电子工程世界电子工程世界电子工程世界

产品描述

搜索
 

2SK2872

器件型号:2SK2872
厂商名称:FUJI
厂商官网:http://www.fujielectric.co.jp/eng/fdt/scd/
下载文档

器件描述

N-channel MOS-FET

文档预览

2SK2872器件文档内容

                   2SK2872-01MR                                                                  N-channel MOS-FET

                                 FAP-IIS Series                                                  450V 1,2 8A 30W
                                                                                         > Outline Drawing
> Features

- High Speed Switching
- Low On-Resistance
- No Secondary Breakdown
- Low Driving Power
- High Voltage
- VGS = 30V Guarantee
- Repetitive Avalanche Rated

> Applications

- Switching Regulators
- UPS
- DC-DC converters
- General Purpose Power Amplifier

> Maximum Ratings and Characteristics                                                           > Equivalent Circuit

- Absolute Maximum Ratings (TC=25C), unless otherwise specified                     Unit
                                                                                      V
Item                                       Symbol                   Rating            A
                                                                                      A
Drain-Source-Voltage                       V DS                         450           V
Continous Drain Current                     ID                            8          A
Pulsed Drain Current                        I D(puls)                                mJ
Gate-Source-Voltage                        V GS                         32           W
Repetitive or Non-Repetitive (Tch  150C)   I AR                        35          C
Avalanche Energy                           E AS                                      C
Max. Power Dissipation                     PD                              8
Operating and Storage Temperature Range    T ch                      164.1
                                           T stg
                                                                         30
                                                                        150
                                                              -55 ~ +150

                                                       L=4.70mH,Vcc=45V

- Electrical Characteristics (TC=25C), unless otherwise specified

Item                                       Symbol                   Test conditions      Min. Typ. Max. Unit

Drain-Source Breakdown-Voltage             BV DSS      ID=1mA                 VGS=0V     450                          V

Gate Threshhold Voltage                    V GS(th)    ID=1mA                 VDS=VGS    3,5  4,0 4,5 V

Zero Gate Voltage Drain Current            I DSS       VDS=450V               Tch=25C        10 500 A
                                                       VGS=0V                 Tch=125C
                                                                                              0,2 1,0 mA

Gate Source Leakage Current                I GSS       VGS=35V VDS=0V                        10 100 nA

Drain Source On-State Resistance           R DS(on)    ID=4A                  VGS=10V         1,0  1,2

Forward Transconductance                   g fs        ID=4A                  VDS=25V    2    4                       S

Input Capacitance                          C iss                            VDS=25V           540 810 pF

Output Capacitance                         C oss                            VGS=0V            100 150 pF

Reverse Transfer Capacitance               C rss                            f=1MHz            45   70 pF

Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)           t d(on)                  VCC=300V                  13   20 ns

                                           tr                               ID=8A             40   60 ns

Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)        t d(off)                         VGS=10V           45   70 ns

                                           tf                       RGS=10                    25   40 ns

Avalanche Capability                       I AV        L = 4,70mH Tch=25C               8                            A

Diode Forward On-Voltage                   V SD        IF=2xIDR VGS=0V Tch=25C               1,1 1,65 V

Reverse Recovery Time                      t rr                     IF=IDR VGS=0V             450                     ns

Reverse Recovery Charge                    Q rr        -dIF/dt=100A/s Tch=25C               3,7                     C

- Thermal Characteristics                  Symbol                Test conditions         Min. Typ. Max. Unit
Item                                       R th(ch-c)  channel to case                                            4,17 C/W
Thermal Resistance                         R th(ch-a)  channel to air                                               62,5 C/W
N-channel MOS-FET                                                                          2SK2872-01MR

450V 1,2 8A 30W                                                                           FAP-IIS Series

> Characteristics                                                                          Drain-Source-On-State Resistance vs. Tch                                    Typical Transfer Characteristics

               Typical Output Characteristics                                                                RDS(on) = f(Tch): ID=4A; VGS=10V                         ID=f(VGS); 80s pulse test; VDS=25V; Tch=25C

                          ID=f(VDS); 80s pulse test; TC=25C

ID [A]                                                                         RDS(ON) []                                                            ID [A]
                                                                                                              2                                                                 3
                               1

                                        VDS [V]                                                           Tch [C]                                                               VGS [V]

                    Typical Drain-Source-On-State-Resistance vs. ID                        Typical Forward Transconductance vs. ID                                    Gate Threshold Voltage vs. Tch

                                       RDS(on)=f(ID); 80s pulse test;TC=25C                     gfs=f(ID); 80s pulse test; VDS=25V; Tch=25C                              VGS(th)=f(Tch); ID=1mA; VDS=VGS

RDS(ON) []                                                                     gfs [S]                                                               VGS(th) [V]
                              4                                                                                 5                                                                           6

                        ID [A]                                                                           ID [A]                                                                       Tch [C]

                Typical Capacitances vs. VDS                                               Typical Gate Charge Characteristic                                         Forward Characteristics of Reverse Diode

                               C=f(VDS); VGS=0V; f=1MHz                                                  VGS=f(Qg): ID=8A; Tc=25C                                                   IF=f(VSD); 80s pulse test; VGS=0V

                                                                               VDS [V]                                                               
                    7                                                                                         8                                                                     9
          C [F]                                                                                                                                      VGS [V]
                                                                                                                                                              IF [A]

                                VDS [V]                                                                 Qg [nC]                                                                      VSD [V]

                    Avalanche Energy Derating                                              Safe operation area                                                        Transient Thermal impedance

                     Eas=f(starting Tch): Vcc=45V; IAV=8A                                    ID=f(VDS): D=0,01, Tc=25C                                                         Zthch=f(t) parameter:D=t/T

                                                                                                                                    Zth(ch-c) [K/W]

                    10                                                                             12

          Eas [mJ]                                             ID [A]

                     Starting Tch [C]                                                             VDS [V]                                                            t [s]

                                                                               This specification is subject to change without notice!
N-channel MOS-FET        2SK2872-01MR

450V 1,2 8A 30W          FAP-IIS Series

> Characteristics

                                                          Power Dissipation
                                                                PD=f(TC)

                125

PD / PDmax [%]  100

                                                                     

                 75

                50

                25

                0

                    0  0  0                                            0     0     0  0

                             TC [C]

                          This specification is subject to change without notice!
This datasheet has been downloaded from:
             www.EEworld.com.cn

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company
小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved