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320S14-UR

器件型号:320S14-UR
器件类别:半导体    分立半导体   
文件大小:981.34KB,共9页
厂商名称:THAT Corporation
厂商官网:http://www.thatcorp.com/
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器件描述

Bipolar Transistors - BJT Low-Noise Matched Transistor Array

参数
产品属性属性值
产品种类:
Product Category:
Bipolar Transistors - BJT
制造商:
Manufacturer:
THAT Corporation
系列:
Series:
300
商标:
Brand:
THAT
封装:
Packaging:
Reel
工厂包装数量:
Factory Pack Quantity:
2000

320S14-UR器件文档内容

                                                                                                               Low-Noise Matched

                                                                                                          Transistor Array ICs

                                                                                                               THAT 300 Series

                   FEATURES                                                                 APPLICATIONS

• 4 Matched NPN Transistors                                                    • Low Noise Front Ends

º     300 typical hfe of 100

º     300A minimum hfe of 150

º     300B minimum hfe of 300

• 4 Matched PNP Transistors                                                    • Microphone Preamplifiers

º 320 typical hfe of 75

• 2 Matched PNP and 2 Matched NPN

Transistors                                                                    • Log/Antilog Amplifiers

º     340   PNP typical hfe of 75

º     340   NPN typical hfe of 100

• Low Voltage Noise                                                            • Current Sources

º 0.75 nV/ √Hz (PNP)

º 0.8 nV/ √Hz (NPN)

• High Speed                                                                   • Current Mirrors

º fT = 350 MHz (NPN)

º fT = 325 MHz (PNP)

• 500 μV matching between devices                                              • Multipliers

• Dielectrically Isolated for low crosstalk

and high DC isolation

• 36V VCEO

                                                           Description

       The   THAT        300,  320  and       340     are  large     used in conventional arrays). As a result, they exhibit

geometry, 4-transistor, monolithic NPN and/or PNP                    inter-device           crosstalk     and  DC   isolation   similar  to

arrays.     They exhibit both high speed and low noise,              that         of    discrete  transistors.      The  resulting       low

with excellent parameter matching between transis-                   collector-to-substrate capacitance produces a typical

tors    of  the  same    gender.    Typical   base-spreading         NPN          fT    of  350   MHz     (325  MHz      for   the  PNPs).

resistance is 25 Ω for the PNP devices (30 Ω for the                 Substrate biasing is not required for normal opera-

low-gain    NPNs),   so     their  resulting  voltage    noise  is   tion, though the substrate should be ac-grounded to

under 1 nV/√Hz. This makes the 300 series ideally                    optimize speed and minimize crosstalk.

suited for low-noise amplifier input stages, log ampli-

fiers,  and  many    other     applications.  The        four-NPN              An       eight-transistor  bare-die  array     with  similar

transistor array is available in versions selected for               performance characteristics (the THAT 380G) is also

hfe with minimums of 150 (300A) or 300 (300B).                       available from THAT Corporation. Please contact us

       Fabricated    in  a  dielectrically    isolated,    comple-   directly or through your local distributor for more

mentary     bipolar  process,      each  transistor    is  electri-  information.           Military-grade         temperature      range

cally   insulated    from      the  others    by   a     layer  of   packages are available from TT Semiconductor (see

insulating oxide (not the reverse-biased PN junctions                www.ttsemiconductor.com for more information).

            Part Number                                         Configuration                                        Package

            300P14-U                          4-Matched NPN Transistors, Beta = 60 min.                                  DIP14

            300S14-U                                                                                                     SO14

            300AS14-U                         4-Matched NPN Transistors, Beta = 150 min.                                 SO14

            300BS14-U                         4-Matched NPN Transistors, Beta = 300 min.                                 SO14

            320P14-U                                       4-Matched PNP Transistors                                     DIP14

            320S14-U                                                                                                     SO14

            340P14-U                                     2-Matched NPN Transistors and                                   DIP14

            340S14-U                                       2-Matched PNP Transistors                                     SO14

                                                         Table 1. Ordering Information

                     THAT Corporation; 45 Sumner Street; Milford, Massachusetts 01757-1656; USA

                         Tel: +1 508 478 9200;             Fax: +1 508 478 0990;        Web: www.thatcorp.com

                               Copyright © 2013, THAT Corporation.   Document 600041 Rev 04
Document 600041 Rev 04                                                  Page 2 of 8                      THAT  300     Series Transistor     Array  ICs

                THAT        300                                       THAT 320                                         THAT 340

1                                    14                   1                                14                  1                             14

2                                    13                   2                                13                  2                             13

                  Q1        Q2                                          Q1    Q2                                       Q1    Q2

3                                    12                   3                                12                  3                             12

4          SUB                  SUB  11                   4          SUB      SUB          11                  4       SUB        SUB        11

5                                    10                   5                                10                  5                             10

6                                    9                    6                                9                   6                             9

                  Q3        Q4                                          Q3    Q4                                       Q3    Q4

7                                    8                    7                                8                   7                             8

           Figure 1. 300 Pinout                                      Figure 2. 320 Pinout                         Figure 3.  340  Pinout

                                                          SPECIFICATIONS1

                                                 A  b  s  olute      Maximum         R a t i n g s 2,3

NPN Collector-Emitter Voltage (BVCEO)                                36 V          Collector Current                                         30 mA

NPN Collector-Base              Voltage (BVCBO)                      36V           Emitter Current                                           30 mA

PNP Collector-Emitter Voltage (BVCEO)                        –36 V                 Operating Temperature Range (TOP)              -40 to     +85 °C

PNP Collector-Base Voltage (BVCBO)                           –36 V                 Maximum Junction Temperature (TJMAX)                      +125 °C

Collector-Substrate Voltage (BVCS)                        ± 100 V                  Storage Temperature (TST)                      -45 to +125 °C

                                                 NPN Electrical               Characteristics2

Parameter                            Symbol            Conditions             300 / 340(Q1,Q2)           300A                300B               Units

                                                                              Min    Typ   Max      Min  Typ      Max  Min   Typ   Max

NPN Current gain                         hfe     VCB = 10 V, IC = 1 mA        60     100      —     150  —        —    300   —         —

                                                       IC = 10 µA             —      100      —     —    —        —    —     —         —

NPN Current Gain Matching            Δhfe        VCB = 10V, IC = 1mA          —      4        —     —    4        —    —     4         —         %

NPN Noise Voltage Density                eN      VCB = 10V, IC = 1 mA, 1kHz   —      0.8      —     —    0.9      —    —     1         —        nV√Hz

NPN Gain-Bandwidth Product               fT      IC = 1 mA, VCB = 10V         —      350      —     —    350      —    —     350       —         MHz

NPN ΔVBE                                                  IC = 1 mA           —      0.5      3     —    0.5      3    —     0.5          3      mV

300: |VBE1-VBE2| ; |VBE3-VBE4|          VOS            IC = 10 mA             —      0.5      —     —    0.5      —    —     0.5       —         mV

340: |VBE1-VBE2|

NPN ΔIB                                                   IC = 1 mA           —      500   1500     —    200      600  —     100   300           nA

300: |IB1-IB2| ; |IB3-IB4|              IOS            IC = 10 μA             —      5        —     —    2        —    —     1         —         nA

340: |IB1-IB2|

NPN Collector-Base Leakage              ICBO           VCB = 25 V             —      25       —     —    25       —    —     25        —         pA

Current

NPN Bulk Resistance                     rBE      VCB = 0V, 10 μA < IC < 10mA  —      2        —     —    2        —    —     2         —         Ω

NPN Base Spreading Resistance            rbb     VCB = 10 V, IC = 1 mA        —      32       —     —    32       —    —     32        —         Ω

NPN Collector Saturation Voltage     VCE(SAT)    IC = 1 mA, IB = 100μA        —      0.05     —     —    0.05     —    —     0.05      —         V

                            THAT Corporation; 45 Sumner Street; Milford, Massachusetts 01757-1656; USA

                                  Tel: +1 508 478 9200; Fax: +1 508 478 0990; Web: www.thatcorp.com

                                         Copyright © 2013, THAT Corporation. All rights reserved.
THAT 300 Series Transistor          Array ICs                           Page 3 of 8                                       Document 600041 Rev 04

                                                  SPECIFICATIONS1 (Cont’d)

                                       NPN Electrical Characteristics2                             (cont’d)

Parameter                           Symbol             Conditions              300 / 340(Q1,Q2)              300A                 300B               Units

