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2SK1279

器件型号:2SK1279
厂商名称:FUJI
厂商官网:http://www.fujielectric.co.jp/eng/fdt/scd/
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器件描述

N-channel MOS-FET

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2SK1279器件文档内容

                   2SK1279                                                                      N-channel MOS-FET

                                 F-V Series                                                      500V 0,58 15A 125W
                                                                                         > Outline Drawing
> Features

- Include Fast Recovery Diode
- High Voltage
- Low Driving Power

> Applications

- Motor Control
- Inverters
- Choppers

> Maximum Ratings and Characteristics                                                           > Equivalent Circuit

- Absolute Maximum Ratings (TC=25C), unless otherwise specified                     Unit
                                                                                      V
Item                                     Symbol                     Rating            A
                                                                                      A
Drain-Source-Voltage                     V DS                       500               A
                                                                                      V
Continous Drain Current                  ID                                 15        W
                                                                                      C
Pulsed Drain Current                     I D(puls)                          60        C

Continous Reverse Drain Current          I DR                               15

Gate-Source-Voltage                      V GS                       20

Max. Power Dissipation                   PD                         125

Operating and Storage Temperature Range  T ch                       150

                                         T stg       -55 ~ +150

- Electrical Characteristics (TC=25C), unless otherwise specified

Item                                     Symbol                     Test conditions      Min. Typ. Max. Unit

Drain-Source Breakdown-Voltage           V (BR)DSS ID=1mA                       VGS=0V   500                                        V

Gate Threshhold Voltage                  V GS(th)    ID=10mA                    VDS=VGS  2,1  3,0 4,0 V

Zero Gate Voltage Drain Current          I DSS       VDS=500V Tch=25C                        10 500 A

                                                     VGS=0V

Gate Source Leakage Current              I GSS       VGS=20V VDS=0V                          10 100 nA

Drain Source On-State Resistance         R DS(on)    ID=8A                      VGS=10V       0,4 0,58

Forward Transconductance                 g fs        ID=8A                      VDS=25V  7    13                                    S

Input Capacitance                        C iss                              VDS=25V           2000 3000 pF

Output Capacitance                       C oss                              VGS=0V            270 400 pF

Reverse Transfer Capacitance             C rss                              f=1MHz            140 210 pF

Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)         t d(on)                    VCC=300V                  30                                    45 ns

                                         tr                                 ID=15A            100 150 ns

Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)      t d(off)                           VGS=10V           400 600 ns

                                         tf                         RGS=25                    160 240 ns

Diode Forward On-Voltage                 V SD        IF=IDR VGS=0V Tch=25C                   0,95 1,8 V

Reverse Recovery Time                    t rr                       IF=IDR VGS=0V             150 200 ns

                                                     -dIF/dt=100A/s Tch=25C

- Thermal Characteristics                Symbol               Test conditions            Min. Typ. Max. Unit
Item                                     R th(ch-a)  channel to air                                                35 C/W
Thermal Resistance                       R th(ch-c)  channel to case                                                 1,0 C/W

      Collmer Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX -75370 - 972-233-1589 - FAX 972-233-0481 - http://www.collmer.com
N-channel MOS-FET                                                       2SK1279                                                             Typical Transfer Characteristics

500V 0,58 15A 125W                                                       F-V Series

> Characteristics                                                         Drain-Source-On-State Resistance vs. Tch

               Typical Output Characteristics

                1                                                        2                                                                   3

ID [A]                                                       RDS(ON) []                                                     ID [A]

                                VDS [V]                                                 Tch [C]                                                        VGS [V]

            Typical Drain-Source-On-State-Resistance vs. ID              Typical Forward Transconductance vs. ID                             Gate Threshold Voltage vs. Tch

            44                                                              5                                                                        6

RDS(ON) []                                                   gfs [S]                                                        VGS(th) [V]

                        ID [A]                                                   ID [A]                                                                      Tch [C]

            Typical Capacitance vs. VDS                                  Typical Input Charge                                                Forward Characteristics of Reverse Diode

            7                                                            8                                                                           9

C [nF]                                                       VDS [V]                                                        VGS [V]
                                                                                                                                     IF [A]

                            VDS [V]                                                   Qg [nC]                                                               VSD [V]

            Allowable Power Dissipation vs. TC                           Safe operation area                                                 Transient Thermal impedance

                                                                                                           Zth(ch-c) [K/W]                        11

            10                                                                   12

PD [W]                                          ID [A]

             Tc [C]                                                           VDS [V]                                                       t [s]

                                                             This specification is subject to change without notice!
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