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2SK1315

器件型号:2SK1315
厂商名称:Hitachi (Renesas )
厂商官网:http://www.renesas.com/eng/
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器件描述

Silicon N-Channel MOS FET

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2SK1315器件文档内容

2SK1315(L)(S), 2SK1316(L)(S)

            Silicon N-Channel MOS FET

Application

High speed power switching

Features

Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
No secondary breakdown
Suitable for switching regulator, DC-DC converter and motor driver

Outline

                                                   LDPAK
                                                                                 4
                                                                                                         4

    123             12
D                         3

G                   1. Gate
                 S  2. Drain
                    3. Source
                    4. Drain
2SK1315(L)(S), 2SK1316(L)(S)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)

Item                                       Symbol     Ratings      Unit
                                           VDSS
Drain to source voltage  2SK1315                      450          V
                                           VGSS
                         2SK1316           ID         500
                                           I *1
Gate to source voltage                                30          V
                                            D(pulse)
Drain current                                         8            A
                                           I DR
Drain peak current                         Pch*2      32           A
                                           Tch
Body to drain diode reverse drain current  Tstg       8            A

Channel dissipation                                   60           W

Channel temperature                                   150          C

Storage temperature                                   55 to +150  C

Notes: 1. PW  10 s, duty cycle  1%
          2. Value at TC = 25C

2
                                                     2SK1315(L)(S), 2SK1316(L)(S)

Electrical Characteristics (Ta = 25C)

Item                          Symbol Min        Typ Max Unit  Test conditions
                                                              ID = 10 mA, VGS = 0
Drain to source      2SK1315 V(BR)DSS 450       --   --   V
                                                              IG = 100 A, VDS = 0
breakdown voltage 2SK1316               500
                                                              VGS = 25 V, VDS = 0
Gate to source breakdown      V(BR)GSS 30      --   --   V   VDS = 360 V, VGS = 0
voltage                                                       VDS = 400 V, VGS = 0
                                                              ID = 1 mA, VDS = 10 V
Gate to source leak current   I GSS     --      --   10 A   ID = 4 A, VGS = 10 V *1

Zero gate voltage 2SK1315 IDSS          --      --   250 A   ID = 4 A, VDS = 10 V *1
                                                              VDS = 10 V, VGS = 0,
drain current        2SK1316                                  f = 1 MHz

Gate to source cutoff voltage VGS(off) 2.0      --   3.0  V   ID = 4 A, VGS = 10 V,
                                                              RL = 7.5
Static Drain to source 2SK1315 RDS(on) --       0.55 0.7  
                                                              IF = 8 A, VGS = 0
on state resistance 2SK1316             --      0.60 0.8
                                                              IF = 8 A, VGS = 0,
Forward transfer admittance |yfs|       4.5     7.5  --   S   diF/dt = 100 A/s

Input capacitance             Ciss --           1150 --   pF

Output capacitance            Coss --           340 --    pF

Reverse transfer capacitance Crss --            55   --   pF

Turn-on delay time            t d(on)   --      17   --   ns

Rise time                     tr        --      55   --   ns

Turn-off delay time           t d(off)  --      100 --    ns

Fall time                     tf        --      45   --   ns

Body to drain diode forward   VDF       --      0.9  --   V

voltage

Body to drain diode reverse   t rr      --      350 --    ns

recovery time

Note: 1. Pulse test

See characteristic curves of 2SK1159, 2SK1160.

                                                                                       3
2SK1315(L)(S), 2SK1316(L)(S)Channel Dissipation Pch (W)

                                                              Power vs. Temperature Derating
                                                    60

                                                    40

                                                    20

                                0  50  100                                                    150

                                   Case Temperature TC (C)

4
                                                                                           Unit: mm

10.2 0.3  (1.4)                                     4.44 0.2
                                                      1.3 0.2

            8.6 0.3  0.3    11.3 0.5
                         0.5

                       +
                        

                       10.0

1.2 0.2                                 11.0 0.5  2.59 0.2
2.54 0.5
            1.27 0.2

            0.86  +    0.2
                      0.1

            0.76 0.1

            2.54 0.5                                0.4 0.1

                                                      Hitachi Code              LDPAK (L)
                                                      JEDEC                     --
                                                      EIAJ                      --
                                                      Weight (reference value)  1.4 g
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(America) Inc.           Electronic components Group
179 East Tasman Drive,   Dornacher Strae 3                 16 Collyer Quay #20-00            Group III (Electronic Components)
San Jose,CA 95134        D-85622 Feldkirchen, Munich
Tel: <1> (408) 433-1990  Germany                            Hitachi Tower                     7/F., North Tower, World Finance Centre,
Fax: <1>(408) 433-0223   Tel: <49> (89) 9 9180-0
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