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75N75

器件型号:75N75
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厂商名称:UTC [Unisonic Technologies]
厂商官网:http://www.utc-ic.com/
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75N75器件文档内容

                UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

75N75                                                                             Power MOSFET

75Amps, 75Volts                                                                              TO- 251

N-CHANNEL POWER MOSTFET                                                    1

      DESCRIPTION                                                                 1
                                                                                                      TO - 252
      The UTC 75N75 is n-channel enhancement mode power field
effect transistors with stable off-state characteristics, fast          1         TO-220
switching speed, low thermal resistance, usually used at telecom
and computer application.

      FEATURES                                                                   1
                                                                                                          TO-220F
* RDS(ON) = 12.5m @VGS = 10 V
* Ultra low gate charge ( typical 90 nC )                            *Pb-free plating product number: 75N75L
* Fast switching capability
* Avalanche energy Specified
* Improved dv/dt capability, high ruggedness

SYMBOL

                2.Drain

1.Gate

                3.Source

ORDERING INFORMATION

                Order Number                      Package         Pin Assignment   Packing

        Normal            Lead Free Plating                       1  2        3      Tube
                                                                                     Tube
75N75-TA3-T               75N75L-TA3-T            TO-220          G  D        S      Tube
                                                                                  Tape Reel
75N75-TF3-T               75N75L-TF3-T            TO-220F         G  D        S      Tube

75N75-TM3-T               75N75L-TM3-T            TO-251          G  D        S

75N75-TN3-R               75N75L-TN3-R            TO-252          G  D        S

75N75-TN3-T               75N75L-TN3-T            TO-252          G  D        S

Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain S: Source

        75N75L-TA3-T                              (1) T: Tube, R: Tape Reel
                                                  (2) TA3: TO-220, TF3: TO-220F, TM3: TO-251,
                          (1)Packing Type
                          (2)Package Type            TN 3: TO-252
                          (3)Lead Plating         (3) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn

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Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd.                                  QW-R502-097,A
75N75                                                                                     Power MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

                         PARAMETER                             SYMBOL           RATINGS                UNIT

Drain to Source Voltage                                            VDSS              75                V

Continuous Drain Current            TC = 25                        ID                75                A
                                    TC = 100
                                                                                     56                A

Drain Current Pulsed (Note 1)                                      IDM               300               A
Gate to Source Voltage
                                                                   VGS              20                 V
Avalanche Energy
                                    Single Pulsed(Note 2)          EAS               900               mJ

                                    Repetitive (Note 1)            EAR               300               mJ

Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3)                                 dv/dt             15                V/ns

Total Power Dissipation             TC = 25                        PD                220               W
                                    Derating above 25
                                                                                     1.4               W/

Junction Temperature                                               TJ           +150                  
Storage Temperature
                                                                   TSTG         -55 ~ +150            

Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.

Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

THERMAL DATA

                               PARAMETER                       SYMBOL      MIN      TYP         MAX    UNIT
Thermal Resistance Junction-Ambient                                JA               0.5         62.5   /W
Thermal Resistance Junction-Case                                   JC                            0.8
Thermal Resistance Case-Sink                                       CS                                  /W
                                                                                                       /W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25, unless otherwise specified)

           PARAMETER                      SYMBOL   TEST CONDITIONS              MIN TYP MAX UNIT

Off Characteristics

Drain-Source Breakdown Voltage            BVDSS VGS = 0 V, ID = 250 A          75                     V

Breakdown Voltage Temperature       BVDSS/TJ     ID = 1mA,   to  25                     0.08         V/
Coefficient                                        Referenced

                                                   VDS = 75 V, VGS = 0 V                          20   A

Drain-Source Leakage Current              IDSS     VDS = 75 V, VGS = 0 V,                         250 A

                                                   TJ = 150

Gate-Source Leakage Current               IGSS     VGS = 20V, VDS = 0 V                         100 nA
Gate-Source Leakage Reverse                        VGS = -20V, VDS = 0 V                        -100 nA

On Characteristics

Gate Threshold Voltage                    VGS(TH) VDS = VGS, ID = 250 A        2.0               4.0  V

Static Drain-Source On-State              RDS(ON) VGS = 10 V, ID = 48 A                   12.5 15 m
Resistance

Dynamic Characteristics

Input Capacitance                         CISS     VGS = 0 V, VDS = 25 V                  3300         pF
Output Capacitance                        COSS     f = 1MHz
Reverse Transfer Capacitance              CRSS                                            530          pF

                                                                                          80           pF

Switching Characteristics

Turn-On Delay Time                        tD(ON)                                          12           ns

Rise Time                                   tR     VDD = 38V, ID =48A,                    79           ns
Turn-Off Delay Time                       tD(OFF)  VGS=10V, (Note 4, 5)
                                                                                          80           ns

Fall Time                                 tF                                              52           ns

Total Gate Charge                         QG       VDS = 60V, VGS = 10 V                  90 140 nC
Gate-Source Charge                        QGS      ID = 48A, (Note 4, 5)
Gate-Drain Charge (Miller Charge)         QGD                                             20      35   nC

                                                                                          30      45   nC

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75N75                                                                    Power MOSFET

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Cont.)

