电子工程世界电子工程世界电子工程世界

产品描述

搜索

ALD1101APAL

器件型号:ALD1101APAL
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:Advanced Linear Devices
标准:
下载文档

器件描述

MOSFET Dual N-Channel Pair

参数
产品属性属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商:
Manufacturer:
Advanced Linear Devices
产品种类:
Product Category:
MOSFET
Shipping Restrictions:This product may require additional documentation to export from the United States.
RoHS:YES
技术:
Technology:
Si
安装风格:
Mounting Style:
Through Hole
封装 / 箱体:
Package / Case:
PDIP-8
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:12 V
Id - Continuous Drain Current:40 mA
Rds On - Drain-Source Resistance:75 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage:13.2 V
最小工作温度:
Minimum Operating Temperature:
0 C
最大工作温度:
Maximum Operating Temperature:
+ 70 C
Configuration:Dual
Pd-功率耗散:
Pd - Power Dissipation:
500 mW (1/2 W)
Channel Mode:Enhancement
封装:
Packaging:
Tube
产品:
Product:
MOSFET Small Signal
系列:
Series:
ALD1101A
Transistor Type:2 N-Channel
类型:
Type:
MOSFET
商标:
Brand:
Advanced Linear Devices
Forward Transconductance - Min:0.01 S
产品类型:
Product Type:
MOSFET
工厂包装数量:
Factory Pack Quantity:
50
子类别:
Subcategory:
MOSFETs
单位重量:
Unit Weight:
0.032805 oz

ALD1101APAL器件文档内容

            ADVANCED

            LINEAR                                                                                           ALD1101A/ALD1101B

            DEVICES, INC.                                                                                                                  ALD1101

                                   DUAL N-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR

GENERAL DESCRIPTION                                                                      APPLICATIONS

The  ALD1101  is    a  monolithic  dual  N-channel  matched            transistor  pair  •  Precision current mirrors

intended for a broad range of analog applications.  These enhancement-                   •  Precision current sources

mode transistors are manufactured with Advanced Linear Devices' en-                      •  Analog switches

hanced ACMOS silicon gate CMOS process.                                                  •  Choppers

                                                                                         •  Differential amplifier input stage

The ALD1101 offers high input impedance and negative current tempera-                    •  Voltage comparator

ture coefficient. The transistor pair is matched for minimum offset voltage              •  Data converters

and differential thermal response, and it is designed for switching and                  •  Sample and Hold

amplifying applications in +2V to +12V systems where low input bias                      •  Analog inverter

current, low input capacitance and fast switching speed are desired. Since

these are MOSFET devices, they feature very large (almost infinite)

current gain in a low frequency, or near DC, operating environment. When

used with an ALD1102, a dual CMOS analog switch can be constructed.

In addition, the ALD1101 is intended as a building block for differential                PIN CONFIGURATION

amplifier input stages, transmission gates, and multiplexer applications.

The ALD1101 is suitable for use in precision applications which require                     SOURCE 1     1                              8          SUBSTRATE

very high current gain, beta, such as current mirrors and current sources.

The high input impedance and the high DC current gain of the Field Effect                   GATE 1       2                              7          SOURCE 2

Transistors result in extremely low current loss through the control gate.

The DC current gain is limited by the gate input leakage current, which is                  DRAIN 1      3                              6          GATE 2

specified at 50pA at room temperature. For example, DC beta of the device

at a drain current of 5mA at 25°C is = 5mA/50pA = 100,000,000.                              IC           4                              5          DRAIN 2

                                                                                                             TOP VIEW

FEATURES                                                                                                    SAL, PAL, DA PACKAGES

•  Low threshold voltage of 0.7V                                                            * IC pin is  internally connected.     Do not connect  externally.

•  Low input capacitance

•  Low Vos grades -- 2mV, 5mV, 10mV

•  High input impedance -- 1012Ω typical

•  Negative current (IDS) temperature coefficient

•  Enhancement-mode (normally off)

•  DC current gain 109

•  RoHS compliant                                                                        BLOCK DIAGRAM

                                                                                                             GATE               1  (2)

ORDERING INFORMATION (“L” suffix denotes lead-free (RoHS))

                    Operating Temperature Range

     0°C to +70°C          0°C to +70°C             -55°C to +125°C                         DRAIN 1 (3)                                 SOURCE 1 (1)

                                                                                                                                        SUBSTRATE (8)

     8-Pin                 8-Pin                    8-Pin

     Small Outline         Plastic Dip              CERDIP                                  DRAIN 2 (5)                                 SOURCE 2 (7)

     Package (SOIC)        Package                  Package

     ALD1101ASAL           ALD1101APAL                                                                       GATE               2  (6)

     ALD1101BSAL           ALD1101BPAL

     ALD1101SAL            ALD1101PAL               ALD1101DA

* Contact factory for leaded (non-RoHS) or high temperature versions.

