电子工程世界电子工程世界电子工程世界

产品描述

搜索
 

2SK1254S

器件型号:2SK1254S
厂商名称:Hitachi (Renesas )
厂商官网:http://www.renesas.com/eng/
下载文档

器件描述

Silicon N-Channel MOS FET

文档预览

2SK1254S器件文档内容

2SK1254(L), 2SK1254(S)

      Silicon N-Channel MOS FET

Application

High speed power switching

Features

Low on-resistance
High speed switching
4 V gate drive device

     Can be driven from 5 V source
Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive

Outline

DPAK-1

                4
                                4

                12 3

         1
            23

        D

G                                  1. Gate

                                   2. Drain

                                   3. Source

                                   4. Drain

        S
2SK1254(L), 2SK1254(S)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)

Item                                       Symbol     Ratings      Unit
Drain to source voltage                    VDSS
Gate to source voltage                     VGSS       120          V
Drain current                              ID
Drain peak current                         I *1       20          V
Body to drain diode reverse drain current
Channel dissipation                         D(pulse)  3            A
Channel temperature
Storage temperature                        I DR       12           A
Notes: 1. PW  10 s, duty cycle  1%        Pch*2
                                           Tch        3            A
          2. Value at TC = 25C            Tstg
                                                      20           W

                                                      150          C

                                                      55 to +150  C

2
                                                      2SK1254(L), 2SK1254(S)

Electrical Characteristics (Ta = 25C)

Item                         Symbol Min     Typ Max Unit  Test conditions
                                                          ID = 10 mA, VGS = 0
Drain to source breakdown    V(BR)DSS 120   --   --   V
voltage                                                   IG = 100 A, VDS = 0

Gate to source breakdown     V(BR)GSS 20   --   --   V   VGS = 16 V, VDS = 0
voltage                                                   VDS = 100 V, VGS = 0
                                                          ID = 1 mA, VDS = 10 V
Gate to source leak current  I GSS     --   --   10 A   ID = 2 A, VGS = 10 V *1

Zero gate voltage drain current IDSS   --   --   100 A   ID = 2 A, VGS = 4 V *1
                                                          ID = 2 A, VDS = 10 V *1
Gate to source cutoff voltage VGS(off) 1.0  --   2.0  V   VDS = 10 V, VGS = 0,
                                                          f = 1 MHz
Static Drain to source on state RDS(on) --  0.30 0.40
resistance                                                ID = 2 A, VGS = 10 V,
                                                          RL = 15
                                       --   0.35 0.55
                                                          IF = 3 A, VGS = 0
Forward transfer admittance |yfs|      2.4  4.0  --   S
                                                          IF = 3 A, VGS = 0,
Input capacitance            Ciss --        420 --    pF  diF/dt = 50 A/s

Output capacitance           Coss --        190 --    pF

Reverse transfer capacitance Crss --        25   --   pF

Turn-on delay time           t d(on)   --   5    --   ns

Rise time                    tr        --   20   --   ns

Turn-off delay time          t d(off)  --   150 --    ns

Fall time                    tf        --   45   --   ns

Body to drain diode forward VDF        --   0.95 --   V

voltage

Body to drain diode reverse trr        --   160 --    ns

recovery time

Note: 1. Pulse test

                                                                                   3
2SK1254(L), 2SK1254(S)                                                                                                             Maximum Safe Operation Area
                                                                                                                         50
                  Power vs. Temperature Derating
         30Channel Dissipation Pch (W)                                                             Drain Current ID (A)  20                                                 10
                                                                                                                         10
         20
                                                                                                                                               5     PW                       s
         10                                                                                                                                                             100

                                                                                                                                                               = 10 ms      s
                                                                                                                                                             in this
                                                                                                                           2                      DC            1
                                                                                                                         1.0
                                                                                                                         0.5                                           ms(1 Shot)
                                                                                                                                                             Operation

                                                                                                                                                  Operation           (T

                                                                                                                         0.2 area is limited                           =
                                                                                                                         0.1 by RDS (on)
                                                                                                                                                                      C

                                                                                                                                                                            25C)

