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2SK1298

器件型号:2SK1298
厂商名称:Hitachi (Renesas )
厂商官网:http://www.renesas.com/eng/
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器件描述

Silicon N-Channel MOS FET

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2SK1298器件文档内容

      2SK1298

Silicon N-Channel MOS FET

Application

High speed power switching

Features

Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
4 V gate drive device

     Can be driven from 5 V source
Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive

Outline

                                                   TO-3PFM

   D

G     1

         2  3

               1. Gate

               2. Drain

                                3. Source
   S
2SK1298

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)

Item                                       Symbol     Ratings      Unit
Drain to source voltage                    VDSS
Gate to source voltage                     VGSS       60           V
Drain current                              ID
Drain peak current                         I *1       20          V
Body to drain diode reverse drain current
Channel dissipation                         D(pulse)  40           A
Channel temperature
Storage temperature                        I DR       160          A
Notes: 1. PW  10 s, duty cycle  1%        Pch*2
                                           Tch        40           A
          2. Value at TC = 25C            Tstg
                                                      50           W

                                                      150          C

                                                      55 to +150  C

2
                                                           2SK1298

Electrical Characteristics (Ta = 25C)

Item                         Symbol Min     Typ Max Unit   Test conditions
                                                           ID = 10 mA, VGS = 0
Drain to source breakdown    V(BR)DSS 60    --    --   V
voltage                                                    IG = 100 A, VDS = 0

Gate to source breakdown     V(BR)GSS 20   --    --   V   VGS = 16 V, VDS = 0
voltage                                                    VDS = 50 V, VGS = 0
                                                           ID = 1 mA, VDS = 10 V
Gate to source leak current  I GSS     --   --    10 A   ID = 20 A, VGS = 10 V *1

Zero gate voltage drain current IDSS   --   --    250 A   ID = 20 A, VGS = 4 V *1
                                                           ID = 20 A, VDS = 10 V *1
Gate to source cutoff voltage VGS(off) 1.0  --    2.0  V   VDS = 10 V, VGS = 0,
                                                           f = 1 MHz
Static drain to source on state RDS(on) --  0.015 0.018
resistance                                                 ID = 20 A, VGS = 10 V,
                                                           RL = 1.5
                                       --   0.02  0.025
                                            35             IF = 40 A, VGS = 0
Forward transfer admittance |yfs|      22   3600  --   S
                                            1850           IF = 40 A, VGS = 0,
Input capacitance            Ciss --        450   --   pF  diF/dt = 50 A/s
                                            30
Output capacitance           Coss --        170   --   pF
                                            700
Reverse transfer capacitance Crss --        350   --   pF
                                            1.2
Turn-on delay time           t d(on)   --         --   ns

Rise time                    tr        --         --   ns

Turn-off delay time          t d(off)  --         --   ns

Fall time                    tf        --         --   ns

Body to drain diode forward VDF        --         --   V

voltage

Body to drain diode reverse trr        --   155 --     ns

recovery time

Note: 1. Pulse test

                                                                                     3
2SK1298                                                                                                              Maximum Safe Operation Area
                                                                                                          500
                   Power vs. Temperature Derating
          60Channel Dissipation Pch (W)                                                                   200                                        10 s

          40                                                                        Drain Current ID (A)  100                                100 s = 10 ms (1 Shot)
                                                                                                                                          PW
          20                                                                                              50                                 1 ms

                                                                                                          20          DC
                                                                                                          10             Operation (T

                                                                                                           5

                                                                                                          2 Operation in this area        C = 25C)
                                                                                                                  is limited by RDS (on)
                                                                                                          1.0
                                                                                                                  Ta = 25C

                                0            50     100                        150                        0.5                             10 30 100
                                                                                                             0.1 0.3 1.0 3

                                      Case Temperature TC (C)                                                    Drain to Source Voltage VDS (V)

                                      Typical Output Characteristics                                                 Typical Transfer Characteristics
                                                                                                          100
                                100 10 V     4.5 V                 Pulse Test
                                      8V
                                                                                                                  VDS = 10 V
                                80           5V 4V                                                        80
                                                                                                                  Pulse Test
   Drain Current ID (A)                                                             Drain Current ID (A)
                                60                  3.5 V                                                 60

                                40                                                                        40
                                                               3V
                                                                                                                      75C
                                20                                                                                TC  = 25C
                                                   VGS = 2.5 V                                            20          25C

                                   0      2      4  6              8           10                              0  1           2           3          4                5

                                      Drain to Source Voltage VDS (V)                                             Gate to Source Voltage VGS (V)

4
                                                                                                                                                                          2SK1298

Drain to Source Saturation Voltage          Drain to Source Saturation Voltage                Static Drain to Source on State Resistance             Static Drain to Source on State
   VDS (on) (V)                                   vs. Gate to Source Voltage                     RDS (on) ()                                           Resistance vs. Drain Current
                                                                                                                                          0.5
                                    2.0
                                                                                                                                                    Pulse Test
                                                                          Pulse Test                                                      0.2
                                    1.6
                                                                                                                                          0.1

                                    1.2

                                    0.8                                    ID = 50 A                                                       0.05

                                    0.4                                    20 A                                                            0.02                 VGS = 4 V
                                                                                                                                                                                 10 V
                                                                           10 A                                                            0.01
                                                                                                                                          0.005     5 10 20 50 100 200
                                            0       2          4      6           8   10                                                               Drain Current ID (A)
                                                                                                                                                 2

                                                  Gate to Source Voltage VGS (V)

Static Drain to Source on State Resistance               Static Drain to Source on State      Forward Transfer Admittance yfs (S)                    Forward Transfer Admittance
   RDS (on) ()                                             Resistance vs. Temperature                                                                         vs. Drain Current

                                            0.05                                                                                          50

                                                   Pulse Test                                                                             20         25C
                                            0.04

                                                                       ID = 50 A                                                          10         TC = 25C
                                                                     10 A, 20 A
                                            0.03       VGS = 4 V                                                                                     75C

                                                                                                                                          5

                                            0.02                                        50 A                                              2          VDS = 10 V
                                            0.01                                  10 A, 20 A
                                                               VGS = 10 V
                                                                                                                                                     Pulse Test
                                                                                                                                          1.0

                                               0

                                               40     0          40     80 120 160                                                       0.5 1.0 2  5 10 20 50

                                                       Case Temperature TC (C)                                                                     Drain Current ID (A)

                                                                                                                                                                                       5
2SK1298

                                                Body to Drain Diode Reverse                                                         Typical Capacitance vs.
                                                          Recovery Time                                                             Drain to Source Voltage

                                   500                                                                                   10000                              VGS = 0
                                                                                                                          1000                              f = 1 MHz
   Reverse Recovery Time trr (ns)                                                                                           100              Ciss

                                   200                                                   Capacitance C (pF)                                  Coss
                                   100
                                                                                                                                             Crss
                                    50

                                    20
                                                  di/dt = 50 A/s, Ta = 25C

                                    10   VGS = 0
                                         Pulse Test

                                    5                                                                                    10
                                    0.5 1.0 2
                                                     5 10 20 50                                                                  0  10 20 30 40 50

                                         Reverse Drain Current IDR (A)                                                              Drain to Source Voltage VDS (V)

                                         Dynamic Input Characteristics                                                              Switching Characteristics

                                    100                                       20                                         1000           td (off)
                                                                                                                          500            tf
   Drain to Source Voltage VDS (V)  80                                        16         Gate to Source Voltage VGS (V)
                                                    VDD = 10 V                                   Switching Time t (ns)

                                                     25 V                                                                200

                                    60               50 V                     12

                                         VDS                                                                             100        tr

                                    40                     VGS                8

                                              50 V                                                                       50

                                                                                                                         20         td (on)
                                                                                                                         10
                                    20                     ID = 40 A          4                                                            VGS = 10 V  VDD  =    30  V
                                                                                                                           0.5                                 
                                              25 V
                                                                                                                                           PW = 2s, duty < 1 %
                                              VDD = 10 V
                                                                                      0                                             1.0 2    5 10 20 50

                                    0         40 80 120 160 200

                                              Gate Charge Qg (nc)                                                                   Drain Current ID (A)

6
                                                                                                                                           2SK1298

Normalized Transient Thermal Impedance s (t)                                              Reverse Drain Current vs.
                                            Reverse Drain Current IDR (A)                   Source to Drain Voltage
                                                                           100

                                                                                       Pulse Test
                                                                            80

                                                                           60
                                                                                             10 V 5 V

                                                                           40

                                                                           20
                                                                                                           VGS = 0, 5 V

                                                                           0      0.4 0.8 1.2 1.6 2.0

                                                                              Source to Drain Voltage VSD (V)

                               Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3

1.0 D = 1                                                                                                                                  TC = 25C
         0.5

0.3 0.2                                                                                                                    chc (t) = s (t) chc
                                                                                                                           chc = 2.50C/W, TC = 25C
         0.1
0.1                                                                                                                        PDM

        0.05

0.03  0.02                                                                                                                                 D = PTW
0.01
      0.01       Pulse                                                                                                              PW
         1 Shot                                                                                                                  T

10              100                                                         1m               10 m                  100 m              1             10

                                                                                  Pulse Width PW (s)

      Switching Time Test Circuit                                                                                           Wavewforms
      Vin Monitor

                                                                                 Vout Monitor                                              90 %
                                                                              RL
                        D.U.T                                                                        Vin 10 %
                                                                                                     Vout 10 %
                                                                                                                                           10 %

                  50                                                          VDD =.. 30 V                                 90 %  90 %
Vin = 10 V
                                                                                                     td (on)
                                                                                                                           tr    td (off)        tf

                                                                                                                                                          7
             15.6 0.3   5.0 0.3                                                        Unit: mm
                                                  5.5 0.3

             3.2  +  0.4
                    0.2

                                      19.9 0.3

        4.0               2.7                     3.2
        2.6                   5.0                 0.6 0.2
  1.4 Max
                            1.6       21.0 0.5
5.45 0.5                 1.4 Max

                          1.0 0.2
                          5.45 0.5

                                                  Hitachi Code              TO-3PFM
                                                  JEDEC                     --
                                                  EIAJ                      --
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Tel: <1> (408) 433-1990  Germany                            Hitachi Tower                     7/F., North Tower, World Finance Centre,
Fax: <1>(408) 433-0223   Tel: <49> (89) 9 9180-0
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