to the gate terminal, the designer/user

quad/dual N-Channel MOSFETs matched at the factory using ALD’s             can depend on the EPAD MOSFET device to be controlled, modu-
proven EPAD® CMOS technology. These devices are intended for
                                                                           lated and turned off precisely. The device can be modulated and

low voltage, small signal applications.                                    turned-off under the control of the gate voltage in the same manner

                                                                           as the enhancement mode EPAD MOSFET and the same device

ALD’s Electrically Programmable Analog Device (EPAD) technol-              equations apply.

ogy provides a family of matched transistors with a range of preci-

sion threshold values. All members of this family are designed and         EPAD MOSFETs are ideal for minimum offset voltage and differen-

actively programmed for exceptional matching of device electrical          tial thermal response, and they are used for switching and amplify-

characteristics.  Threshold values range from -3.50V Depletion to          ing applications in low voltage (1V to 10V or +/-0.5V to +/-5V) or

+3.50V Enhancement devices, including standard products speci-             ultra low voltage (less than 1V or +/-0.5V) systems. They feature

fied at -3.50V, -1.30V, -0.40V, +0.00V, +0.20V, +0.40V, +0.80V,            low input bias current (less than 30pA max.), ultra low power

+1.40V, and +3.30V.  ALD can also provide any customer desired             (microWatt) or Nanopower (power measured in nanoWatt) opera-

value between -3.50V and +3.50V. For all these devices, even the           tion, low input capacitance and fast switching speed. These de-

depletion and zero threshold transistors, ALD EPAD technology              vices can be used where a combination of these characteristics

enables the same well controlled turn-off, subthreshold, and low           are desired.

leakage characteristics as standard enhancement mode MOSFETs.

With the design and active programming, even units from different

batches and different dates of manufacture have well matched char-         KEY APPLICATION ENVIRONMENT

acteristics. As these devices are on the same monolithic chip, they

also exhibit excellent tempco tracking.                                    EPAD MOSFET Array products are for circuit applications in one or

                                                                           more of the following operating environments:

This EPAD MOSFET Array product family (EPAD MOSFET) is avail-              * Low voltage: 1V to 10V or +/-0.5V to +/-5V

able in the three separate categories, each providing a distinctly         * Ultra low voltage: less than 1V or +/-0.5V

different set of electrical specifications and characteristics. The first  * Low power: voltage x current = power measured in microwatt

category is the ALD110800/ALD110900 Zero-Threshold™ mode                   * Nanopower: voltage x current = power measured in nanowatt

EPAD MOSFETs. The second category is the ALD1108xx/                        * Precision matching and tracking of two or more MOSFETs

ALD1109xx enhancement mode EPAD MOSFETs. The third cat-

egory  is  the    ALD1148xx/ALD1149xx    depletion     mode  EPAD

MOSFETs. (The suffix “xx” denotes threshold voltage in 0.1V steps,         ELECTRICAL CHARACTERISTICS

for example, xx = 08 denotes 0.80V).

                                                                           The turn-on and turn-off electrical characteristics of the EPAD

The ALD110800/ALD110900 (quad/dual) are EPAD MOSFETs in                    MOSFET products are shown in the Drain-Source On Current vs

which the individual threshold voltage of each MOSFET is fixed at          Drain-Source On Voltage and Drain-Source On Current vs Gate-

zero. The threshold voltage is defined as IDS = 1µA @ VDS = 0.1V           Source Voltage graphs. Each graph shows the Drain-Source On

when the gate voltage VGS = 0.00V.       Zero threshold devices oper-      Current versus Drain-Source On Voltage characteristics as a func-

ate in the enhancement region when operated above threshold volt-          tion of Gate-Source voltage in a different operating region under

age and current level (VGS > 0.00V and IDS > 1µA) and subthresh-           different bias conditions. As the threshold voltage is tightly speci-

old region when operated at or below threshold voltage and cur-            fied, the Drain-Source On Current at a given gate input voltage is

rent level (VGS <= 0.00V and IDS < 1µA). This device, along with           better controlled and more predictable when compared to many

other very low threshold voltage members of the product family,            other types of MOSFETs.

constitute a class of EPAD MOSFETs that enable ultra low supply

voltage operation and nanopower type of circuit designs, applicable        EPAD MOSFETs behave similarly to a standard MOSFET, there-

in either analog or digital circuits.                                      fore classic equations for a n-channel MOSFET applies to EPAD

