电子工程世界电子工程世界电子工程世界

型号

产品描述

搜索
 

75NF75

器件型号:75NF75
文件大小:231.64KB,共0页
厂商名称:ESTEK [Estek Electronics Co. Ltd]
厂商官网:http://www.estek.com.cn/eten/index.asp
下载文档

器件描述

文档预览

75NF75器件文档内容

z Dynamic dv/dt Rating                                                   75NF75
z 175C Operating Temperature
z Fast switching                                         HEXFET Power MOSFET
z Ease of Paralleling
z Simple Drive Requirements                                 VDSS = 75V
                                                            ID25 = 75A
                                                            RDS(ON) = 13.0 m

Description                                                                       Pin1Gate
                                                                                  Pin2Drain
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer        Pin3Source
with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low
on-resistance and cost-effectiveness.                                                  Units

The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial                 A
applications at power dissipation levels to approximately 50watts. The low
thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its                   W
wide acceptance throughout the industry.                                               W/C

Absolute Maximum Ratings                                                                  V
                                                                                         mJ
                         Parameter                            Max.                      V/ns
                                                                75
ID@TC=25C Continuous Drain Current, VGS@10V                    60                       C
                                                               300
ID@TC=100C Continuous Drain Current, VGS@10V                  200
                                                                1.5
IDM    Pulsed Drain Current                                    20
                                                                23
PD@TC=25C Power Dissipation                                    5.9

       Linear Derating Factor                            55 to +175

VGS    Gate-to-Source Voltage                      300(1.6mm from case)
                                                     10 Ibf . in(1.1N . m)
EAR    Single Pulse Avalanche Energy

dv/dt  Peak Diode Recovery dv/dt

TJ     Operating Junction and

TSTG   Storage Temperature Range

       Soldering Temperature, for 10 seconds

       Mounting Torque,6-32 or M3 screw

Thermal Resistance

                    Parameter                  Min.  Typ.                   Max.  Units
                                                                                  C /W
RJC    Junction-to-case                        --    --                     0.65

RCS    Case-to-Sink, Flat, Greased Surface     --    0.50                   --

RJA    Junction-to-Ambient                     --    --                     62

                                            1
                                                                                    75NF75

                                                                     HEXFET Power MOSFET

Electrical Characteristics @TJ=25 C (unless otherwise specified)

                      Parameter                           Min. Typ. Max. Units  Test Conditions

V(BR)DSS   Drain-to-Source Breakdown Voltage 75 -- -- V VGS=0V,ID=250uA

V(BR)DSS/  Breakdown Voltage Temp. Coefficient -- 0.074              -- V/C Reference to 25C,ID=1mA
TJ

RDS(on)    Static Drain-to-Source On-resistance -- -- 13.0 m VGS=10V,ID=40A

VGS(th)    Gate Threshold Voltage                         2.0 -- 4.0 V VDS=VGS, ID=250A

gfs        Forward Transconductance                          20 --   -- S VDS=25V,ID=40A

IDSS       Drain-to-Source Leakage current                   ----    25 A VDS=75V,VGS=0V

                                                             -- -- 250          VDS=60V,VGS=0V,TJ=150C

IGSS       Gate-to-Source Forward leakage                    -- -- 100   nA     VGS=20V

           Gate-to-Source Reverse leakage                    -- -- -100         VGS=-20V

Qg         Total Gate Charge                                 -- -- 160          ID=40A

Qgs        Gate-to-Source charge                             -- -- 29 nC VDS=60V

Qgd        Gate-to-Drain ("Miller") charge                   -- -- 55           VGS=10V See Fig.6 and 13

td(on)     Turn-on Delay Time                                -- 13   --         VDD=38V
tr         Rise Time                                         -- 64
td(off)    Turn-Off Delay Time                               -- 49   --         ID=40A
tf         Fall Time                                         -- 48   -- nS RG=2.5

                                                                     --         VGS=10V See Figure 10

LD         Internal Drain Inductance                         -- 4.5 --          Between lead,
                                                                                6mm(0.25in.)

                                                                         nH from package

LS         Internal Source Inductance                        -- 7.5 --          and center of
                                                                                die contact

Ciss       Input Capacitance                                 -- 3820 --         VGS=0V

Coss       Output Capacitance                                -- 610  -- pF VDS=25V
                                                             -- 130
Crss       Reverse Transfer Capacitance                              --         f=1.0MHZ See Figure 5

Source-Drain Ratings and Characteristics

           Parameter                  Min. Typ. Max. Units                      Test Conditions

IS Continuous Source Current . --           --               75             MOSFET symbol
        (Body Diode)                                                        showing the
                                                                     A
        Pulsed Source Current   .--         -- 300                          integral reverse
ISM                                                                         p-n junction diode.

        (Body Diode)

VSD Diode Forward Voltage             --    --               1.3     V TJ=25C,IS=40A,VGS=0V

trr Reverse Recovery Time             --    100 150                  nS TJ=25C,IF=40A

Qrr Reverse Recovery Charge           --    410 610                  nC di/dt=100A/s

ton Forward Turn-on Time          Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by Ls + LD)

Notes:

Calculated continuous current based on maximum               Starting TJ = 25C, L = 370mH, RG = 25, IAS = 40A,
     allowable junction temperature. Package limitation            VGS=10V (See Figure 12)
     current is 75A.
                                                              ISD  40A, di/dt  300A/s, VDD  V(BR)DSS,TJ  175C
Repetitive rating; pulse width limited by max. junction
     temperature. (See fig. 11)                               Pulse width  400s; duty cycle  2%.

                                                          2
This datasheet has been downloaded from:
             www.EEworld.com.cn

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company

75NF75器件购买:

该厂商的其它器件

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved