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2SK1299L

器件型号:2SK1299L
厂商名称:Hitachi (Renesas )
厂商官网:http://www.renesas.com/eng/
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器件描述

Silicon N-Channel MOS FET

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2SK1299L器件文档内容

2SK1299(L), 2SK1299(S)

      Silicon N-Channel MOS FET

Application

High speed power switching

Features

Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
4 V gate drive device

     Can be driven from 5 V source
Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive

Outline

DPAK-1

                4
                                4

                12 3

         1
            23

        D

G                                  1. Gate

                                   2. Drain

                                   3. Source

                                   4. Drain

        S
2SK1299(L), 2SK1299(S)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)

Item                                       Symbol     Ratings      Unit
Drain to source voltage                    VDSS
Gate to source voltage                     VGSS       100          V
Drain current                              ID
Drain peak current                         I *1       20          V
Body to drain diode reverse drain current
Channel dissipation                         D(pulse)  3            A
Channel temperature
Storage temperature                        I DR       12           A
Notes: 1. PW  10 s, duty cycle  1%        Pch*2
                                           Tch        3            A
          2. Value at TC = 25C            Tstg
                                                      20           W

                                                      150          C

                                                      55 to +150  C

2
                                                      2SK1299(L), 2SK1299(S)

Electrical Characteristics (Ta = 25C)

Item                         Symbol Min     Typ Max Unit  Test conditions
                                                          ID = 10 mA, VGS = 0
Drain to source breakdown    V(BR)DSS 100   --   --   V
voltage                                                   IG = 100 A, VDS = 0

Gate to source breakdown     V(BR)GSS 20   --   --   V   VGS = 16 V, VDS = 0
voltage                                                   VDS = 80 V, VGS = 0
                                                          ID = 1 mA, VDS = 10 V
Gate to source leak current  I GSS     --   --   10 A   ID = 2 A, VGS = 10 V *1

Zero gate voltage drain current IDSS   --   --   100 A   ID = 2 A, VGS = 4 V 1*
                                                          ID = 2 A, VDS = 10 V *1
Gate to source cutoff voltage VGS(off) 1.0  --   2.0  V   VDS = 10 V, VGS = 0,
                                                          f = 1 MHz
Static Drain to source on state RDS(on) --  0.25 0.35
resistance                                                ID = 2 A, VGS = 10 V,
                                                          RL = 15
                                       --   0.30 0.45
                                                          IF = 3 A, VGS = 0
Forward transfer admittance |yfs|      2.4  4.0  --   S
                                                          IF = 3 A, VGS = 0,
Input capacitance            Ciss --        400 --    pF  diF/dt = 50 A/s

Output capacitance           Coss --        165 --    pF

Reverse transfer capacitance Crss --        45   --   pF

Turn-on delay time           t d(on)   --   5    --   ns

Rise time                    tr        --   35   --   ns

Turn-off delay time          t d(off)  --   160 --    ns

Fall time                    tf        --   60   --   ns

Body to drain diode forward VDF        --   1.0  --   V

voltage

Body to drain diode reverse trr        --   135 --    ns

recovery time

Note: 1. Pulse test

                                                                                   3
2SK1299(L), 2SK1299(S)                                                                                                                         Maximum Safe Operation Area

                  Power vs. Temperature Derating                                                                      50
         30                                                                                                                Operation in this area

         20Channel Dissipation Pch (W)                                                          Drain Current ID (A)  20 is limited by RDS (on)                            10 s
                                                                                                                      10
         10
                                                                                                                                                           100 s
                                                                                                                        5                         PW = 10 m1sm(1sShot)
                                                                                                                                                  DC(OTpCe=ra2t5ionC)
                                                                                                                        2
                                                                                                                        1
                                                                                                                      0.5

                                                                                                                      0.2

                                0                              50         100          150                             0.1                                 50 100 200 500 1000
                                                                                                                              Ta = 25C

                                                                                                                      0.05
                                                                                                                            1 2 5 10 20

                                                         Case Temperature TC (C)                                                              Drain to Source Voltage VDS (V)

                                                         Typical Output Characteristics                                                             Typical Transfer Characteristics

                                                      10 10 V      4.5 V                                                                    5
                                                                                                                                               VDS = 10 V
                                                         5V                    4V                                                              Pulse Test

                                                      8                                                                                     4

                                Drain Current ID (A)  6                      3.5 V                                    Drain Current ID (A)  3

                                                      4                        3V                                                           2

                                                      2                   VGS = 2.5 V                                                       1     25C     TC = 25C

                                                                               Pulse Test                                                         75C

                                                      0  2         4      6         8       10                                              0  1        2               3         4   5

                                                         Drain to Source Voltage VDS (V)                                                       Gate to Source Voltage VGS (V)

4
                                                                                                                                                    2SK1299(L), 2SK1299(S)

Drain to Source Saturation Voltage          Drain to Source Saturation Voltage                  Static Drain to Source on State Resistance                Static Drain to Source on State
   VDS (on) (V)                                   vs. Gate to Source Voltage                       RDS (on) ()                                             Resistance vs. Drain Current
                                                                                                                                                 5
                                    2.0
                                                                          Pulse Test                                                                Pulse Test
                                                                                                                                                 2
                                    1.6
                                                                                  ID = 5 A                                                       1

                                    1.2                                                                                                     0.5
                                                                                                                                                                  VGS = 4 V
                                    0.8                                                                                                                                                  10 V
                                                                                  2A
                                                                                                                                            0.2
                                    0.4
                                                                                  1A                                                        0.1

                                            0     2     4            6  8                   10                                              0.05    0.5 1 2            5 10 20
                                                                                                                                               0.2

                                                  Gate to Source Voltage VGS (V)                                                                    Drain Current ID (A)

                                                  Static Drain to Source on State                                                                   Forward Transfer Admittance

                                                  Resistance vs. Temperature                                                                        vs. Drain Current

Static Drain to Source on State Resistance  0.5                                                 Forward Transfer Admittance yfs (S)         10
   RDS (on) ()                                                                                                                                    VDS = 10 V
                                                                            ID = 5 A                                                                          TC = 25C
                                                                                                                                             5 Pulse Test
                                            0.4                             2A

                                                                            1A

                                                                                        5A                                                  2                             25C
                                                  VGS = 4 V

                                            0.3                             2A                                                                                75C

                                                                        1A                                                                  1

                                                               10 V
                                            0.2

                                                                                                                                            0.5

                                            0.1                         Pulse Test                                                          0.2

                                              0                                                                                             0.1
                                             40
                                                     0  40           80 120 160                                                             0.05 1.0 0.2 0.5 1 2                               5

                                                  Case Temperature TC (C)                                                                          Drain Current ID (A)

                                                                                                                                                                                                  5
2SK1299(L), 2SK1299(S)

                                                Body to Drain Diode Reverse                                      1000     Typical Capacitance vs.
                                                          Recovery Time                                                   Drain to Source Voltage

                                   500                                                                                                          Ciss

   Reverse Recovery Time trr (ns)  200                                           Capacitance C (pF)              100                                 Coss
                                   100
                                                                                                                                                     Crss
                                    50

                                    20                                                                           10

                                    10                  di/dt = 50 A/s                                                   VGS = 0
                                                                                                                          f = 1 MHz
                                     5                  VGS = 0, Ta = 25C
                                      0.1               Pulse Test

                                                                                                                 1

                                           0.2 0.5 1 2              5 10                                               0  10 20 30 40 50

                                           Reverse Drain Current IDR (A)                                                  Drain to Source Voltage VDS (V)

                                           Dynamic Input Characteristics                                                         Switching Characteristics
                                                                                                                 500
                                    200                                      20

   Drain to Source Voltage VDS (V)          VDD = 80 V                           Gate to Source Voltage VGS (V)                            td (off)
                                                                                         Switching Time t (ns)
                                    160          50 V                        16                                  200

                                                 25 V

                                                                                                                 100

                                    120                 VGS                  12                                                      tf

                                                                                                                 50

                                    80 VDS                                   8                                                         tr
                                                                                                                 20

                                    40      VDD  =  25  V    ID = 3 A 4                                          10                        VGS = 10 V, VDD =.. 30 V
                                                    50  V                                                                                  PW = 2s, duty < 0.1 %
                                                                                                                  5       td (on)
                                                    80 V                                                           0.1
                                                                             0
                                                                                                                          0.2 0.5 1 2                       5 10
                                    0       8       16 24 32 40

                                               Gate Charge Qg (nc)                                                        Drain Current ID (A)

6
                                                                                                                   2SK1299(L), 2SK1299(S)

Normalized Transient Thermal Impedance s (t)                                            Reverse Drain Current vs.
                                           Reverse Drain Current IDR (A)                 Source to Drain Voltage
                                                                          10

                                                                                  Pulse Test

                                                                           8

                                                                          6
                                                                                                5V

                                                                          4  VGS = 10 V                   VGS = 0, 5 V

                                                                          2

                                                                          0  0.4 0.8 1.2 1.6 2.0

                                                                             Source to Drain Voltage VSD (V)

                               Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3

1.0      D=1                                                                                                                    TC = 25C

         0.5

0.3         0.2

         0.1                                                                                                              chc (t) = s (t) chc
                                                                                                                          chc = 6.25C/W, TC = 25C
0.1      0.05                                                                                                             PDM

              0.02                                                                                                              T PW       D = PTW
0.03 10.S0h1ot Pulse

0.01                  100                                                   1m                     10 m           100 m              1               10
   10

                                                                                 Pulse Width PW (s)

         Switching Time Test Circuit                                                                                      Wavewforms
         Vin Monitor

                                                                                Vout Monitor                                              90 %
                                                                             RL
                             D.U.T                                                                        Vin 10 %
                                                                                                          Vout 10 %
                                                                                                                                           10 %

                 50

Vin = 10 V                                                                   VDD =.. 30 V                                 90 %  90 %

                                                                                                          td (on)         tr    td (off)        tf

                                                                                                                                                          7
                                                                               Unit: mm

            6.5 0.5  1.7 0.5       2.3 0.2
            5.4 0.5                  0.55 0.1

                       5.5 0.5

                                       1.2 0.3

1.15 0.1             3.1 0.5
0.8 0.1                  16.2 0.5

2.29 0.5             2.29 0.5      0.55 0.1

                                       Hitachi Code              DPAK (L)-(1)
                                       JEDEC                     --
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