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89C1632RPQE-20

器件型号:89C1632RPQE-20
厂商名称:Maxell
厂商官网:http://www.maxell.com
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器件描述

16 Megabit (512K x 32-Bit) MCM SRAM

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89C1632RPQE-20器件文档内容

                                                                                                             89C1632

                                                                                                 16 Megabit (512K x 32-Bit)
                                                                                                                 MCM SRAM

                                                            16 Megabit (512k x 32-bit) SRAM MCM

CS 1-4
Address
OE, WE

Power 4Mb SRAM                                                                                   4Mb SRAM  4Mb SRAM   4Mb SRAM Ground

MCM

                                                            I/O 0-7                              I/O 8-15  I/O 16-23  I/O 24-31                                          Memory

                                                                                                 Logic Diagram

FEATURES:                                                   DESCRIPTION:

Four 512k x 8 SRAM architecture                           Maxwell Technologies' 89C1632 high-performance 16 Mega-
RAD-PAK technology hardens against natural space radia-  bit Multi-Chip Module (MCM) Static Random Access Memory
                                                            features a greater than 100 krad (Si) total dose tolerance,
   tion technology                                          depending upon space mission. The four 4-Megabit SRAM die
Total dose hardness:                                      and bypass capacitors are incorporated into a high-reliable
                                                            hermetic quad flat-pack ceramic package. With high-perfor-
   - > 100 krad (Si), depending upon space mission          mance silicon-gate CMOS technology, the 89C1632 reduces
Excellent Single Event Effects:                           power consumption and eliminates the need for external
                                                            clocks or timing strobes. It is equipped with output enable
   - SEL > 101MeV-cm2/mg                                    (OE) and four byte enable (CS1 - CS4) inputs to allow greater
   - SEU threshold = 3 MeV-cm2/mg                           system flexibility. When OE input is high, the output is forced
   - SEU saturated cross section: 6E-9 cm2/bit              to high impedance.
Package: 68-pin quad flat package
Fast access time: 20, 25 and 30 ns                        Maxwell Technologies' patented RAD-PAK packaging technol-
Completely static memory - no clock or timing strobe      ogy incorporates radiation shielding in the microcircuit pack-
   required                                                 age. In a GEO orbit, RAD-PAK provides true greater than 100
Internal bypass capacitor                                 krad (Si) total radiation dose tolerance, dependent upon space
High-speed silicon-gate CMOS technology                   mission. It eliminates the need for box shielding while provid-
5V or 3V 10% power supply                               ing the required radiation shielding for a lifetime in orbit or a
Equal address and chip enable access times                space mission. This product is available with screening up to
Three-state outputs                                       Maxwell Technologies self-defined Class K.
All inputs and outputs are TTL compatible

                                                                                 01.10.05 Rev 3  All data sheets are subject to change without notice 1

(619) 503-3300 - Fax: (619) 503-3301 - www.maxwell.com                                                                                 2005 Maxwell Technologies.
                                                                                                                                                   All rights reserved.
16 Megabit (512K x 32-Bit) MCM SRAM                                                            89C1632

                                           TABLE 1. PINOUT DESCRIPTION

                      PIN                       SYMBOL                            DESCRIPTION

           34-28, 42-36, 62-64, 7, 8             A0-A18              Address Enable
                        65                         WE                WriteEnable
                        66                          OE               Output Enable
                       3-6                                           Chip Enable
                                                CS1 - CS4            Data Input/Output
           43-46, 48-56, 58-61, 9-12,           I/O0-I/O31
              14-17, 19-22, 24-27
                    2, 67, 68                                   NC   No Connection
                  1, 18, 35, 52
                 13, 23, 47, 57                                 VCC  +5V Power Supply

                                                                VSS  Ground

                      TABLE 2. 89C1632 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS                                                                              Memory

                                                (VOLTAGE REFERENCED TO VSS = 0V)

PARAMETER                                                            SYMBOL       MIN            MAX          UNITS
                                                                                                                V
Power Supply Voltage Relative to VSS                                 VCC          -0.5           +7.0           V
Voltage Relative to VSS for Any Pin Except VCC                                                 VCC+0.5         W
Power Dissipation                                                    VIN, VOUT    -0.5                         C
Operating Temperature                                                                            4.0           C
Storage Temperature                                                  PD             --          +125
                                                                                                +150
                                                                     TA           -55

                                                                     TS           -65

           TABLE 3. 89C1632 RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS

                      (VCC = 5.0 + 10%, TA = -55 TO +125 C, UNLESS OTHERWISE NOTED)

PARAMETER                                                            SYMBOL       MIN          MAX            UNITS
                                                                                                                V
Supply Voltage, (Operating Voltage Range)                            VCC          4.5          5.5              V
Input High Voltage                                                                                              V
Input Low Voltage                                                    VIH          2.2          VCC + 0.5 (1)

                                                                     VIL            -0.5 (2)   0.8

1. VIH (max) = VCC + 2V ac (pulse width < 10ns) for I < 80 mA.
2. VIL (min) = -2.0V ac; (pulse width < 20 ns) for I < 80 mA.

           PARAMETER  TABLE 4. 89C1632 DELTA LIMITS
           ICC
                                                                 VARIATIONL
                                                     +10% of stated value in table 5

                                                01.10.05 Rev 3       All data sheets are subject to change without notice 2

                                                                                                           2005 Maxwell Technologies.
                                                                                                                       All rights reserved.
16 Megabit (512K x 32-Bit) MCM SRAM                                                                       89C1632

                      PARAMETER       TABLE 4. 89C1632 DELTA LIMITS

                      ISB                                                        VARIATIONL
                      ISB1                                           +10% of stated value in table 5
                      ILI                                            +10% of stated value in table 5
                                                                     +10% of stated value in table 5

                            TABLE 5. 89C1632 DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

                              (VCC = 5.0 + 10%, TA = -55 TO +125 C, UNLESS OTHERWISE NOTED)

PARAMETER                        SYMBOL TEST CONDITIONS                       SUBGROUPS MIN           TYP  MAX  UNITS

Input Leakage Current            ILI VIN = 0 to VCC                           1, 2, 3 -8.0 -- +8.0 uA

Output Leakage Current           ILO CS = VIH, VOUT = VSS to VCC              1, 2, 3 -8.0 -- +8.0 uA

Average Operating Current        ICC Min. Cycle, 100% Duty, CS = VIL,         1, 2, 3                 --        mA
Cycle Time:                             IOUT = 0 mA
                                        VIN = VIH or VIL                                         --        800                                   Memory
20 ns
25 ns                                                                                           --        760
30 ns
                                                                                                 --        720

Standby Power Supply Current ISB CS= VIH, cycle time > 25ns                   1, 2, 3            --   -- 240 mA

CMOS Standby Power Supply        ISB1 CS > VCC - 0.2V, f = 0 MHz, VIN >       1, 2, 3            --   --   60   mA
Current                                  VCC - 0.2V or
                                         VIN < 0.2V

Output Low Voltage               VOL IOL = + 8.0 mA                           1, 2, 3 --              -- 0.4    V

Output High Voltage              VOH IOH = -4.0 mA                            1, 2, 3 2.4 --               --   V

Input Capacitance1               CIN                VIN = 0 V                 1, 2, 3                                pF
                                                                              1, 2, 3                      7
CS1 - CS4,                                                                                                 28
                                                                                                           7
OE, WE

I/O0-7, I/O8-15, I/O16-23,

I/O24-31

Input / Output Capacitance1 COUT                    VI/O = 0 V                4, 5, 6                      8    pF

1. Guaranteed by design.

                      TABLE 6. 89C1632 AC OPERATING CONDITIONS AND CHARACTERISTICS

                                 (VCC = 5.0 + 10%, TA = -55 TO +125 C, UNLESS OTHERWISE NOTED)

PARAMETER                                                                MIN           TYP            MAX       UNITS
                                                                                                                  V
Input Pulse Level                                                        0.0           --             3.0         V
                                                                                                                 ns
Output Timing Measurement Reference Level                                --            --             1.5

Input Rise/Fall Time                                                     --            --             3.0

                                                         01.10.05 Rev 3  All data sheets are subject to change without notice 3

                                                                                                               2005 Maxwell Technologies.
                                                                                                                           All rights reserved.
16 Megabit (512K x 32-Bit) MCM SRAM                                                                 89C1632

                 TABLE 6. 89C1632 AC OPERATING CONDITIONS AND CHARACTERISTICS

                               (VCC = 5.0 + 10%, TA = -55 TO +125 C, UNLESS OTHERWISE NOTED)

PARAMETER                                                 MIN       TYP                             MAX       UNITS
                                                                                                                V
Input Timing Measurement Reference Level                  --        --                              1.5

                                 TABLE 7. 89C1632 READ CYCLE

                               (VCC = 5.0 + 10%, TA = -55 TO +125 C, UNLESS OTHERWISE NOTED)

PARAMETER                                 SYMBOL SUBGROUPS     MIN                             TYP       MAX  UNITS

Read Cycle Time                           tRC   9, 10, 11                                                           ns
-20                                                                                                     --
-25                                                           20                              --        --
-30                                                                                                     --
                                                               25                              --

                                                               30                              --

Address Access Time                       tAA   9, 10, 11                                                            ns
-20                                                                                                     20
-25                                                           --                              --        25
-30                                                                                                     30
                                                               --                              --