                                                                           MOSFET as well. The Drain current in the linear region (VDS <

The ALD1108xx/ALD1109xx (quad/dual) product family features                VGS - VGS(th)) is given by:

precision matched enhancement mode EPAD MOSFET devices,

which require a positive bias voltage to turn on. Precision threshold      IDS = u . COX . W/L . [VGS - VGS(th) - VDS/2] . VDS

values such as +1.40V, +0.80V, +0.20V are offered. No conductive

channel exists between the source and drain at zero applied gate           where:            u = Mobility

voltage for these devices, except that the +0.20V version has a                          COX = Capacitance / unit area of Gate electrode

subthreshold current at about 20nA.                                                      VGS = Gate to Source voltage

                                                                                   VGS(th) = Turn-on threshold voltage

The ALD1148xx/ALD1149xx (quad/dual) features depletion mode                              VDS = Drain to Source voltage

EPAD MOSFETs, which are normally-on devices when the gate                                    W = Channel width

bias voltage is at zero volts. The depletion mode threshold voltage                          L = Channel length

is at a negative voltage level at which the EPAD MOSFET turns off.

Without a supply voltage and/or with VGS = 0.0V the EPAD MOSFET            In this region of operation the IDS value is proportional to VDS value

device is already turned on and exhibits a defined and controlled          and the device can be used as a gate-voltage controlled resistor.

on-resistance between the source and drain terminals.

                                                                           For higher values of VDS where VDS >= VGS - VGS(th), the satura-

The ALD1148xx/ALD1149xx depletion mode EPAD MOSFETs are                    tion current IDS is now given by (approx.):

different from most other types of depletion mode MOSFETs and

certain types of JFETs in that they do not exhibit high gate leakage               IDS = u . COX . W/L . [VGS - VGS(th)]2

currents and channel/junction leakage currents.  When negative

ALD110814/ALD110914, Vers. 2.3                         Advanced Linear Devices                                                  3  of         12
                                    PERFORMANCE CHARACTERISTICS OF EPAD®

PRECISION MATCHED PAIR MOSFET FAMILY (cont.)

SUB-THRESHOLD REGION OF OPERATION                                       ZERO TEMPERATURE COEFFICIENT (ZTC) OPERATION

Low voltage systems, namely those operating at 5V, 3.3V or less,        For an EPAD MOSFET in this product family, there exist operating

typically require MOSFETs that have threshold voltage of 1V or          points where the various factors that cause the current to increase

less. The threshold, or turn-on, voltage of the MOSFET is a voltage     as a function of temperature balance out those that cause the cur-

below which the MOSFET conduction channel rapidly turns off. For        rent to decrease, thereby canceling each other, and resulting in net

analog designs, this threshold voltage directly affects the operating   temperature coefficient of near zero. One of these temperature

signal voltage range and the operating bias current levels.             stable operating points is obtained by a ZTC voltage bias condi-

                                                                        tion, which is 0.55V above a threshold voltage when VGS = VDS,

At or below threshold voltage, an EPAD MOSFET exhibits a turn-          resulting in a temperature stable current level of about 68µA. For

off characteristic in an operating region called the subthreshold re-   other ZTC operating points, see ZTC characteristics.

gion. This is when the EPAD MOSFET conduction channel rapidly

turns off as a function of decreasing applied gate voltage. The con-

duction channel induced by the gate voltage on the gate electrode       PERFORMANCE CHARACTERISTICS

decreases exponentially and causes the drain current to decrease

exponentially. However, the conduction channel does not shut off        Performance characteristics of the EPAD MOSFET product family

abruptly with decreasing gate voltage.  Rather, it decreases at a       are shown in the following graphs. In general, the threshold voltage

fixed rate of approximately 116mV per decade of drain current de-       shift for each member of the product family causes other affected

crease. Thus, if the threshold voltage is +0.20V, for example, the      electrical characteristics to shift with an equivalent linear shift in

drain current is 1µA at VGS = +0.20V.   At VGS = +0.09V, the drain      VGS(th) bias voltage. This linear shift in VGS causes the subthresh-

current would decrease to 0.1µA. Extrapolating from this, the drain     old I-V curves to shift linearly as well. Accordingly, the subthreshold

current is 0.01µA (10nA) at VGS = -0.03V, 1nA at VGS = -0.14V,          operating current can be determined by calculating the gate volt-

and so forth. This subthreshold characteristic extends all the way      age drop relative to its threshold voltage, VGS(th).

down to current levels below 1nA and is limited by other currents

such as junction leakage currents.

                                                                        RDS(ON) AT VGS = GROUND

At a drain current to be declared “zero current” by the user, the

VGS voltage at that zero current can now be estimated. Note that        Several of the EPAD MOSFETs produce a fixed resistance when

using the above example, with VGS(th) = +0.20V, the drain current       their gate is grounded. For ALD110800, the drain current is 1µA at

still hovers around 20nA when the gate is at zero volts, or ground.     VDS = 0.1V and VGS = 0.0V.  Thus, just by grounding the gate of

                                                                        the ALD110800, a resistor with RDS(ON) = ~100KΩ is produced.

                                                                        When an ALD114804 gate is grounded, the drain current IDS =

LOW POWER AND NANOPOWER                                                 18.5µA @ VDS = 0.1V, producing RDS(ON) = 5.4KΩ.       Similarly,

                                                                        ALD114813 and ALD114835 produce drain currents of 77µA and

When supply voltages decrease, the power consumption of a given         185µA, respectively, at VGS = 0.0V, and RDS(ON) values of 1.3KΩ

load resistor decreases as the square of the supply voltage. So         and 540Ω, respectively.

one of the benefits in reducing supply voltage is to reduce power

consumption. While decreasing power supply voltages and power

consumption go hand-in-hand with decreasing useful AC bandwidth         MATCHING CHARACTERISTICS

and at the same time increases noise effects in the circuit, a circuit

designer can make the necessary tradeoffs and adjustments in any        A key benefit of using a matched pair EPAD MOSFET is to main-

given circuit design and bias the circuit accordingly.                  tain temperature tracking. In general, for EPAD MOSFET matched

                                                                        pair devices, one device of the matched pair has gate leakage cur-

With EPAD MOSFETs, a circuit that performs a specific function          rents, junction temperature effects, and drain current temperature

can be designed so that power consumption can be minimized. In          coefficient as a function of bias voltage that cancel out similar ef-

some cases, these circuits operate in low power mode where the          fects of the other device, resulting in a temperature stable circuit.

power consumed is measure in micro-watts. In other cases, power         As mentioned earlier, this temperature stability can be further en-

dissipation can be reduced to the nano-watt region and still provide    hanced by biasing the matched-pairs at Zero Tempco (ZTC) point,

a useful and controlled circuit function operation.                     even though that could require special circuit configuration and

                                                                        power consumption design consideration.

ALD110814/ALD110914, Vers. 2.3                          Advanced Linear Devices                                               4  of  12
                                                                             TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS

                                                            OUTPUT CHARACTERISTICS                                                                                                                                                                DRAIN-SOURCE ON RESISTANCE

                                                                                                                                                                                                                                                  vs. DRAIN-SOURCE ON CURRENT

                               5                                                                                                                                                                 DRAIN-SOURCE ON RESISTANCE          2500

DRAIN-SOURCE ON CURRENT                    TA  =            +25°C                                                           VGS -               VGS(th)             =  +5V                                                                       TA = +25°C

                               4                                                                                                                                                                                                     2000

                                                                                                                            VGS -               VGS(th)             =  +4V

                         (mA)  3                                                                                                                                                                                                     1500

                                                                                                                            VGS -               VGS(th)             =  +3V                                                   (Ω)                                    VGS = VGS(th) + 4V

                               2                                                                                                                                                                                                     1000

                                                                                                                            VGS -               VGS(th)             =  +2V

                               1                                                                                                                                                                                                     500

                                                                                                                            VGS -               VGS(th)             =  +1V                                                                                                      VGS = VGS(th) + 6V

                               0                                                                                                                                                                                                     0

                                       0                        2         4                                 6                                   8                                    10                                                     10                 100              1000                   10000

                                                            DRAIN-SOURCE                   ON  VOLTAGE                                          (V)                                                                                               DRAIN-SOURCE ON CURRENT (µA)

                               FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS                                                                                                                                                                                   TRANSCONDUCTANCE                           vs.