PARAMETER                  SYMBOL               TEST CONDITIONS          MIN TYP MAX UNIT

Source-Drain Diode Ratings and Characteristics

Continuous Source Current  IS                                                 75
                                                                                           A
Pulsed Source Current      ISM
                                                                              300

Diode Forward Voltage      VSD IS = 48A, VGS = 0 V                            1.4  V

Reverse Recovery Time      trr IS = 48A, VGS = 0 V                       90        ns
Reverse Recovery Charge    Qrr dIF / dt = 100 A/s
                                                                         300       C

Note 1. Repeativity rating: pulse width limited by junction temperature
       2. L=0.24mH, IAS=48A, RG=20, Starting TJ=25
       3. ISD48A, di/dt300A/s, VDDBVDSS, Starting TJ=25
       4. Pulse Test: Pulse Width300s,Duty Cycle2%

5. Essentially independent of operating temperature.

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75N75                                                                          Power MOSFET

       TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS

                        D.U.T.              +

                                            VDS

                                                -
                +

                 -                                  L

                    RG

                                            Driver                                    VDD

                                                    * dv/dt controlled by RG

           VGS          Same Type                   * ISD controlled by pulse period
                                                    * D.U.T.-Device Under Test
                        as D.U.T.

                 Fig. 1A Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit

   VGS                              Period                      P. W.
(Driver)                                              D=
           P.W.
   ISD                                                          Period
(D.U.T.)
                                                                                      VGS= 10V
    VDS
(D.U.T.)               IFM, Body Diode Forward Current
                                                                                 di/dt

                                                              IRM
                                                  Body Diode Reverse Current

                                           Body Diode Recovery dv/dt
                                                                                                       VDD

                                Body Diode          Forward Voltage Drop                        

                                  Fig. 1B Peak Diode Recovery dv/dt Waveforms                4 of 8

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75N75                                                                                                  Power MOSFET

       TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS (Cont.)

                     VDS             RL                    VDS 90%
                                                 VDD
             VGS
     RG

     10V                             D.U.T.                      10%                                   tD (OFF)
                                                           VGS                                                     tF
              Pulse Width  1s
                                                                             tD(ON )
                                                                                           tR

                             Duty Factor 0.1%

                                                                                                                                      





     Fig. 2A Switching Test Circuit                        Fig. 2B Switching Waveforms

                                     Same Type

                         50k         as D.U.T.                                                 QG

  12V                          0.3F                        10V
                   0.2F

                                                      VDS

                                                                     QGS                       QGD

     VGS

                                     DUT

                               1mA                         VG

                                                                                                   Charge

     Fig. 3A Gate Charge Test Circuit                                Fig. 3B Gate Charge Waveform

                                                   L
                               VDS

                                                                                                                       BVDSS

         RD                                           VDD

10V                                  D.U.T.

     tp                                                         IAS

                                                                                                   tp                  Time

                                                                                                                                


  Fig. 4A Unclamped Inductive Switching Test Circuit    Fig. 4B Unclamped Inductive Switching Waveforms

     UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD                                                                               5 of 8

     www.unisonic.com.tw                                                                                   QW-R502-097,A
75N75                                                                                                                                                          Power MOSFET

       TYPICAL CHARACTERISTICS

                                                    On-State Characteristics                                                                        Transfer Characteristics
                                                                                                                                      102
                                                      V GS
                                              Top: 15V

                                                    10 V

                                                    8V                                                                                       150

                  Drain Current, ID (A)  102        7V                                               Drain Current, ID (A)
                                                    6V

                                                    5 .5V

                                                    5V

                                              Bottorm : 4.5V

                                         101                           4.5V                                                          101             25

                                         100  10-1               100         101                                                      100                    Note:
                                                                                                                                          2                  1. VDS=25V
                                                                                                                                                             2. 20s Pulse Test
                                                    Drain-Source Voltage, VDS (V)
                                                                                                                                             3 4 5 6 7 8 9 10
                                                                                                                                             Gate-Source Voltage, VGS (V)

                                                                                    

                                                                                    

Drain-Source On-Resistance, RDS(ON) (m)      On-Resistance Variation vs. Drain                                                        Reverse Drain Current vs. Allowable Case
                                                   Current and Gate Voltage                                                                              Temperature

                                       15                                                                                            102

                                         14                                                          Reverse Drain Current, ISD (A)

                                         13                   VGS=10V                                                                          150
                                                                                                                                     101
                                                                                                                                                          25

                                         12                                                                                                               *Note:
                                                                                                                                                          1. VGS=0V
                                                                                                                                     100                  2. 250s Test
                                                                                                                                       0.2
                                         11                                                                                                  0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
                                            0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

                                                    Drain Current, ID (A)                                                                    Source-Drain Voltage, VSD (V)        
                                                                                                   
                                                                                                   

                  6000                           Capacitance Characteristics                         Gate-to-Source Voltage, VGS (V)            Gate Charge Characteristics
                  5000                                   (Non-Repetitive)                                                             12
                  4000
                                                      CISS=CGS+CGD (CDS=shorted)                                                      10
                                                      COSS=CDS+CGD
Capacitance (pF)                                      CRSS=CGD
                                              CISS

                                                                                                                                      8              VDS=38V

                  3000                                                                                                                6                        VDS=60V
                  2000
                  1000                                                 *Note:                                                         4

                       0                                   CRSS        1. VGS=0V                                                      2
                                                    COSS               2. f = 1MHz                                                                                 *Note: ID=48A

                                                    5 10 15 20 25 30 35                                                               0
                                                    Drain-Source Voltage, VDC (V)                                                      0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
                                                                                                                                               Total Gate Charge, QG (nC)

                                         UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD                                                                                                              

                                         www.unisonic.com.tw                                                                                                                         6 of 8

                                                                                                                                                                              QW-R502-097,A
75N75                                                                                                                                            Power MOSFET

       TYPICAL CHARACTERISTICS(Cont.)Drain-Source Breakdown Voltage,                             Drain-Source On-Resistance, RDS(ON),             On-Resistance Variation vs.
   BVDSS(Normalized)                                                                                (Normalized)                                      Junction Temperature

                        Breakdown Voltage Variation vs.                                                                                3.0
                               Junction Temperature
                                                                                                                                       2.5
                1.2

                1.1

                                                                                                                                       2.0

                                 1.0                                                                                                   1.5

                                                        *Note:                                                                         1.0

                                 0.9                    1. VGS=0V                                                                                *Note:

                                                        2. ID=250A                                                                    0.5       1. VGS=10V

                                                                                                                                                 2. ID=3.5A

                                 0.8                                                                                                   0.0
                                  -100 -50 0 50 100 150 200
                                            Junction Temperature, TJ ()                                                               -100 -50 0 50 100 150 200
                                                                                               
                                                                                                                                            Junction Temperature, TJ ()      

                                       Maximum Safe Operating                                                                                  Maximum Drain Current vs. Case
                         100 Operation in This                                                                                                               Temperature

                                 Area by RDS(ON)                                                                                       70

                                                                                                                                       60

Drain Current , ID,(A)                                          100s                            Drain Current, ID (A)                 50

                                 10                     10ms 1ms                                                                       40

                                                        DC                                                                             30

                                 1 *Note:                                                                                              20
                                                                                                                                       10
                                         1. Tc=25
                                                                                                                                        0
                                         2. TJ=150                                                                                       25 50

                           0.1 3. Single Pulse                                                                                                   75 100 125 150

                                      1             10  100            1000

                                         Drain-Source Voltage, VD (V)                                                                       Case Temperature, TC ()                          

                                                                                   

                                                                                   

                                      Transient Thermal Response Curve

Thermal Response, ZJC (t)        1
                                     D=0.5

                                       0.2
                                               0.1

                                 0.1
                                          0.05

                                       0.02

                         0.01               0.01        *Note :
                                         Single pulse   1. ZJC (t) = 0.88/W Max.
                                                        2. Duty Factor , D=t1/t2

                                                        3. TJ -TC=PDMZJC (t )

                                 1E-5 1E-4 1E-3 0.01 0.1 1 10
                                    Square Wave Pulse Duration, t1 (sec)

                                 UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD                                                                                                                       7 of 8

                                 www.unisonic.com.tw                                                                                                                           QW-R502-097,A
75N75                                                                           Power MOSFET

                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              
                                                                              


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