                                                                               Min   Typ      Max  Min       Typ   Max    Min       Typ  Max

NPN Output Capacitance              COB           VCB = 10V, IE = 0mA, 100kHz  —          3   —    —         3     —      —         3    —           pF

NPN Breakdown Voltage               BVCEO         IC = 10 μAdc, IB = 0         36         40  —    36        40    —      36        40   —                  V

Input Capacitance                   CEBO          IC = 0 mA, VEB = 0 V         —          5   —    —         5     —      —         5    —           pF

                                                  PNP  Electrical              Characteristics2

Parameter                              Symbol                           Conditions                      Min        Typ         Max                   Units

PNP Current Gain                             hfe                        VCB = -10 V

                                                                        IC = -1 mA                      50         75          —

                                                                        IC = -10 μA                     —          75          —

PNP Current Gain Matching                 Δhfe                     VCB = -10 V, IC = -1 mA              —          5           —                     %

PNP Noise Voltage Density                    eN              VCB = -10 V, IC = -1 mA, 1 kHz             —          0.75        —                     nV√Hz

PNP Gain-Bandwidth Product                   fT                    IC = -1 mA, VCB = -10 V              —          325         —                     MHz

PNP ΔVBE                                     VOS                        IC = -1 mA                      —          0.5         3                     mV

320: |VBE1-VBE2| ; |VBE3-VBE4|                                          IC = -10 μA                     —          0.5         —                     mV

340: |VBE1-VBE2|

PNP ΔIB                                      IOS                        IC = -1 mA                      —          700        1800                   nA

320: |IB1-IB2| ; |IB3-IB4|                                              IC = -10 μA                     —          7           —                     nA

340: |IB1-IB2|

PNP Collector-Base Leakage Current     ICBO                             VCB = -25 V                     —          –25         —                     pA

PNP Bulk Resistance                          rBE             VCB = 0 V, -10μA > IC> -10 mA              —          2           —                     Ω

PNP Base Spreading Resistance                rbb                   VCB = -10 V, IC = -1 mA              —          25          —                     Ω

PNP Collector Saturation Voltage       VCE(SAT)                    IC = -1 mA, IB = -100 μA             —          –0.05       —                     V

PNP Output Capacitance                       COB             VCB = -10 V, IE = 0 mA, 100 kHz            —          3           —                     pF

PNP Breakdown Voltage                  BVCEO                       IC = -10 μAdc, IB = 0                -36        -40         —                     V

Input Capacitance                         CEBO                     IC = 0 mA, VEB = 0 V                 —          6           —                     pF

1. All specifications are subject to change without notice.

2. Unless otherwise noted, TA = 25ºC.

3. Stresses above those listed under "Absolute Maximum Ratings" may cause permanent damage to the device.          These are stress ratings only; the

functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this sp ecification is not

implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.

                            THAT Corporation; 45 Sumner Street; Milford, Massachusetts 01757-1656; USA

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                                   Packaging and Soldering Information

      The THAT 300, 320 and 340 are available in 14-pin                                   Neither     the    lead-frames           nor        the     plastic   mold

PDIP     and   14-pin     surface  mount        (SOIC)         packages.           compounds used in the 300-series contains any hazard-

Package dimensions are shown below.                                                ous    substances         as    specified   in     the     European         Union's

      The 300-series packages are entirely lead-free.             The              Directive on the Restriction of the Use of Certain Hazard-

lead-frames are copper, plated with successive layers of                           ous Substances in Electrical and Electronic Equipment

nickel,  palladium,    and  gold.  This         approach       makes  it           2002/95/EG         of  January         27,  2003.       The     surface-mount

possible to solder these devices using lead-free and lead-                         package is suitable for use in a 100% tin solder process.

bearing solders.

