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42-DL313

器件型号:42-DL313
厂商名称:SITI
厂商官网:http://www.siti.com.tw/
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器件描述

Optical Fiber Receiving IC

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42-DL313器件文档内容

42-DL313

          Version : A.004
          Issue Date : 2004/06/17
          File Name : SP-DL313-A.004.doc
          Total Pages: 6

          Optical Fiber Receiving IC

42-DL313   7  1

          SILICON TOUCH TECHNOLOGY INC.
          9-7F-1, Prosperity Road I, Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.
          Tel886-3-5645656 Fax886-3-5645626
                                                     42-DL313

SILICON TOUCH TECHNOLOGY INC.

           OPTICAL FIBER RECEIVING IC

GENERAL DESCRIPTION

           42-DL313 receiver is designed for the application of high-speed optical fiber transmission.
    As an OEIC, 42-DL313 integrates photo sensor, ATC (Automatic Threshold Control) and signal
    processing circuit for high-speed application, and is fabricated by using CMOS technology.
    42-DL313 is designed to operate by positive logic in which the output voltage is set to high
    level when optical flux is received.

FEATURES

    1. Low jitter (tj: Typical 1ns)
    2. High speed (Up to 13.2Mb/s, NRZ signal)
    3. Built-in photo sensor and signal processing circuit.
    4. Built-in ATC (Automatic Threshold Control) circuit used for stabilized output at a wide range

       of optical power level

BLOCK DIAGRAM And APPLICATION CIRCUIT

                42-DL313  VDD             DVDD
                             VDD
                              AVDD

                AMP                 COMP

                                                OUT

                          ATC

AVSS                                      DVSS

42-DL313-A.004                      -1-              VersionA.004
                                                                               42-DL313

                     SILICON TOUCH TECHNOLOGY INC.                             Unit
                                                                                 V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25)
                                                                                mW
                Item               Symbol                 Rating                 
Supply Voltage                       VDD                 -0.5 to +7              
Power dissipation                     P                                         mA
Operating Temperature                Topr                   100                 mA
                                     Tstg               -40 to +90
Storage Temperature
                                     IOH                -55 to +100
High Level Output Current            IOL
Low Level Output Current                                     -1
                                                             20

RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS

               ITEM        SYMBOL          MIN              TYP          MAX          UNIT
                                            2.7              3.0          3.6           V
Supply Voltage                 VDD         4.75              5.0         5.25           V
                                            -40              25            90           
Operating Temperature          Topr                                      -150
High Level Output Current      IOH                                        1.6          uA
Low Level Output Current       IOL                                                     mA

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

ITEM                       SYMBOL    CONDITIONS                   MIN. TYP. MAX UNIT

Peak sensitivity           P       Room temperature (25)                 700          nm
wavelength

Maximum Input Optical      PC,MAX  Input optical                  -17.5               dBm
Power for High level               wavelength = 650nm

Minimum Input Optical      PC,MIN  VDD = 3V, Input optical                      -27   dBm
Power for High level               wavelength = 650nm,                         -24.5

                                   VDD = 5V, Input optical
                                   wavelength = 650nm,

Current Consumption        IDD     VDD=3V, no input                      2            mA
                                   VDD=5V, no input                      3
High Level Output
Voltage                    VOH     IOH = -0.15mA                  2.4          VDD    V

Low Level Output           VOL     IOL = -1.6mA                   0            0.4    V
Voltage

Rise Time                  Tr      VDD = 3V, CL = 10pF                   7.5   10     ns
                                   VDD = 5V, CL = 10pF                    5    6
Fall Time
Pulse Width Distortion     Tf      VDD = 3V, CL = 10pF                   7.5   10     ns
(note.1)                           VDD = 5V, CL = 10pF                    5    6
Jitter
Data Rate                  tw      Pulse frequency = 6.6MHz       -7.5         7.5 ns
                                   CL = 10pF

                           tj      PC = -17.5dBm                         1     5      ns
                                   PC = -27dBm, VDD = 3V                 3     10

                           FDATA NRZ Code, Duty = 50%             0.1          13.2 Mb/s

Note.1 Between input of an optical fiber transmitting module and output of 42-DL313.