Rev 2.1 ©2012 Advanced Linear Devices, Inc. 415 Tasman Drive, Sunnyvale, CA 94089-1706 Tel: (408) 747-1155 Fax: (408) 747-1286

                                                    www.aldinc.com
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Drain-source voltage, VDS                                                                                           10.6V

Gate-source voltage, VGS                                                                                            10.6V

Power dissipation                                                                                             500mW

Operating temperature range   SAL, PALpackages                                                             0°C to +70°C

                              DA package                                                               -55°C to +125°C

Storage temperature range                                                                              -65°C to +150°C

Lead temperature, 10 seconds                                                                                  +260°C

CAUTION: ESD Sensitive Device. Use static control procedures in ESD controlled environment.

OPERATING ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TA = 25°C unless otherwise specified

                                   ALD 1101A       ALD1101B             ALD1101                        Test

Parameter          Symbol     Min  Typ    Max      Min  Typ   Max  Min      Typ   Max  Unit   Conditions

Gate Threshold

Voltage            VT         0.4  0.7        1.0  0.4  0.7   1.0  0.4      0.7   1.0  V      IDS = 10µA   VGS = VDS

Offset Voltage     VOS                        2               5                   10   mV     IDS = 100µA    VGS = VDS

VGS1 - VGS2

Gate Threshold     TCVT            -1.2                 -1.2                -1.2       mV/°C

Temperature Drift

On Drain Current   IDS (ON)   25   40              25   40         25       40         mA     VGS = VDS = 5V

Transconductance   Gfs        5    10              5    10         5        10         mmho   VDS = 5V    IDS= 10mA

Mismatch           ∆Gfs            0.5                  0.5                 0.5        %

Output             GOS             200                  200                 200        µmho   VDS = 5V    IDS = 10mA

Conductance

Drain Source       RDS(ON)         50         75        50    75            50    75   Ω      VDS = 0.1V   VGS = 5V

ON Resistance

Drain Source

ON Resistance      ∆RDS(ON)        0.5                  0.5                 0.5        %      VDS = 0.1V   VGS = 5V

Mismatch

Drain Source

Breakdown          BVDSS      12                   12              12                  V      IDS = 10µA VGS =0V

Voltage

Off Drain Current  IDS(OFF)        0.1        4         0.1   4             0.1   4    nA     VDS =12V    VGS = 0V

                                              4               4                   4    µA     TA = 125°C

Gate Leakage       IGSS            1          50        1     50            1     50   pA     VDS =0V     VGS =12V

Current                                       10              10                  10   nA     TA = 125°C

Input              CISS            6          10        6     10            6     10   pF

Capacitance

ALD1101A/ALD1101B/ALD1101                          Advanced Linear Devices                                                 2  of  8
                                                                    TYPICAL PERFORMANCE                 CHARACTERISTICS

                                                   OUTPUT CHARACTERISTICS                                                                                       LOW VOLTAGE OUTPUT

                                                                                                                                                                     CHARACTERISTICS

                                                                                                                                            8

DRAIN -SOURCE CURRENT                    160       VBS =     0V                VGS = 12V                        DRAIN-SOURCE CURRENT                       VBS = 0V          VGS = 12V

                                                   TA = 25°C                       10V                                                                     TA = 25°C

                                                                                                                                            4                                                            6V

                                         120                                                                                                                                                             4V

                                                                                   8V                                                 (mA)                                                               2V

                              (mA)                                                                                                          0

                                         80                                        6V

                                         40                                        4V                                                       -4

                                                                                   2V

                                         0                                                                                                  -8

                                                0  2             4  6           8         10    12                                                   -160       -80               0             80           160

                                                             DRAIN-SOURCE      VOLTAGE (V)                                                                      DRAIN -SOURCE VOLTAGE (mV)

                                                   FORWARD TRANSCONDUCTANCE                                                                                TRANSFER CHARACTERISTIC

                                                   vs. DRAIN-SOURCE VOLTAGE                                                                                     WITH SUBSTRATE BIAS

FORWARD TRANSCONDUCTANCE              1  x105                                                                                               20

                                         x104      VBS =  0V                                                    DRAIN-SOURCE CURRENT                                                            VGS = VDS

                                      5            f = 1KHz                        IDS = 10mA                                                                                                   TA = 25°C