                                                    Package Characteristics

Parameter                          Symbol                      Conditions                                                 Typ                                  Units

Through-hole package                                See Fig. 4 for dimensions                                         14 Pin PDIP

Thermal Resistance                      θJA         DIP package soldered to board                                         100                                   ºC/W

Environmental Regulation    Compliance              Complies with January 27, 2003 RoHS requirements

Surface mount package                               See Fig. 5 for dimensions                                         14 Pin SOP

Thermal Resistance                      θJA         SO package soldered to board                                          100                                   ºC/W

Soldering Reflow Profile                                                                                     JEDEC JESD22-A113-D (250 ºC)

Moisture Sensitivity Level         MSL          Above-referenced JEDEC soldering profile                                    1

Environmental Regulation    Compliance                                                                       Complies with RoHS requirements

                            e                                                                                      e                               a°

         E                         H                           J                                                            E      H                  L

                                                C                                         1

                       D                                                                                  B                                     C

               S                             F

                                                                                                          D

                                                                                                                                   F                   SEATING

                                   A1           A                                                                                                      PLANE

            L       B                                                                                                          A1          A

         SYM           MM                       Inches                                                           MM                           Inches

               Min          Max         Min             Max                               SYM         Min             Max             Min             Max

         A     3.30         4.32        0.130           0.170                             A           1.35            1.75            0.053           0.069

         A1    0.38         1.02        0.015           0.040                             A1          0.10            0.25            0.004           0.010

         B     0.41         0.51        0.016           0.020                             B           0.36            0.48            0.014           0.019

         C     0.23         0.30        0.009           0.012

         D     18.92        19.43       0.745           0.765                             C           0.18            0.25            0.007           0.010

         E     6.10         6.86        0.240           0.270                             D           8.53            8.79            0.336           0.346

         e        2.54 BSC                   0.100  BSC                                   E           3.81            4.01            0.150           0.158

         F     2.29         3.94        0.090           0.155                             e                  1.27  BSC                    0.050 BSC

         H     7.62         8.26        0.300           0.325                             F           1.09            1.65            0.043           0.065

         J     7.87         9.65        0.310           0.380                             H           5.84            6.20            0.230           0.244

            L  3.05         3.56        0.120           0.140                             L           0.41            0.89            0.016           0.035

            S  1.78         2.03        0.070           0.080                             a°          0°              8°              0°              8°

               Figure 4. Dual-In-Line Package Outline                                     Figure 5. Surface-Mount Package Outline

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THAT Corporation believes all the information furnished in this data sheet is accurate and reliable. However we assume

no responsibility for its use nor for any infringements of third-party intellectual property which may result from its use.

                                       LIFE SUPPORT POLICY

THAT Corporation ICs are not designed for use in life support equipment where a malfunction of our ICs might

reasonably result in injury or death.  Customers who use or sell our ICs for such life suport application do so at their

own risk, and shall hold THAT Corporation harmless from any and all claims, damages, suits, or expenses resulting

from such use or sale.

       CAUTION: THIS IS AN ESD (ELECTROSTATIC DISCHARGE) SENSITIVE DEVICE

Electrostatic charges in the range of several kV can accumulate on the human body as well as test and assembly equip-

ment.  This device can be damaged by the currents generated by electrostatic discharge from bodies and equipment.

Moreover, the transistors in this device are unprotected in order to maximize performance and flexibility. Accordingly,

they are more sensitive to ESD damage than many other ICs which include protection devices at their inputs. Note that

all of the pins are susceptible.

Use ESD-preventative measures when storing and handling this device. Unused devices should be stored in conductive

packaging. Packaging should be discharged to the destination socket before the devices are removed from their

packages. ESD damage can occur to these devices even after they are installed in a board-level assembly. Circuits

should include specific and appropriate ESD protection.

                                  THAT and c are registered trademarks of THAT Corporation.

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                                     Revision History

Revision         ECO     Date        Changes                                                      Page

00               —       April 2004  Release

01               2393    April 2010  Changed Max. Operating Temperature from 70 °C to             2

                                     85 °C.

02               2460    Sept. 2010  -Added high hfe versions Models 300A and 300B with           —

                                     accompanying specifications and information.

                                     -Revised Features, Applications, and Description sections    1

                                     -Revised Maximum Rating section                              2

                                     -Added NPN Breakdown Voltage spec.                           3

                                     -Added PNP Breakdown Voltage spec.                           3

                                     -Added Packaging Characteristics Table.                      4

                                     -Revised disclaimer text                                     5

03               2760    Mar. 2013   -Corrected surface mount package drawing.                    4

                                     -Filled in 300A/B NPN Base Spreading Resistance spec.        2

                                     -Corrected error in PNP Breakdown Voltage conditions.        3

04               2834    Nov. 2013   -Corrected through-hole package drawing.                     4

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