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2SK1303

器件型号:2SK1303
厂商名称:Hitachi (Renesas )
厂商官网:http://www.renesas.com/eng/
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器件描述

Silicon N-Channel MOS FET

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2SK1303器件文档内容

      2SK1303

Silicon N-Channel MOS FET

Application

High speed power switching

Features

Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
4 V gate drive device

     Can be driven from 5 V source
Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive

Outline

                                                   TO-3P

   D

G     1

         2  3

               1. Gate

               2. Drain

                                   (Flange)
   S

                                3. Source
2SK1303

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)

Item                                       Symbol     Ratings      Unit
Drain to source voltage                    VDSS
Gate to source voltage                     VGSS       100          V
Drain current                              ID
Drain peak current                         I *1       20          V
Body to drain diode reverse drain current
Channel dissipation                         D(pulse)  30           A
Channel temperature
Storage temperature                        I DR       120          A
Notes: 1. PW  10 s, duty cycle  1%        Pch*2
                                           Tch        30           A
          2. Value at TC = 25C            Tstg
                                                      100          W

                                                      150          C

                                                      55 to +150  C

2
                                                          2SK1303

Electrical Characteristics (Ta = 25C)

Item                         Symbol Min     Typ Max Unit  Test conditions
                                                          ID = 10 mA, VGS = 0
Drain to source breakdown    V(BR)DSS 100   --   --   V
voltage                                                   IG = 100 A, VDS = 0

Gate to source breakdown     V(BR)GSS 20   --   --   V   VGS = 16 V, VDS = 0
voltage                                                   VDS = 80 V, VGS = 0
                                                          ID = 1 mA, VDS = 10 V
Gate to source leak current  I GSS     --   --   10 A   ID = 15 A, VGS = 10 V *1

Zero gate voltage drain current IDSS   --   --   250 A   ID = 15 A, VGS = 4 V *1
                                                          ID = 15 A, VDS = 10 V *1
Gate to source cutoff voltage VGS(off) 1.0  --   2.0  V   VDS = 10 V, VGS = 0,
                                                          f = 1 MHz
Static drain to source on state RDS(on) --  0.05 0.06
resistance                                                ID = 15 A, VGS = 10 V,
                                                          RL = 2
                                       --   0.06 0.09
                                                          IF = 30 A, VGS = 0
Forward transfer admittance |yfs|      13   22   --   S
                                                          IF = 30 A, VGS = 0,
Input capacitance            Ciss --        1750 --   pF  diF/dt = 50 A/s

Output capacitance           Coss --        710 --    pF

Reverse transfer capacitance Crss --        180 --    pF

Turn-on delay time           t d(on)   --   15   --   ns

Rise time                    tr        --   120 --    ns

Turn-off delay time          t d(off)  --   390 --    ns

Fall time                    tf        --   195 --    ns

Body to drain diode forward VDF        --   1.3  --   V

voltage

Body to drain diode reverse trr        --   360 --    ns

recovery time

Note: 1. Pulse test

                                                                                    3
2SK1303                                                                                                               Maximum Safe Operation Area
                                                                                                          500
                    Power vs. Temperature Derating
         120Channel Dissipation Pch (W)                                                                   200

           80                                                                       Drain Current ID (A)  100   OperaDtiConOPpiWnerta=hti1ios0nAm(TrCse1(a=1002S51h0osCt)) s1 ms
                                                                                                           50
           40                                                                                              20   is Limited by RDS (on)
                                                                                                           10
                                                                                                             5                                                                   Ta = 25C

                                                                                                             2
                                                                                                          1.0

                                0            50           100             150                             0.5        10 30 100 300 1,000
                                                                                                              13

                                          Case Temperature TC (C)                                              Drain to Source Voltage VDS (V)

                                          Typical Output Characteristics                                            Typical Transfer Characteristics

                                50  10 V     5V                                                           50
                                                                                                                  VDS = 10 V
                                                          4V                                                      Pulse Test

                                                   7V                   Pulse Test                        40
                                40

   Drain Current ID (A)                                          3.5 V              Drain Current ID (A)  30
                                30

                                20                        3V                                              20
                                                                                                                              75C

                                10                                                                        10      TC = 25C

                                                       VGS = 2.5 V                                                   25C

                                0         4            8  12 16 20                                        0       1  2              3                                            4          5

                                    Drain to Source Voltage VDS (V)                                             Gate to Source Voltage VGS (V)

4
                                                                                                                                                                                               2SK1303

Drain to Source Saturation Voltage VDS (on) (V)         Drain to Source Saturation Voltage                        Static Drain to Source on State Resistance               Static Drain to Source on State
                                                             vs. Gate to Source Voltage                              RDS (on) ()                                            Resistance vs. Drain Current
                                                                                                                                                               0.5
                                                 5
                                                                                                                                                                          Pulse Test
                                                                                         Pulse Test                                                            0.2
                                                 4
                                                                                                                                                                                         VGS = 4 V
                                                 3                                                                                                                                                           10 V
                                                                                            ID = 50 A
                                                                                                                                                               0.1
                                                 2
                                                                                                                                                              0.05
                                                                                                  20 A
                                                 1                                                                                                             0.02

                                                                                                  10 A                                                         0.01

                                                 0        2  4            6  8                          10                                                    0.005      5 10 20 50 100 200
                                                                                                                                                                      2    Drain Current ID (A)