                                                               --                              --

Chip Select to Output                     tCO   9, 10, 11                                                            ns            Memory
-20                                                                                                     20
-25                                                           --                              --        25
-30                                                                                                     30
                                                               --                              --

                                                               --                              --

Output Enable to Output                   tOE   9, 10, 11                                                            ns
-20                                                                                                     10
-25                                                           --                              --        12
-30                                                                                                     14
                                                               --                              --

                                                               --                              --

Output Enable to Low-Z Output             tOLZ  9, 10, 11                                                           ns
-20                                                                                                     --
-25                                                           --                              0         --
-30                                                                                                     --
                                                               --                              0

                                                               --                              0

Chip Enable to Low-Z Output               tLZ   9, 10, 11                                                           ns
-20                                                                                                     --
-25                                                           --                              3         --
-30                                                                                                     --
                                                               --                              3

                                                               --                              3

Output Disable to High-Z Output           tOHZ  9, 10, 11                                                           ns
-20                                                                                                     --
-25                                                           --                              5         --
-30                                                                                                     --
                                                               --                              6

                                                               --                              8

Chip Disable to High-Z Output             tHZ   9, 10, 11                                                           ns
-20                                                                                                     --
-25                                                           --                              5         --
-30                                                                                                     --
                                                               --                              6

                                                               --                              8

Output Hold from Address Change           tOH   9, 10, 11                                                           ns
-20                                                                                                     --
-25                                                           3                               --        --
-30                                                                                                     --
                                                               3                               --

                                                               3                               --

                                          01.10.05 Rev 3   All data sheets are subject to change without notice 4

                                                                                                 2005 Maxwell Technologies.
                                                                                                             All rights reserved.
16 Megabit (512K x 32-Bit) MCM SRAM                                                            89C1632

                                  TABLE 8. 89C1632 FUNCTIONAL DESCRIPTION

           CS                  WE       OE                   MODE          I/O PIN             SUPPLY CURRENT
            H
            L                  X1        X1                  Not Select    High-Z                  ISB, ISB1
            L                                                                                        ICC
            L                  H         H   Output Disable                High-Z                    ICC
                                                                                                     ICC
1. X = don't care.             H         L                   Read          DOUT

                               L         X1                  Write         DIN

                                       TABLE 9. 89C1632 WRITE CYCLE

                               (VCC = 5.0 + 10%, TA = -55 TO +125 C, UNLESS OTHERWISE NOTED)

PARAMETER                          SYMBOL    SUBGROUPS       MIN         TYP                   MAX  UNITS

Write Cycle Time                   tWC       9, 10, 11                                                        ns                     Memory
-20                                                                                           --
-25                                                                20                         --
-30                                                                                           --
                                                                    25
Chip Select to End of Write
-20                                                                30
-25
-30                               tCW       9, 10, 11                                                        ns
                                                                                               --
Address Set-up Time                                                 14                         --
-20                                                                                           --
-25                                                                17
-30
                                                                    20
Address Valid to End of Write
-20                               tAS       9, 10, 11                                                        ns
-25                                                                                           --
-30                                                                0                          --
                                                                                               --
Write Pulse Width (OE High)                                         0
-20
-25                                                                0
-30
                                   tAW       9, 10, 11                                                        ns
Write Pulse Width (OE Low)                                                                     --
-20                                                                14                         --
-25                                                                                           --
-30                                                                17

Write Recovery Time                                                 20
-20
-25                               tWP       9, 10, 11                                                        ns
-30                                                                                           --
                                                                    14                         --
                                                                                               --
                                                                    17

                                                                    20

                                   tWP1      9, 10, 11                                                        ns
                                                                                               --
                                                                    20                         --
                                                                                               --
                                                                    25

                                                                    30

                                   tWR       9, 10, 11                                                        ns
                                                                                               --
                                                                    0                          --
                                                                                               --
                                                                    0

                                                                    0

                                             01.10.05 Rev 3  All data sheets are subject to change without notice 5

                                                                                                   2005 Maxwell Technologies.
                                                                                                               All rights reserved.
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                                    TABLE 9. 89C1632 WRITE CYCLE

                            (VCC = 5.0 + 10%, TA = -55 TO +125 C, UNLESS OTHERWISE NOTED)

PARAMETER                   SYMBOL  SUBGROUPS       MIN  TYP                                MAX  UNITS

Write to Output High-Z      tWHZ    9, 10, 11                                                              ns
-20                                                                                        --
-25                                                --   5                                  --
-30                                                                                        --
                                                    --   7
Data to Write Time Overlap
-25                                                --   9
-30
                            tDW     9, 10, 11                                                              ns
Data Hold from Write Time                                                                   --
-20                                                10                                      --
-25                                                                                        --
-30                                                12

End Write to Output Low-Z                           14
-20
-25                        tDH     9, 10, 11                                                              ns
-30                                                                                        --
                                                    0                                       --
                                                                                            --
                                                    0

                                                    0

                            tOW     9, 10, 11                                                              ns
                                                                                            --
                                                    --   3                                  --
                                                                                            --
                                                    --   3                                                                  Memory

                                                    --   3

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                                     FIGURE 1. AC TEST LOADS

FIGURE 2. TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE (1) (ADDRESS CONTROLLED)                                              Memory
     FIGURE 3. TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE (2) (WE = VIH)

1. WE is high for read cycle.
2. All read cycle timing is referenced from the last valid address to the first transition address.