                                                                                                                                       Ta = 25C
                                                                                                                         0.05

                                0                                 50     100                  150                                                 1 3 10 30 100 300                       1,000

                                                         Case Temperature TC (C)                                                                 Drain to Source Voltage VDS (V)

                                                         Typical Output Characteristics                                                                Typical Transfer Characteristics
                                                                                                                                               5
                                                      5                  Pulse Test
                                                      10 V                                                                                     4 VDS = 10 V
                                                                                                                                                     Pulse Test
                                                              4V
                                                                                                                                               3
                                Drain Current ID (A)  4                                                                  Drain Current ID (A)
                                                                                          3V

                                                      3

                                                      2                                                                                        2

                                                                                     2.5 V                                                     1  75C                             25C
                                                      1

                                                                                                                                                  TC = 25C

                                                                         VGS = 2 V

                                                      0  4            8  12 16 20                                                              0  1          2              3      4      5

                                                         Drain to Source Voltage VDS (V)                                                          Gate to Source Voltage VGS (V)

4
                                                                                                                                                      2SK1254(L), 2SK1254(S)

                                            Drain to Source Saturation Voltage                  Static Drain to Source on State Resistance               Static Drain to Source on State
                                                  vs. Gate to Source Voltage                       RDS (on) ()                                             Resistance vs. Drain Current

                                    2.0                                                                                                          5

Drain to Source Saturation Voltage                                           PulseTest                                                               Pulse Test
   VDS (on) (V)                     1.6                                                                                                       2
                                                                                                                                            1.0
                                                                                                                                                                       VGS = 4 V

                                    1.2                                                                                                     0.5
                                                                                3A
                                                                                                                                                                                               10 V
                                    0.8                                                                                                     0.2
                                                                                2A

                                    0.4                               ID = 1 A                                                              0.1

                                            0     2   4               6         8           10                                              0.05      0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
                                                                                                                                                 0.2     Drain Current ID (A)

                                                  Gate to Source Voltage VGS (V)

                                                       Static Drain to Source on State                                                                Forward Transfer Admittance
                                                         Resistance vs. Temperature
                                                                                                                                                      vs. Drain Current
                                            1.0
Static Drain to Source on State Resistance                                                      Forward Transfer Admittance yfs (S)         10                         25C
   RDS (on) ()
                                                      Pulse Test                                                                            5    VDS = 10 V  TC = 25C
                                            0.8                                                                                                  Pulse Test

                                                                                                                                                                 75C

                                                                              ID = 3 A                                                      2

                                            0.6                       1, 2 A

                                                      VGS = 4 V                                                                             1.0

                                            0.4                                         3A

                                                                              1, 2 A                                                        0.5

                                            0.2                   VGS = 10 V

                                                                                                                                            0.2

                                               0                                                                                            0.1

                                               40 0              40     80 120 160                                                         0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2                        5

                                                  Case Temperature TC (C)                                                                            Drain Current ID (A)

                                                                                                                                                                                                     5
2SK1254(L), 2SK1254(S)

                                                  Body to Drain Diode Reverse                          1,000                    Typical Capacitance
                                                           Recovery Time                                 100                vs. Drain to Source Voltage

                                    500                                                                                                                 Ciss

   Reverse Recovery Time trr (ns)        di/dt = 50 A/s, Ta = 25C                                                                                     Coss

                                    200  VGS = 0
                                         Pulse Test
                                                                                   Capacitance C (pF)
                                    100

                                    50

                                    20                                                                                                                       Crss
                                                                                                                    10

                                    10                                                                                      VGS = 0
                                                                                                                            f = 1 MHz

                                    5                0.5 1.0 2       5 10                                           1
                                    0.1 0.2
                                                                                                                         0  10                20  30 40                     50

                                         Reverse Drain Current IDR (A)                                                      Drain to Source Voltage VDS (V)

                                         Dynamic Input Characteristics                                                      Switching Characteristics

                                    100                                        20                                   500

                                                VDD = 25 V                                                                                    VGS = 10 V  VDD  =    30  V
                                                                                                                                                                  