42-DL313-A.004                             -2-                           VersionA.004
                                                                               42-DL313

                     SILICON TOUCH TECHNOLOGY INC.

PAD DESCRIPTIONS

Pad Name  Size (m)  Center Coordinate (m)                    I/O            Description

VDD_A     100100           (84.7, 75.0)                  Power          Analog Power
VDD_D     100100         (84.7, 743.15)                  Power           Digital Power
  VSS_A    100100          (443.4, 87.4)                  Ground         Analog Ground
  VSS_D    100100          (659.4, 87.4)                  Ground         Digital Ground
           100100          (938.1, 87.4)                  Output           TTL Output
   OUT

DIE CONFIGURATION (inm)

                                                                          (1048.6, 816.85)

VDD_D

                                                         PHOTODIODE
                                                          (719.0, 492.0)

VDD_A                    VSS_A                      VSS_D                 OUT

  (0.0)

Die Size: 1048.6um816.85um
PD Size: 250000um21
The Center Coordinates of PD: (719.0um, 492.0um)

* Note: SiTI reserves the right to alter the device geometry and manufacturing
          processes without prior notice. Though these alterations may result in
          geometrical changes, they will not affect die electrical characteristics and
          pad layouts in any sense.

42-DL313-A.004                                      -3-                   VersionA.004
                                                                       42-DL313

                     SILICON TOUCH TECHNOLOGY INC.

REQUIREMENTS FOR WAFER DELIVERY

           Material Silicon with P-Substrate
           Diameter 6 inches(15cm)
           Thickness 12 mils(300um)
           Scribe Line Width 110um
           Malfunctioned dieMarked with red ink or equivalent marking

HANDLING RECOMMENDATION FOR STATIC ELECTRICITY PROTECTION

    (1) Avoid any circumstance that produce static electricity, e.g. rubbing against plastic, during
        moving, storing and processing 42-DL313.

    (2) Process 42-DL313 in a clean room with proper temperature and humidity.
    (3) Ground all working machines and workers wear anti-electrostatic ring to ground during

        processing.
    (4) Avoid contact 42-DL313 with bare hands .If unavoided, wear anti-electrostatic ring and use

        anti-electrostatic tool to pick it up.

GUARANTED TEMPERATURE AND RETENTION CYCLE

(1) The device/wafer 42-DL313 should be stored in the nitrogenous chest. The conditions suggested
   are as follows:
                   Temperature = 233
                   Relative Humidity = 5010%
                   Minimum nitrogen inflow = 3 liters/minute

(2) If the device/wafer, 42-DL313 is incidentally exposed to the air, use it for manufacturing as soon
   as possible.

(3) Under the storage environment specified in item (1), six-month safe storage period is
    guaranteed.

42-DL313-A.004  -4-                                                    VersionA.004
                                    42-DL313

SILICON TOUCH TECHNOLOGY INC.

   The products listed herein are designed for ordinary electronic applications, such as
electrical appliances, audio-visual equipment, communications devices and so on. Hence,
it is advisable that the devices should not be used in medical instruments, surgical
implants, aerospace machinery, nuclear power control systems, disaster/crime-prevention
equipment and the like. Misusing those products may directly or indirectly endanger
human life, or cause injury and property loss.

   Silicon Touch Technology, Inc. will not take any responsibilities regarding the
misusage of the products mentioned above. Anyone who purchases any products
described herein with the above-mentioned intention or with such misused applications
should accept full responsibility and indemnify. Silicon Touch Technology, Inc. and its
distributors and all their officers and employees shall defend jointly and severally against
any and all claims and litigation and all damages, cost and expenses associated with such
intention and manipulation.

42-DL313-A.004                 -5-  VersionA.004
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