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3. tHZ and tOHZ are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit condition and are not referenced to VOH or
   VOL levels.

4. At any given temperature and voltage conditions, tHZ (max) is less than tLZ (min) both for a given device and from device to
   device.

5. Transition is measured +200mV from steady state voltage with Load(B). This parameter is sampled and not 100% tested.

6. Device is continuously selected with CS = VIL.
7. Address valid prior to coincident with CS transition low.

8. For common I/O applications, minimization or elimination of bus contention conditions is necessary during read and write
   cycle.

FIGURE 4. TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE (1) (OE CLOCK)

                                                                                                                                  Memory

FIGURE 5. TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE (2) (OE LOW FIIXED)

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FIGURE 6. TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE (3) (CS CONTROLLED)

1. All write cycle timing is referenced from the last valid address to the first transition address.                               Memory

2. A write occurs during the overlap of a low CS and WE. A write begins at the latest transition CS going low and WE going low.
   A write ends at the earliest transition CS going high or WE going high. tWP is measured from the beginning of write to the end
   of write.

3. tCW is measured from the later of CS going low to end of write.
4. tAS is measured from the address valid to the beginning of write.
5. tWR is measured from the end of write to the address change. tWR applied in case a write ends as CS or WE going high.
6. If OE, CS and WE are in the Read Mode during this period, the I/O pins are in the output low-Z state. Inputs of opposite phase

   of the output must not be applied because bus contention can occur.

7. For common I/O applications, minimization of elimination of bus contention conditions is necessary during read and write
   cycle.

8. If CS foes low simultaneously with WE going or after WE going low, the outputs remain high impedance state.

9. DOUT is the read data of the new address.
10.When CS is low, I/O pins are in the output state. The input signals in the opposite phase leading to the output should not

   be applied.

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FIGURE 7. SRAM HEAVY ION CROSS SECTION

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FIGURE 8. SRAM PROTON SEU CROSS SECTION STATIC

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        68 PIN RAD-PAK QUAD FLAT PACKAGE

SYMBOL                               DIMENSION

   A    MIN                          NOM        MAX
   b                                            0.244
   c    0.206                          0.225    0.018
  D     0.015                          0.017    0.12
  D1    0.008                          0.009    1.509
   e    1.479                          1.494
  S1                                   0.800      --
  F1      --                         0.050 BSC  1.249
  F2    1.239                          0.339    1.439
   L    1.429                          1.244    2.545
  L1    2.485                          1.434    2.505
  L2    2.485                          2.510    1.710
  A1    1.690                          2.500    0.210
  N     0.180                          1.700
                                       0.195

                                         68

                    Q68-04
        Note: All dimensions in inches

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These data sheets are created using the chip manufacturers published specifications. Maxwell Technologies verifies
functionality by testing key parameters either by 100% testing, sample testing or characterization.

The specifications presented within these data sheets represent the latest and most accurate information available to
date. However, these specifications are subject to change without notice and Maxwell Technologies assumes no
responsibility for the use of this information.

Maxwell Technologies' products are not authorized for use as critical components in life support devices or systems
without express written approval from Maxwell Technologies.

Any claim against Maxwell Technologies must be made within 90 days from the date of shipment from Maxwell Tech-
nologies. Maxwell Technologies' liability shall be limited to replacement of defective parts.

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Product Ordering Options                   Option Details
                                        20 = 20 ns
Model Number                            25 = 25 ns
                                        30 = 30 ns
89C1632 RP Q X  -XX        Feature
                     Access Time        Multi Chip Module (MCM)1
                                        K = Maxwell Self-Defined Class K
                     Screening Flow     H = Maxwell Self-Defined Class H
                                        I = Industrial (testing

                                            @ -55C, +25C, +125C)
                                        E = Engineering (testing @ +25C)

                     Package            Q = Quad Flat Pack                                                   Memory

                     Radiation Feature  RP = RAD-PAK package

                     Base Product       16 Megabit (512K x 32-Bit) MCM
                     Nomenclature       SRAM

1) Products are manufactured and screened to Maxwell Technologies self-defined Class H and Class K.

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