                                                                                                                                            15

                                      2  x104                       TA = +25°C

                              (µmho)               TA = +125°C                                                                                             VBS = 0V    -2V   -4V

                                      1  x104                                                                                         (µA)  10                                    -6V

                                                                                                                                                                                       -8V

                                      5  x103                                                                                                                                             -10V

                                         x103                                                                                               5                                               -12V

                                      2

                                         x103                       IDS = 1mA

                                      1                                                                                                     0

                                                0  2             4  6           8         10    12                                                    0    0.8          1.6          2.4            3.2      4.0

                                                          DRAIN -SOURCE VOLTAGE (V)                                                                             GATE - SOURCE VOLTAGE (V)

                                                   RDS (ON) vs. GATE - SOURCE VOLTAGE                                                                           OFF DRAIN - CURRENT vs.

                                                                                                                                            10X10-6                     TEMPERATURE

DRAIN - SOURCE ON RESISTANCE             10000                                                          OFF - DRAIN SOURCE CURRENT

                                                   VDS = 0.2V                                                                                              VDS = +12V

                                                   VBS = 0V                                                                                                VGS = VBS = 0V

                                         1000

                              (Ω)                                                  TA = +125°C                                        (A)   10X10-9

                                         100

                                                   TA = +25°C                                                                               10X10-12

                                         10

                                                0  2             4  6           8         10    12                                                   -50   -25       0      +25      +50    +75     +100     +125

                                                          GATE SOURCE VOLTAGE (V)                                                                                       TEMPERATURE (°C)

ALD1101A/ALD1101B/ALD1101                                                                     Advanced  Linear  Devices                                                                                  3   of  8
                                                      TYPICAL        APPLICATIONS

                CURRENT SOURCE          MIRROR                               CURRENT                SOURCE WITH GATE            CONTROL

                                            V+ = +5V   ALD1102,                                     ALD1102,          V+ = +5V

                                                       1/2 ALD1107,                                 1/2 ALD1107,

                                                       or ALD1117                                   or ALD1117

      V+ = +5V

                            Q3                               Q4                                     Q3                              Q4

ISET  RSET

                                             I SOURCE                                               ISET      RSET                  ISOURCE

                                                                             Digital Logic Control

                                                                             of Current Source

Q1                                  Q2       I SOURCE = ISET                 ON                               Q1

                                                       =                                                            1/2 ALD1101,

                                                             V+ -Vt                                                 1/4 ALD1106,

      ALD1101,                                               RSET                                                   or 1/2 ALD1116

      1/2 ALD1106,                                     =~    4                   OFF

      or ALD1116                                             RSET

Q1, Q2: N - Channel  MOSFET                                                                                       Q1     : N - Channel MOSFET

Q3, Q4: P - Channel  MOSFET                                                                                       Q3,Q4  : P - Channel MOSFET

                DIFFERENTIAL AMPLIFIER                                       CURRENT                SOURCE MULTIPLICATION

                                V+      ALD1102,

                                        1/2 ALD1107,

                                        or ALD1117                           V+ = +5V

                          PMOS PAIR                                    ISET  RSET

                Q3                           Q4                                                                          ISOURCE =  ISET x        N

                                                       VOUT                                     Q1  Q2        Q3                QN

                                                                       QSET

      VIN+           Q1                 Q2             VIN-

                          NMOS PAIR

                ALD1101,            Current

                1/2 ALD1106,        Source

                or ALD1116

                Q1, Q2: N - Channel MOSFET                                   QSET, Q1..QN: ALD1101, ALD1106, or ALD1116

                Q3, Q4: P - Channel MOSFET                                                          N - Channel MOSFET

ALD1101A/ALD1101B/ALD1101                                    Advanced  Linear Devices                                                          4  of  8
                                                   TYPICAL APPLICATIONS (cont.)

                                                           BASIC   CURRENT  SOURCES

N- CHANNEL CURRENT SOURCE                                                                  P- CHANNEL        CURRENT SOURCE

                                          V+ = +5V                                                           V+ = +5V     ALD1102,

                                                                                                                          1/2 ALD1107,

                             ISET               RSET                                                                      or ALD1117

ISOURCE

                                                                                                 8                               7

                5                               3                                          Q3                   6                Q4

Q2           8     6                               Q1                                               3  2                  5

                                   2

                7                                  1                                                                             I SOURCE

                                      ALD1101,                                             ISET     RSET

                                      1/2 ALD1106,

                                      or ALD1116

ISOURCE = ISET          = V+ - Vt     =~  V+ - 1.0     =~      4

                             RSET         RSET               RSET

Q1, Q2          : N - Channel MOSFET                                                       Q3, Q4: P - Channel MOSFET

