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42-DL211

器件型号:42-DL211
厂商名称:SITI
厂商官网:http://www.siti.com.tw/
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器件描述

Optical Fiber Transmitting IC

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42-DL211器件文档内容

42-DL211

          Version      : A.005
          Issue Date   : 2002/06/14
          File Name    : SP-DL211-A.005.doc
          Total Pages  :6

Optical Fiber Transmitting IC

                        9  7  1

                       SILICON TOUCH TECHNOLOGY INC.
                       9-7F-1, Prosperity Road I, Science Based Industrial Park,
                       Hsin-Chu, Taiwan 300, R.O.C.
                       Tel886-3-5645656 Fax886-3-5645626
                                                       42-DL211

SILICON TOUCH TECHNOLOGY INC.

42-DL211

                     OPTICAL FIBER TRANSMITTING IC

GENERAL DESCRIPTION

            42-DL211 is a driver IC designed for the application of high-speed optical fiber
    transmission. It integrates the LED driver with constant current output to reduce the complexity
    and the cost of the transmission module. 42-DL211 can transmit with the speed up to 13Mb/s.
    42-DL211 are fabricated by using CMOS technology with low power consumption purpose.

FEATURES

    1. TTL interface compatible
    2. High speed (up to 13Mb/s)
    3. Uniform output waveform
    4. Constant current output
    5. Low power consumption
    6. Wide range for Supply Voltage (2.7V-5.5V)

BLOCK DIAGRAM And APPLICATION CIRCUIT

                          Power

42-DL211

                     VDD        OUT

                 IN
Signal

                           VSS
                     Ground

SP-DL211-A.005.doc                                -1-  VersionA.005
                                                                              42-DL211

SILICON TOUCH TECHNOLOGY INC.                                            Unit
                                                                          V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS                                                  V
                                                                          
Item                      Symbol                 Rating                  
                                                                         kV
Supply Voltage            VDD                   -0.5 to +7               mA
Input Voltage              VIN              -0.5 to VDD +0.5
Operating Temperature     Topr
Storage Temperature       Tstg                 -40 to +85
Electrostatic Damage      ESD                 -55 to +100
Output Sinking Current    IOUT
                                                    3.5
                                                    50

RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS

ITEM                           SYMBOL            MIN.          TYP.      MAX. UNIT
                                                  2.7            -
Supply Voltage                         VDD        2.0            -       5.5 V
                                                   0             -
High Level Input Voltage               VIH                               VDD  V

Low Level Input Voltage                VIL                               0.8 V

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (VDD=5.0V, TA=25, if not mentioned )

ITEM                      SYMBOL            CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT

High Level Input Voltage      VIH           VDD= 3V or 5V 2.0 - VDD V
Low Level Input Voltage        VIL
Input Leakage Current          IIN          VDD= 3V or 5V   0        - 0.8 V
Quiescent Supply Current      IDDQ
Output Sinking Current      IOUT_ON         VIN=VDD or VSS  -        -   1 uA

Output Leakage Current      IOUT_OFF        VIN =VSS         -1           3 mA
                                                            2.4 3        3.6 mA
Propagation Delay         TPLH , TPHL       VDD=3V or 5V,                 5 uA
                                            VIN=VDD,        -        -   100 ns
Rise Time, Fall Time of      Tr, Tf         VFLED=2.0V                   10 ns
IOUT                          tw            VDD=3V or 5V,   -        -   25 ns
Pulse Width Distortion        tj            VOUT=3V,                     25 ns
Jitter of Output Current                    VIN=VSS         -        -   13 Mb/s
                             FDATA          VDD=3V,
Data Rate                                   CLED=15pF,      - 25 0
                                            VFLED=2.0V                1
                                            VDD=3 V,
                                            CLED=15pF,      -        -
                                            VFLED=2.0V
                                            CLED=15pF,
                                            VFLED=2.0V
                                            CLED=15pF,
                                            VFLED=2.0V
                                            NRZ Code,
                                            CLED=15pF,
                                            VFLED=2.0V

SP-DL211-A.005.doc                          -2-                          VersionA.005
                                                                 42-DL211

   SILICON TOUCH TECHNOLOGY INC.

PAD DESCRIPTIONS

PAD NO. PAD NAME                        DESCRIPTIONS

1          IN                       Input Pad(Active High )
                                          Supply Voltage
2          VDD
                         Output Pad Sinking Current(Active Low)
3          OUT                                Ground

4          VSS

DIE CONFIGURATION

                                          (510, 549)

                  1. IN           4. VSS

           Center (195.8, 445.85) Center (401.6, 449.85)

   2. VDD                         3. OUT

   Center (102.15, 102.25) Center (406.25, 102.2)

   (0, 0)                         Unitum

   Die Size: 510um * 549um
   Die Thickness: 12mil(=300um)
   Pad Size: 100um * 100um

* Note: SiTI reserves the right to improve the device geometry and manufacturing
          processes without prior notice. Though these improvements may result in
          slight geometry changes, they will not affect die electrical characteristics
          and pad layouts.

SP-DL211-A.005.doc                -3-                            VersionA.005
                                                                       42-DL211

                     SILICON TOUCH TECHNOLOGY INC.

REQUIREMENTS FOR WAFER DELIVERY

           Material Silicon with P-Substrate
           Diameter 6 inches(15cm)
           Thickness 12 mils(300um)
           Malfunctioned dieMarked with red ink or equivalent marking

HANDLING RECOMMENDATION FOR STATIC ELECTRICITY PROTECTION

    (1) Avoid any circumstance that produce static electricity, e.g. rubbing against plastic, during
        moving, storing and processing 42-DL211.

    (2) Process 42-DL211 in a clean room with proper temperature and humidity.
    (3) Ground all working machines and workers wear anti-electrostatic ring to ground during

        processing.
    (4) Avoid contact 42-DL211with bare hands .If unavoided, wear anti-electrostatic ring and use

        anti-electrostatic tool to pick it up.

GUARANTED TEMPERATURE AND RETENTION CYCLE

(1) The device/wafer 42-DL211 should be stored in the nitrogenous chest. The conditions suggested
   are as follows:
                   Temperature = 233
                   Relative Humidity = 5010%
                   Minimum nitrogen inflow = 3 liters/minute

(2) If the device/wafer, 42-DL211 is incidentally exposed to the air, use it for manufacturing as soon
   as possible.

(3) Under the storage environment specified in item (1), six-month safe storage period is
    guaranteed.

SP-DL211-A.005.doc  -4-                                                VersionA.005
                                    42-DL211

SILICON TOUCH TECHNOLOGY INC.

The products listed herein are designed for ordinary electronic applications, such as
electrical appliances, audio-visual equipment, communications devices and so on. Hence,
it is advisable that the devices should not be used in medical instruments, surgical
implants, aerospace machinery, nuclear power control systems, disaster/crime-prevention
equipment and the like. Misusing those products may directly or indirectly endanger
human life, or cause injury and property loss.
Silicon Touch Technology, Inc. will not take any responsibilities regarding the misusage
of the products mentioned above. Anyone who purchases any products described herein
with the above-mentioned intention or with such misused applications should accept full
responsibility and indemnify. Silicon Touch Technology, Inc. and its distributors and all
their officers and employees shall defend jointly and severally against any and all claims
and litigation and all damages, cost and expenses associated with such intention and
manipulation.

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