                                                                                                                                                                                                                                                       AMBIENT TEMPERATURE

DRAIN-SOURCE ON CURRENT        20                                                                                                                                                                                                    2.5

                                               TA = +25°C                                                      VGS(th) = -3.5V

                                               VDS = +10V                                                                                                                                        TRANSCONDUCTANCE                    2.0

                               15                                                          VGS(th) = -1.3V

                         (mA)                                             VGS(th) = -0.4V                                                                                                                                    (mA/V)  1.5

                               10

                                                                   VGS(th) = 0.0V                                                                                                                                                    1.0

                                                            VGS(th) = +0.2V

                               5                                                                                                                                                                                                     0.5

                                                                                                                                                VGS(th) = +0.8V

                               0                                                                                                  VGS(th) = +1.4V                                                                                    0

                                       -4      -2                  0         2                 4                               6                                 8                   10                                                     -50   -25   0           25      50           75       100      125

                                                                GATE-SOURCE VOLTAGE (V)                                                                                                                                                                AMBIENT TEMPERATURE (°C)

                                       SUBTHRESHOLD FORWARD TRANSFER                                                                                                                                                                        SUBTHRESHOLD FORWARD TRANSFER

                                                                   CHARACTERISTICS                                                                                                                                                                      CHARACTERISTICS

                               100000                                                                                                                                                                                                10000

DRAIN-SOURCE ON CURRENT        10000                            TA = +25°C                                                                                                                       CURRENT                             1000

                                                                VDS = +0.1V                                                                                                                                                                      VDS =  +0.1V

                               1000                                                                                                                                                                                                              Slope  =~ 110mV/decade

                                                                                                                                                                                                 DRAIN-SOURCE ON                     100

                         (nA)  100         VGS(th) = -3.5V                VGS(th) = -1.3V  VGS(th) = -0.4V  VGS(th) = 0.0V     VGS(th) = +0.2V  VGS(th) = +0.8V     VGS(th) = +1.4V                                          (nA)

                               10                                                                                                                                                                                                    10

                               1                                                                                                                                                                                                     1

                               0.1                                                                                                                                                                                                   0.1

                               0.01                                                                                                                                                                                                  0.01

                                       -4                   -3        -2                   -1                               0                        1                               2                                               VGS(th)-0.5  VGS(th)-0.4  VGS(th)-0.3  VGS(th)-0.2  VGS(th)-0.1   VGS(th)

                                                                GATE-SOURCE VOLTAGE (V)                                                                                                                                                                 GATE-SOURCE VOLTAGE (V)

ALD110814/ALD110914, Vers. 2.3                                                                                                                       Advanced                            Linear  Devices                                                                                          5    of  12
                                                            TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS (cont.)

                                            DRAIN-SOURCE ON CURRENT, BIAS                                                                           DRAIN-SOURCE ON CURRENT, BIAS

                                       CURRENT vs. AMBIENT TEMPERATURE                                                                              CURRENT vs. AMBIENT TEMPERATURE

                               5                                                                                                         100

DRAIN-SOURCE ON CURRENT                                                                                   DRAIN-SOURCE ON CURRENT                        Zero Temperature

                               4                                                -55°C                                                                    Coefficient (ZTC)

                                                                                -25°C

                               3                                                                                                                                        +125°C

                         (mA)                                                     0°C                                              (µA)  50

                               2

                               1

                                                                                                                                                                        -25°C

                               0                                                  +70°C      +125°C                                      0

                               VGS(th)-1        VGS(th)     VGS(th)+1  VGS(th)+2  VGS(th)+3   VGS(th)+4                                           VGS(th)  VGS(th)+0.2     VGS(th)+0.4  VGS(th)+0.6  VGS(th)+0.8   VGS(th)+1.0

                                                GATE- AND DRAIN-SOURCE VOLTAGE                                                                             GATE- AND DRAIN-SOURCE                    VOLTAGE

                                                            (VGS = VDS) (V)                                                                                                (VGS = VDS) (V)

                                                DRAIN-SOURCE           ON  CURRENT vs.                                                                          GATE-SOURCE VOLTAGE vs.