                                                       CASCODE     CURRENT  SOURCES

                                                V+    = +5V                                                     V+ = +5V         2 x ALD1102

                                                                                                                                 or ALD1107

                                          ISET         RSET

ISOURCE                                                                                    Q1                                        Q2

         Q4                                                Q3

                                                                                           Q3                                        Q4

         Q2                                                Q1

                                                                                           ISET        RSET                          ISOURCE

                             2 x ALD1101

                             or ALD1106

                                                                                           ISOURCE = ISET    =  V+ - 2Vt     =~  3

                                                                                                                RSET             RSET

Q1, Q2,            Q3,  Q4:  N - Channel MOSFET                                            Q1, Q2, Q3, Q4: P - Channel MOSFET

                             (ALD1101 or ALD1103)                                                          (ALD1102 or ALD1103)

ALD1101A/ALD1101B/ALD1101                                         Advanced Linear Devices                                                     5  of  8
                                        SOIC-8 PACKAGE DRAWING

                                        8 Pin Plastic SOIC Package

                              E                                  Millimeters             Inches

                                        Dim  Min                           Max    Min            Max

                                        A    1.35                          1.75   0.053          0.069

                                        A1   0.10                          0.25   0.004          0.010

S (45°)                                      0.35                          0.45   0.014          0.018

                                        b

                                        C    0.18                          0.25   0.007          0.010

                                        D-8  4.69                          5.00   0.185          0.196

            D                           E    3.50                          4.05   0.140          0.160

                                        e                        1.27 BSC             0.050 BSC

                                        H    5.70                          6.30   0.224          0.248

                              A         L    0.60                   0.937         0.024          0.037

                                        ø    0°                               8°  0°             8°

         e                    A1        S    0.25                          0.50   0.010          0.020

                           b

         S (45°)

                     H            C

                  L                  ø

ALD1101A/ALD1101B/ALD1101               Advanced Linear Devices                                         6  of  8
                                  PDIP-8 PACKAGE DRAWING

                                      8 Pin Plastic DIP Package

                                               Millimeters                     Inches

                           E      E1  Dim  Min                   Max    Min            Max

                                      A    3.81                  5.08   0.105          0.200

                                      A1   0.38                  1.27   0.015          0.050

                                      A2   1.27                  2.03   0.050          0.080

                                      b    0.89                  1.65   0.035          0.065

                                      b1   0.38                  0.51   0.015          0.020

                                      c    0.20                  0.30   0.008          0.012

          D                           D-8  9.40                  11.68  0.370          0.460

S                                     E    5.59                  7.11   0.220          0.280

                                      E1   7.62                  8.26   0.300          0.325

                           A2  A      e    2.29                  2.79   0.090          0.110

                           A1  L      e1   7.37                  7.87   0.290          0.310

   b          e                       L    2.79                  3.81   0.110          0.150

                                      S-8  1.02                  2.03   0.040          0.080

      b1                              ø    0°                    15°    0°             15°

c

          e1  ø

ALD1101A/ALD1101B/ALD1101             Advanced Linear Devices                                 7  of  8
                                      CERDIP-8 PACKAGE DRAWING

                                          8 Pin CERDIP Package

                                   E  E1

                                                                       Millimeters             Inches

                                          Dim                      Min           Max    Min            Max

                                          A                        3.55          5.08   0.140          0.200

      D                                   A1                       1.27          2.16   0.050          0.085

                                          b                        0.97          1.65   0.038          0.065

                                          b1                       0.36          0.58   0.014          0.023

s                              A1         C                        0.20          0.38   0.008          0.015

                                          D-8                      --            10.29  --             0.405

                                      A   E                        5.59          7.87   0.220          0.310

                                          E1                       7.73          8.26   0.290          0.325

L                          L2         L1  e                            2.54 BSC             0.100 BSC

   b                                      e1                           7.62 BSC             0.300 BSC

                               b1         L                        3.81          5.08   0.150          0.200

                                          L1                       3.18             --  0.125          --

          e                               L2                       0.38          1.78   0.015          0.070

                                          S                        --            2.49   --             0.098

                                          Ø                        0°            15°    0°             15°

C

                           ø

      e1

ALD1101A/ALD1101B/ALD1101                 Advanced Linear Devices                                      8    of  8
Mouser Electronics

Authorized Distributor

Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information:

Advanced Linear Devices:

ALD1101BSAL  ALD1101PA  ALD1101PAL  ALD1101ASAL  ALD1101SAL  ALD1101BPAL  ALD1101APAL

ALD1101SA  ALD1101APA
小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved