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42-DL221

器件型号:42-DL221
厂商名称:SITI
厂商官网:http://www.siti.com.tw/
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器件描述

Optical Fiber Transmitting IC

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42-DL221器件文档内容

42-DL221

          Version      : A.005
          Issue Date   : 2004/03/02
          File Name    : SP-DL221-A.005.doc
          Total Pages  :6

Optical Fiber Transmitting IC

                        9  7  1

                       SILICON TOUCH TECHNOLOGY INC.
                       9-7F-1, Prosperity Road I, Science Based Industrial Park,
                       Hsin-Chu, Taiwan 300, R.O.C.
                       Tel886-3-5645656 Fax886-3-5645626
                                                       42-DL221

SILICON TOUCH TECHNOLOGY INC.

42-DL221

                     OPTICAL FIBER TRANSMITTING IC

GENERAL DESCRIPTION

            42-DL221 is a driver IC designed for the application of high-speed optical fiber
    transmission. It integrates the LED driver with constant current output to reduce the complexity
    and the cost of the transmission module. 42-DL221 can transmit with the speed up to 25Mb/s.
    42-DL221 are fabricated by using CMOS technology with low power consumption purpose.

FEATURES

    1. TTL interface compatible
    2. High speed (up to 25Mb/s)
    3. Uniform output waveform
    4. Constant current output
    5. Low power consumption
    6. Wide range for Supply Voltage (2.7V-5.5V)

BLOCK DIAGRAM And APPLICATION CIRCUIT

                          Power

42-DL221

                     VDD        OUT

                 IN
Signal

                           VSS
                     Ground

SP-DL221-A.005.doc                                -1-  VersionA.005
                                                                               42-DL221

SILICON TOUCH TECHNOLOGY INC.                                             Unit
                                                                           V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS                                                   V
                                                                           
Item                            Symbol                 Rating              

Supply Voltage                     VDD              -0.5 to +6.5           V
Input Voltage                       VIN           -0.5 to VDD +0.5
Operating Temperature              Topr
Storage Temperature                Tstg              -40 to +85
Electrostatic Damage               ESD              -55 to +100
Output Voltage                     VOUT            HBM class 3
                                                  -0.5 to VDD +0.5

RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS

ITEM                               SYMBOL             MIN.  TYP.          MAX. UNIT
                                                       2.7    -
Supply Voltage                           VDD            2     -           5.5 V
                                                        0     -
High Level Input Voltage                 VIH                              VDD  V

Low Level Input Voltage                  VIL                              0.8 V

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (VDD=5V, TA=25, if not mentioned )

ITEM                      SYMBOL CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT

High Level Input Voltage  VIH                 -       2.0           -     VDD  V
Low Level Input Voltage   VIL
Input Leakage Current      IIN                -       0             -     0.8 V
Quiescent Supply Current  IDDQ
                                   VIN=VDD or VSS     -             -     1 uA

                                   VIN =VDD           -             0.5   - mA

Output Sinking Current    IOUT_ON  VIN=VDD            2.4           3     3.6 mA
                                   VFLED=1.8V

Output bias Current       IB       VOUT= VDD          -             0.14  - mA
                                   VIN=VSS

Propagation Delay         TPLH , TPHL VFLED=1.8V      -             -     40 ns

Rise Time, Fall Time of   Tr, Tf   VFLED=1.8V         -             -     9    ns
IOUT

Pulse Width Distortion    tw       VFLED=1.8V         -8            0     8    ns

Jitter of Output Current  tj       VFLED=1.8V                       1     -    ns
Data Rate                 FDATA
                                   NRZ Code,          -             -     25 Mb/s
                                   VFLED=1.8V

SP-DL221-A.005.doc                               -2-                      VersionA.005
                                                                       42-DL221

   SILICON TOUCH TECHNOLOGY INC.

PAD DESCRIPTIONS

PAD NO. PAD NAME                      DESCRIPTIONS

1  IN                             Input Pad(Active High )
                                        Supply Voltage
2  VDD
                       Output Pad Sinking Current(Active Low)
3  OUT                                      Ground

4  VSS

DIE CONFIGURATION

                                                       (522.2, 499.6)

   2 VDD                           1 IN              IN

    Center (93.6, 406)            Center (363.8, 406)

           3 OUT                       4 VSS

             Center (151, 99.8)   Center (427.9,101.2)
   (0, 0)                                             Unitum

              Die Size: 522.2*499.6um
              Die Thickness: 15mil(375um)
              Pad Size: 100um * 100um

* Note: SiTI reserves the right to improve the device geometry and manufacturing
          processes without prior notice. Though these improvements may result in
          slight geometry changes, they will not affect die electrical characteristics
          and pad layouts.

   SP-DL221-A.005.doc             -3-                    VersionA.005
                                                                       42-DL221

                     SILICON TOUCH TECHNOLOGY INC.

REQUIREMENTS FOR WAFER DELIVERY

           Material Silicon with P-Substrate
           Diameter 6 inches(15cm)
           Thickness 15 mils(375um)
           Malfunctioned dieMarked with red ink or equivalent marking

HANDLING RECOMMENDATION FOR STATIC ELECTRICITY PROTECTION

    (1) Avoid any circumstance that produce static electricity, e.g. rubbing against plastic, during
        moving, storing and processing 42-DL221.

    (2) Process 42-DL221 in a clean room with proper temperature and humidity.
    (3) Ground all working machines and workers wear anti-electrostatic ring to ground during

        processing.
    (4) Avoid contact 42-DL221 with bare hands .If unavoided, wear anti-electrostatic ring and use

        anti-electrostatic tool to pick it up.

GUARANTED TEMPERATURE AND RETENTION CYCLE

(1) The device/wafer 42-DL221 should be stored in the nitrogenous chest. The conditions suggested
   are as follows:
                   Temperature = 233
                   Relative Humidity = 5010%
                   Minimum nitrogen inflow = 3 liters/minute

(2) If the device/wafer, 42-DL221 is incidentally exposed to the air, use it for manufacturing as soon
   as possible.

(3) Under the storage environment specified in item (1), six-month safe storage period is
    guaranteed.

SP-DL221-A.005.doc  -4-  VersionA.005
                                    42-DL221

SILICON TOUCH TECHNOLOGY INC.

The products listed herein are designed for ordinary electronic applications, such as
electrical appliances, audio-visual equipment, communications devices and so on. Hence,
it is advisable that the devices should not be used in medical instruments, surgical
implants, aerospace machinery, nuclear power control systems, disaster/crime-prevention
equipment and the like. Misusing those products may directly or indirectly endanger
human life, or cause injury and property loss.
Silicon Touch Technology, Inc. will not take any responsibilities regarding the misusage
of the products mentioned above. Anyone who purchases any products described herein
with the above-mentioned intention or with such misused applications should accept full
responsibility and indemnify. Silicon Touch Technology, Inc. and its distributors and all
their officers and employees shall defend jointly and severally against any and all claims
and litigation and all damages, cost and expenses associated with such intention and
manipulation.

SP-DL221-A.005.doc             -5-  VersionA.005
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