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EEWorld咨询电话：82357002，82350740－8068 邮件咨询：datasheet@eeworld.com.cn 器件描述：1 Mbit 128Kb x8, Uniform Block Single Supply Flash Memory 器件厂商：STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics] 厂商主页：http://www.st.com/ 文件大小：402.96KB 文件页数：20 PDF阅读：29F010.pdf (点击阅读器件资料) 摘要： 1/20September 2005 M29F010B 1 Mbit (128Kb x8, Uniform Block) Single Supply Flash Memory ■ SINGLE 5V±10% SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS ■ ACCESS TIME: 45 ns ■ PROGRAMMING TIME – 8 ?s per Byte typical ■ 8 UNIFORM 16 KBytes MEMORY BLOCKS ■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER – Embedded Byte Program algorithm – Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm – Status Register Polling and Toggle Bits ■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES – Read and Program another Block during Erase Suspend ■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND – Faster Production/Batch Programming ■ LOW POWER CONSUMPTION – Standby and Automatic Standby ■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per BLOCK ■ 20 YEARS DATA RETENTION – Defectivity below 1 ppm/year ■ ELECTRONIC SIGNATURE – Manufacturer Code: 20h – Device Code: 20h ■ ECOPACK ? PACKAGES AVAILABLE TSOP32 (N) 8 x 20mm PLCC32 (K) Figure 1. Logic Diagram AI02735 17 A0-A16 W DQ0-DQ7 V CC M29F010B E V SS 8 G 相关器件：M29F010B M29F010B120K1T M29F010B120K3E M29F010B120K3F M29F010B120K3T M29F010B120K6 M29F010B120K6E M29F010B120K6F M29F010B120K6T M29F010B120N1 M29F010B120N1E M29F010B120N1F M29F010B120N3 M29F010B120N1T M29F010B120N3E M29F010B120N3T M29F010B120N3F M29F010B120N6E M29F010B120N6 M29F010B120N6T M29F010B120N6F M29F010B120P1T M29F010B120P3T M29F010B120P6T M29F010B45K1 M29F010B45K1E M29F010B45K1F M29F010B45K3E M29F010B45K1T M29F010B45K3 M29F010B45K3F M29F010B45K3T M29F010B45K6 M29F010B45K6E M29F010B45K6F M29F010B45K6T M29F010B45N1 M29F010B45N1E M29F010B45N1T M29F010B45N1F M29F010B45N3 M29F010B45N3E M29F010B45N3F M29F010B45N3T M29F010B45N6 M29F010B45N6E M29F010B45N6F M29F010B45N6T M29F010B45P1T M29F010B45P3T M29F010B45P6T M29F010B70K1E M29F010B70K1 M29F010B70K1F M29F010B70K1T M29F010B70K3 M29F010B70K3F M29F010B70K3E M29F010B70K3T M29F010B70K6 M29F010B70K6E M29F010B70K6F M29F010B70K6T M29F010B70N1 M29F010B70N1E M29F010B70N1F M29F010B70N1T M29F010B70N3 M29F010B70N3E M29F010B70N3F M29F010B70N3T M29F010B70N6 M29F010B70N6E M29F010B70N6F M29F010B70N6T M29F010B70P1T M29F010B70P3T M29F010B70P6T M29F010B90K1 M29F010B90K1E M29F010B90K1F M29F010B90K1T M29F010B90K3 M29F010B90K3E M29F010B90K3F M29F010B90K3T M29F010B90K6 M29F010B90K6E M29F010B90K6F M29F010B90K6T M29F010B90N1 M29F010B90N1E M29F010B90N1F M29F010B90N1T M29F010B90N3 M29F010B90N3E M29F010B90N3F M29F010B90N6 M29F010B90N3T M29F010B90N6F

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文件页数：20
PDF阅读：29F010.pdf (点击阅读器件资料)

摘要：
1/20September 2005
M29F010B
1 Mbit (128Kb x8, Uniform Block) Single Supply Flash Memory
■ SINGLE 5V±10% SUPPLY VOLTAGE for
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS
■ ACCESS TIME: 45 ns
■ PROGRAMMING TIME
– 8 ?s per Byte typical
■ 8 UNIFORM 16 KBytes MEMORY BLOCKS
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER
– Embedded Byte Program algorithm
– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm
– Status Register Polling and Toggle Bits
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES
– Read and Program another Block during
Erase Suspend
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND
– Faster Production/Batch Programming
■ LOW POWER CONSUMPTION
– Standby and Automatic Standby
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per
BLOCK
■ 20 YEARS DATA RETENTION
– Defectivity below 1 ppm/year
■ ELECTRONIC SIGNATURE
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PLCC32 (K)
Figure 1. Logic Diagram
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应用设计: 基于ARM和蓝牙的无线信号采集系统的设计与实现; 基于单片机和GPRS的矿区铁路道口监测系统; 基于MSP430单片机的开关稳压电源设计; 基于嵌入式系统的虚拟仪器设计; 基于80C51微处理器的OLED模块设计; 嵌入式阵列处理器的发展现状及前景; 广泛应用于未来一代汽车的高亮LED照明方案; 利用微控制器进行网络通信的网卡配置; 基于MCU的家庭防盗报警系统的设计与应用; 基于FPGA的UART接口开发

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