                                                    Gate to Source Voltage VGS (V)

Static Drain to Source on State Resistance                        Static Drain to Source on State                 Forward Transfer Admittance yfs (S)                     Forward Transfer Admittance
   RDS (on) ()                                                     Resistance vs. Temperature                                                                                     vs. Drain Current

                                                    0.20                                                                                                      50

                                                              Pulse Test                                                                                      20
                                                    0.16

                                                                             ID = 20 A                                                                        10         25C

                                                    0.12                     10 A                                                                                        TC = 25C
                                                    0.08
                                                    0.04                                                                                                      5          75C

                                                             VGS = 4 V                                      50 A
                                                                                                            20 A

                                                                                             10 A                                                             2
                                                                          VGS = 10 V
                                                                                                                                                                         VGS = 10 V

                                                                                                                                                              1.0        Pulse Test

                                                    0                     40 80 120 160                                                                       0.5 1.0 2  5 10 20 50
                                                    40 0

                                                             Case Temperature TC (C)                                                                                    Drain Current ID (A)

                                                                                                                                                                                                                   5
2SK1303

   Reverse Recovery Time trr (ns)   5,000      Body to Drain Diode Reverse        Capacitance C (pF)  10,000                   Typical Capacitance vs.
                                    2,000               Recovery Time                                  1,000                   Drain to Source Voltage
                                    1,000                                                                 100
                                           di/dt = 50 A/s, Ta = 25C                                                                                      VGS = 0
                                           VGS = 0                                                                                                         f = 1 MHz
                                           Pulse Test                                                                                            Ciss

                                    500                                                                                                          Coss

                                                                                                                                                 Crss

                                    200

                                    100

                                    50                                                                             10
                                      0.5 1.0 2
                                                       5 10 20 50                                                       0  10 20 30 40 50

                                            Reverse Drain Current IDR (A)                                                  Drain to Source Voltage VDS (V)

                                           Dynamic Input Characteristics                                                   Switching Characteristics
                                                                                                                                   td (off)
                                    100                                       20                                 1,000
                                                                                                                   500
   Drain to Source Voltage VDS (V)                     VDD = 25 V                 Gate to Source Voltage VGS (V)
                                    80 VDS                                    16            Switching Time t (ns)

                                                       50 V

                                                       80 V                                                        200
                                                                                                                                     tf
                                    60                                        12
                                                                                                                   100

                                    40     VDD = 80 V        VGS              8

                                                                                                                   50      tr            VGS = 10 V, VDD =.. 30 V

                                    20                                        4                                                          PW = 2 s, duty < 1%

                                            50 V                   ID = 30 A                                       20          td (on)

                                            25 V

                                                                              0                                    10                    5 10 20 50
                                                                                                                     0.5 1.0 2
                                    0       20 40 60 80 100

                                            Gate Charge Qg (nc)                                                                          Drain Current ID (A)

6
                                                                                                                                           2SK1303

Normalized Transient Thermal Impedance S (t)                                         Reverse Drain Current vs.
                                        Reverse Drain Current IDR (A)                  Source to Drain Voltage
                                                                       50

                                                                              Pulse Test
                                                                       40

                                                                       30

                                                                       20
                                                                                           10 V

                                                                       10                5V

                                                                                                 VGS = 0, 10 V

                                                                       0       0.4 0.8 1.2 1.6 2.0

                                                                           Source to Drain Voltage VSD (V)

                           Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width

  3                                                                                                                                 TC = 25C

       D=1
1.0

         0.5

0.3 0.2

         0.1                                                                                                     chc (t) = S (t) chc
0.1 0.05                                                                                                         chc = 1.25C/W, TC = 25C

      0.02                                                                                                       PDM

0.03   0.01                                                                                                                             D  =  PW
      1 Shot Pulse                                                                                                                             T
                                                                                                                                PW
                                                                                                                              T

0.01

10                 100                                                   1m                    10 m            100 m        1                   10

                                                                               Pulse Width PW (s)

      Switching Time Test Circuit                                                                                       Wavewforms
      Vin Monitor

                                                                              Vout Monitor                                              90 %
                                                                           RL
                           D.U.T                                                                       Vin 10 %
                                                                                                       Vout 10 %
                                                                                                                                           10 %

              50

Vin = 10 V                                                                 VDD =.. 30 V                                 90 %  90 %

                                                                                                       td (on)          tr    td (off)        tf

                                                                                                                                                      7
                                                                                             Unit: mm

            15.6 0.3       1.0                         4.8 0.2
             3.2 0.2            5.0 0.3                          1.5

0.5

                             2.0                         0.3
                                 14.9 0.2
                                      19.9 0.2

1.6

1.4 Max          2.0

                                                         2.8

                                             18.0 0.5

                             1.0 0.2                   0.6 0.2

            3.6  0.9

                        1.0

5.45 0.5              5.45 0.5

                                                         Hitachi Code              TO-3P
                                                         JEDEC                     --
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(America) Inc.           Electronic components Group
179 East Tasman Drive,   Dornacher Strae 3                 16 Collyer Quay #20-00            Group III (Electronic Components)
San Jose,CA 95134        D-85622 Feldkirchen, Munich
Tel: <1> (408) 433-1990  Germany                            Hitachi Tower                     7/F., North Tower, World Finance Centre,
Fax: <1>(408) 433-0223   Tel: <49> (89) 9 9180-0
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