                                                DRAIN-SOURCE           ON  RESISTANCE                                                                      DRAIN-SOURCE ON CURRENT

                               100000                                                                                                    VGS(th)+4

DRAIN-SOURCE ON CURRENT        10000                                       TA = +25°C                     GATE-SOURCE VOLTAGE (V)                        VDS = RON • IDS(ON)            VDS = +0.5V

                                                                           VGS = -4.0V to +5.4V                                          VGS(th)+3                                      TA = +125°C

                               1000                                                                                                                             D     VDS          VDS = +0.5V

                                                                                                                                                                                   TA = +25°C

                               100                                                                                                       VGS(th)+2         VGS

                         (µA)                                                          VDS = +10V                                                                     IDS(ON)

                               10                                                                                                                               S                                        VDS = +5V

                                                                                                                                         VGS(th)+1                                                       TA = +125°C

                               1                   VDS = +0.1V                         VDS = +5V

                                                                                       VDS = +1V                                         VGS(th)                                                     VDS = +5V

                               0.1                                                                                                                                                                   TA = +25°C

                               0.01                                                                                                      VGS(th)-1

                                       0.1      1           10             100         1000   10000                                                 0.1            1           10       100              1000          10000

                                                DRAIN-SOURCE ON RESISTANCE (KΩ)                                                                                 DRAIN-SOURCE ON CURRENT (µA)

                                                DRAIN-SOURCE           ON CURRENT                                                                                     OFFSET VOLTAGE vs.

                                                   vs. OUTPUT          VOLTAGE                                                                                     AMBIENT TEMPERATURE

                               5                                                                                                         4

DRAIN-SOURCE ON CURRENT                                                           VDS = +10V                                             3

                               4                                                                          OFFSET VOLTAGE                 2                                 REPRESENTATIVE UNITS

                                                TA = +25°C                                                                               1

                         (mA)  3                                                                                                   (mV)

                                                                                       VDS = +5V                                         0

                               2                                                                                                         -1

                               1                                                                                                         -2

                                                                                  VDS = +1V

                                                                                                                                         -3

                               0                                                                                                         -4

                                       VGS(th)  VGS(th)+1   VGS(th)+2  VGS(th)+3  VGS(th)+4   VGS(th)+5                                             -50    -25          0       25      50           75  100           125

                                                         OUTPUT VOLTAGE (V)                                                                                        AMBIENT TEMPERATURE (°C)

ALD110814/ALD110914, Vers. 2.3                                                           Advanced Linear  Devices                                                                                               6  of  12
                                                                                 TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS (cont.)

                                                                GATE LEAKAGE CURRENT                                                                                           GATE SOURCE VOLTAGE vs.

                                                                vs. AMBIENT TEMPERATURE                                                                                        DRAIN-SOURCE ON RESISTANCE

                                                    10000                                                                                                     VGS(th)+4

GATE LEAKAGE CURRENT                                1000                                                                        (V)                                                                           0.0V ≤ VDS ≤ 5.0V

                                                                                                                                GATE-SOURCE VOLTAGE           VGS(th)+3                       +125°C

                                                    100                                                                                                                                                          D   VDS

                            (pA)                    10                                                                                                        VGS(th)+2                                  VGS              IDS(ON)

                                                                                                                                                                             +25°C

                                                    1                                      IGSS                                                                                                                  S

                                                                                                                                                              VGS(th)+1

                                                    0.1

                                                    0.01                                                                                                      VGS(th)

                                                           -50  -25       0      25   50   75    100               125                                                   0          2          4              6           8              10

                                                                     AMBIENT TEMPERATURE (°C)                                                                                  DRAIN-SOURCE ON RESISTANCE (KΩ)

                                                    DRAIN-GATE DIODE CONNECTED VOLTAGE                                                                                         TRANSFER        CHARACTERISTICS

                                                         TEMPCO vs. DRAIN-SOURCE ON CURRENT

DRAIN-GATE DIODE CONNECTED                          5                                                                                                         1.6

                                                                                                                                                                                                                          VGS(th)    =   -3.5V

                            VOLTAGE TEMPCO (mV/°C)              -55°C ≤ TA ≤ +125°C                                                                                            TA = +25°C
                                                                                                                                TRANSCONDUCTANCE                               VDS = +10V
                                                                                                                                                                                                                          VGS(th)    =   -1.3V

                                                    2.5                                                                                                       1.2                                                VGS(th) = -0.4V

                                                    0                                                                                                (m Ω-1)  0.8

                                                    -2.5                                                                                                      0.4                                                         VGS(th) = 0.0V

                                                                                                                                                                                                                          VGS(th) = +0.2V

                                                                                                                                                                                                                          VGS(th) = +0.8V

                                                    -5                                                                                                        0.0                                                         VGS(th) = +1.4V

                                                           1              10          100        1000                                                                    -4    -2        0            2       4      6            8      10

                                                                DRAIN-SOURCE ON CURRENT (µA)                                                                                        GATE-SOURCE          VOLTAGE        (V)

                                                                     ZERO TEMPERATURE                                                                                        SUBTHRESHOLD CHARACTERISTICS

                                                                COEFFICIENT CHARACTERISTICS

                                                    0.6                                                                                                       2.5

GATE-SOURCE VOLTAGE                                             VGS(th) = -3.5V

                                                                                                                                GATE-SOURCE VOLTAGE           2.0

                                                    0.5

                                                                VGS(th) = -1.3V, -0.4V, 0.0V, +0.2V, +0.8V, +1.4V                                             1.5

                                                                                                                                                                                               VGS(th) = +0.4V

                            (V)                     0.3                                                                                              (V)      1.0                              TA = +25°C

                                                                                                                                                                                                              VGS(th) = +0.4V

                                                                                                                                                              0.5                                             TA = +55°C

                                                    0.2

                                                                                                                                                              0.0            VGS(th) = +0.2V

                                                                                                                                                                             TA = +25°C        VGS(th) = +0.2V

                                                    0.0                                                                                                       -0.5                             TA = +55°C

                                                           0.1       0.2         0.5  1.0        2.0               5.0                                                 100000  10000     1000            100     10            1         0.1

                                                                DRAIN-SOURCE ON VOLTAGE (V)                                                                                         DRAIN-SOURCE ON CURRENT (nA)

ALD110814/ALD110914, Vers. 2.3                                                                        Advanced          Linear  Devices                                                                                           7  of  12
                                                           TYPICAL PERFORMANCE           CHARACTERISTICS (cont.)

                                                     TRANCONDUCTANCE vs.                                                        THRESHOLD VOLTAGE vs.

                                                     DRAIN-SOURCE ON CURRENT                                                    AMBIENT TEMPERATURE

                                        1.2                                                                      4.0

                                                     TA = +25°C
                                                     VDS = +10V
TARNCONDUCTANCE                                                                          THRESHOLD VOTAGE                       IDS = +1µA
                                        0.9                                                                      3.0
                                                                                                                                VDS = +0.1V

                     (m Ω-1)            0.6                                                                 (V)  2.0

                                                                                                                                                                    Vt  = +1.4V

                                        0.3                                                                      1.0

                                                                                                                            Vt  = 0.0V                              Vt  = +0.8V

                                                                                                                                               Vt = +0.2V

                                                                                                                                                                    Vt  = +0.4V

                                        0.0                                                                      0.0

                                              0      2           4    6          8  10                                 -50      -25     0      25  50           75      100      125

                                                     DRAIN-SOURCE ON CURRENT (mA)                                                       AMBIENT TEMPERATURE (°C)

                                                     NORMALIZED SUBTHRESHOLD

                                                     CHARACTERISTICS RELATIVE TO                                                SUBTHRESHOLD FORWARD

                                                     GATE THRESHOLD VOLTAGE                                                     TRANSFER CHARACTERISTICS

                                        0.3                                                                      2.0

GATE-SOURCE VOLTAGE                     0.2                                              THRESHOLD VOLTAGE       1.0        IDS = +1µA

                                                                      VDS = +0.1V                                           VDS = +0.1V

                     VGS - VGS(th) (V)  0.1                                                                      0.0                           VGS(th) = 0.0V

                                        0                                                                   (V)                                VGS(th) = -0.4V

                                                                                                                 -1.0

                                        -0.1                                                                                                   VGS(th) = -1.3V

                                                                          +25°C                                  -2.0

                                        -0.2

                                        -0.3            +55°C                                                    -3.0

                                                                                                                                               VGS(th) = -3.5V

                                        -0.4                                                                     -4.0

                                              10000  1000        100  10         1  0.1                                -25                 25                   75               125

                                                     DRAIN-SOURCE ON CURRENT (nA)                                                    AMBIENT TEMPERATURE (°C)

ALD110814/ALD110914, Vers. 2.3                                                      Advanced Linear Devices                                                             8    of  12
                                      SOIC-16 PACKAGE DRAWING

