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2SK1307

器件型号:2SK1307
厂商名称:Hitachi (Renesas )
厂商官网:http://www.renesas.com/eng/
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器件描述

Silicon N-Channel MOS FET

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2SK1307器件文档内容

      2SK1307

Silicon N-Channel MOS FET

Application

High speed power switching

Features

Low on-resistance
High speed switching
4 V gate drive device

     Can be driven from 5 V source
Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive

Outline

                                                   TO-220FM

   D  12 3

G           1. Gate

            2. Drain

            3. Source

   S
2SK1307

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)

Item                                       Symbol     Ratings      Unit
Drain to source voltage                    VDSS
Gate to source voltage                     VGSS       100          V
Drain current                              ID
Drain peak current                         I *1       20          V
Body to drain diode reverse drain current
Channel dissipation                         D(pulse)  20           A
Channel temperature
Storage temperature                        I DR       80           A
Notes: 1. PW  10 s, duty cycle  1%        Pch*2
                                           Tch        20           A
          2. Value at TC = 25C            Tstg
                                                      35           W

                                                      150          C

                                                      55 to +150  C

2
                                                          2SK1307

Electrical Characteristics (Ta = 25C)

Item                         Symbol Min     Typ Max Unit  Test conditions
                                                          ID = 10 mA, VGS = 0
Drain to source breakdown    V(BR)DSS 100   --   --   V
voltage                                                   IG = 100 A, VDS = 0

Gate to source breakdown     V(BR)GSS 20   --   --   V   VGS = 16 V, VDS = 0
voltage                                                   VDS = 80 V, VGS = 0
                                                          ID = 1 mA, VDS = 10 V
Gate to source leak current  I GSS     --   --   10 A   ID = 10 A, VGS = 10 V *1

Zero gate voltage drain current IDSS   --   --   250 A   ID = 10 A, VGS = 4 V *1
                                                          ID = 10 A, VDS = 10 V *1
Gate to source cutoff voltage VGS(off) 1.0  --   2.0  V   VDS = 10 V, VGS = 0,
                                                          f = 1 MHz
Static drain to source on state RDS(on) --  0.065 0.085
resistance                                                ID = 10 A, VGS = 10 V,
                                                          RL = 3
                                       --   0.085 0.12
                                                          IF = 20 A, VGS = 0
Forward transfer admittance |yfs|      10   16   --   S
                                                          IF = 20 A, VGS = 0,
Input capacitance            Ciss --        1300 --   pF  diF/dt = 50 A/s

Output capacitance           Coss --        540 --    pF

Reverse transfer capacitance Crss --        160 --    pF

Turn-on delay time           t d(on)   --   12   --   ns

Rise time                    tr        --   100 --    ns

Turn-off delay time          t d(off)  --   300 --    ns

Fall time                    tf        --   150 --    ns

Body to drain diode forward VDF        --   1.3  --   V

voltage

Body to drain diode reverse trr        --   300 --    ns

recovery time

Note: 1. Pulse test

See characteristic curves of 2SK1302.

                                                                                    3
2SK1307                                                                                                                       Maximum Safe Operation Area
                                                                                                                  100
                    Power vs. Temperature Derating
          60Channel Dissipation Pch (W)                                                                           30                               100 s10 s

          40                                                                                Drain Current ID (A)  10     DCPW1 m=s10Ompse(r1atSiohno(tT)

          20                                                                                                      3

                                                                                                                  1.0                               =

                                                                                                                           Operation in this Area  C
                                                                                                                           is Limited by RDS (on)
                                                                                                                                                   25C)
                                                                                                                  0.3
                                                                                                                          Ta = 25C

                                                 0              50            100      150                        0.1      3 10 30 100 300 1,000
                                                                                                                      1  Drain to Source Voltage VDS (V)

                                                          Case Temperature TC (C)

   Normalized Transient Thermal Impedance S (t)                               Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width

                                                   3                                                                                                            TC = 25C

                                                        D=1
                                                 1.0

                                                          0.5

                                                 0.3 0.2                                                                     chc (t) = S (t) chc
                                                                                                                             chc = 3.57C/W, TC = 25C
                                                          0.1
                                                 0.1 0.05

                                                                                                                             PDM

                                                          0.02                                                                                                        PW
                                                                                                                                                                       T
                                                 0.03   0.01    Pulse                                                                                           D  =
                                                       1 Shot
                                                                                                                                                     PW
                                                                                                                                                   T

                                                 0.01

                                                    10                100        1m       10 m                         100 m                             1               10

                                                                                       Pulse Width PW (s)

4
10.0 0.3                                          2.8 0.2                           Unit: mm
7.0 0.3                                           2.5 0.2
                   3.2 0.2

                                  0.6

                  12.0 0.3                        17.0 0.3

1.2 0.2         2.0 0.3       4.45 0.3        14.0 1.0
  1.4 0.2            5.0 0.3               2.5

      2.54 0.5  0.7 0.1

                  2.54 0.5                        0.5 0.1

                                                    Hitachi Code              TO-220FM
                                                    JEDEC                     --
                                                    EIAJ                      Conforms
                                                    Weight (reference value)  1.8 g
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Nippon Bldg., 2-6-2, Ohte-machi, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0004, Japan

Tel: Tokyo (03) 3270-2111 Fax: (03) 3270-5109

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     Europe              : http://www.hitachi-eu.com/hel/ecg
     Asia (Singapore)    : http://www.has.hitachi.com.sg/grp3/sicd/index.htm
     Asia (Taiwan)       : http://www.hitachi.com.tw/E/Product/SICD_Frame.htm
     Asia (HongKong)     : http://www.hitachi.com.hk/eng/bo/grp3/index.htm
     Japan               : http://www.hitachi.co.jp/Sicd/indx.htm

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(America) Inc.           Electronic components Group
179 East Tasman Drive,   Dornacher Strae 3                 16 Collyer Quay #20-00            Group III (Electronic Components)
San Jose,CA 95134        D-85622 Feldkirchen, Munich
Tel: <1> (408) 433-1990  Germany                            Hitachi Tower                     7/F., North Tower, World Finance Centre,
Fax: <1>(408) 433-0223   Tel: <49> (89) 9 9180-0
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