                                          16 Pin Plastic SOIC Package

                                      E

                                                                          Millimeters              Inches

                                             Dim                      Min             Max   Min            Max

S (45°)                                      A                        1.35            1.75  0.053          0.069

                                             A1                       0.10            0.25  0.004          0.010

                                             b                        0.35            0.45  0.014          0.018

                                             C                        0.18            0.25  0.007          0.010

                                             D-16                     9.80  10.00           0.385          0.394

            D                                E                        3.50            4.05  0.140          0.160

                                             e                              1.27 BSC            0.050 BSC

                                             H                        5.70            6.30  0.224          0.248

                                             L                        0.60  0.937           0.024          0.037

                                      A      ø                        0°               8°   0°             8°

         e                            A1     S                        0.25            0.50  0.010          0.020

                                   b

         S (45°)

                                H     C

                  L                       ø

ALD110814/ALD110914, Vers. 2.3               Advanced Linear Devices                                       9  of  12
                                        PDIP-16 PACKAGE DRAWING

                                           16 Pin Plastic DIP Package

                                    E      E1

                                                                        Millimeters         Inches

                                               Dim                  Min    Max       Min            Max

                                               A                    3.81   5.08      0.105          0.200

                                               A1                   0.38   1.27      0.015          0.050

                                               A2                   1.27   2.03      0.050          0.080

                                               b                    0.89   1.65      0.035          0.065

                                               b1                   0.38   0.51      0.015          0.020

                                               c                    0.20   0.30      0.008          0.012

          D                                    D-16                 18.93  21.33     0.745          0.840

S                                                                   5.59   7.11      0.220          0.280

                                               E

                                               E1                   7.62   8.26      0.300          0.325

                                    A2  A      e                    2.29   2.79      0.090          0.110

                                               e1                   7.37   7.87      0.290          0.310

                                    A1  L      L                    2.79   3.81      0.110          0.150

   b                             e             S-16                 0.38   1.52      0.015          0.060

                                               ø                    0°     15°       0°             15°

      b1

c

      e1                    ø

ALD110814/ALD110914, Vers.  2.3            Advanced Linear Devices                                  10   of  12
                                          SOIC-8 PACKAGE DRAWING

                                                8 Pin Plastic SOIC Package

                                      E

                                                                             Millimeters              Inches

                                                Dim                      Min             Max   Min            Max

                                                A                        1.35            1.75  0.053          0.069

S (45°)                                         A1                       0.10            0.25  0.004          0.010

                                                b                        0.35            0.45  0.014          0.018

                                                C                        0.18            0.25  0.007          0.010

            D                                   D-8                      4.69            5.00  0.185          0.196

                                                E                        3.50            4.05  0.140          0.160

                                                e                              1.27 BSC            0.050 BSC

                                                H                        5.70            6.30  0.224          0.248

                                      A         L                        0.60  0.937           0.024          0.037

                                                ø                        0°               8°   0°             8°

         e                            A1        S                        0.25            0.50  0.010          0.020

                                   b

         S (45°)

                                H         C

                  L                          ø

ALD110814/ALD110914, Vers. 2.3                  Advanced Linear Devices                                       11   of  12
                                         PDIP-8 PACKAGE DRAWING

                                            8 Pin Plastic DIP Package

                                     E      E1

                                                                         Millimeters         Inches

                                                Dim                  Min   Max        Min            Max

                                                A                    3.81  5.08       0.105          0.200

                                                A1                   0.38  1.27       0.015          0.050

                                                A2                   1.27  2.03       0.050          0.080

                                                b                    0.89  1.65       0.035          0.065

                                                b1                   0.38  0.51       0.015          0.020

                      D                         c                    0.20  0.30       0.008          0.012

S                                               D-8                  9.40  11.68      0.370          0.460

                                                E                    5.59  7.11       0.220          0.280

                                     A2  A      E1                   7.62  8.26       0.300          0.325

                                                e                    2.29  2.79       0.090          0.110

                                     A1  L      e1                   7.37  7.87       0.290          0.310

   b                              e             L                    2.79  3.81       0.110          0.150

                                                S-8                  1.02  2.03       0.040          0.080

      b1                                        ø                    0°    15°        0°             15°

c

                      e1     ø

ALD110814/ALD110914,  Vers.  2.3            Advanced Linear Devices                                  12   of  12
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