   Drain to Source Voltage VDS (V)                    50 V                         Gate to Source Voltage VGS (V)             td (off) PW = 2s, duty < 1 %
                                                                                             Switching Time t (ns)
                                    80 VDS           80 V                      16                                   200

                                                                                                                    100

                                    60                     VGS                 12

                                                                                                                    50
                                                                                                                                            tf

                                    40                                         8

                                    20          VDD = 80 V           ID = 3 A 4                                     20
                                                                                                                                          tr

                                                50 V                                                                10

                                                25 V                                                                5            td (on)
                                                                                                                     1.0 0.2    0.5 1.0 2
                                                                               0                                                                                   5 10

                                    0        8        16 24 32 40

                                                Gate Charge Qg (nc)                                                             Drain Current ID (A)

6
                                                                                                                2SK1254(L), 2SK1254(S)

Normalized Transient Thermal Impedance S (t)                                        Reverse Drain Current vs.
                                         Reverse Drain Current IDR (A)               Source to Drain Voltage
                                                                        5

                                                                             Pulse Test
                                                                        4

                                                                        3      10 V

                                                                               15 V

                                                                        2

                                                                        1
                                                                                                 VGS = 0, 5 V

                                                                        0  0.4 0.8 1.2 1.6 2.0

                                                                           Source to Drain Voltage VSD (V)

                              Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3

1.0 D = 1                                                                                                                             TC = 25C
          0.5

0.3 0.2

          0.1                                                                                                   chc (t) = S (t) chc
                                                                                                                chc = 6.25C/W, TC = 25C
0.1 0.05

          0.02                                                                                                         PDM

0.03  0.01  Shot  Pulse                                                                                                                  D  =    PW
         1                                                                                                                                        T
                                                                                                                               PW
                                                                                                                             T

0.01              100                                                     1m               10 m                100 m              1                 10
    10

                                                                               Pulse Width PW (s)

          Switching Time Test Circuit                                                                                  Wavewforms
          Vin Monitor

                                                                              Vout Monitor                                               90 %
                                                                           RL
                         D.U.T                                                                    Vin 10 %
                                                                                                  Vout 10 %
                                                                                                                                               10 %

                50

Vin = 10 V                                                                 VDD =.. 30 V                                90 %        90 %

                                                                                                  td (on)              tr    td (off)            tf

                                                                                                                                                         7
                                                                               Unit: mm

            6.5 0.5  1.7 0.5       2.3 0.2
            5.4 0.5                  0.55 0.1

                       5.5 0.5

                                       1.2 0.3

1.15 0.1             3.1 0.5
0.8 0.1                  16.2 0.5

2.29 0.5             2.29 0.5      0.55 0.1

                                       Hitachi Code              DPAK (L)-(1)
                                       JEDEC                     --
                                       EIAJ                      Conforms
                                       Weight (reference value)  0.42 g
Cautions

1. Hitachi neither warrants nor grants licenses of any rights of Hitachi's or any third party's patent,
    copyright, trademark, or other intellectual property rights for information contained in this document.
    Hitachi bears no responsibility for problems that may arise with third party's rights, including
    intellectual property rights, in connection with use of the information contained in this document.

2. Products and product specifications may be subject to change without notice. Confirm that you have
    received the latest product standards or specifications before final design, purchase or use.

3. Hitachi makes every attempt to ensure that its products are of high quality and reliability. However,
    contact Hitachi's sales office before using the product in an application that demands especially high
    quality and reliability or where its failure or malfunction may directly threaten human life or cause risk
    of bodily injury, such as aerospace, aeronautics, nuclear power, combustion control, transportation,
    traffic, safety equipment or medical equipment for life support.

4. Design your application so that the product is used within the ranges guaranteed by Hitachi particularly
    for maximum rating, operating supply voltage range, heat radiation characteristics, installation
    conditions and other characteristics. Hitachi bears no responsibility for failure or damage when used
    beyond the guaranteed ranges. Even within the guaranteed ranges, consider normally foreseeable
    failure rates or failure modes in semiconductor devices and employ systemic measures such as fail-
    safes, so that the equipment incorporating Hitachi product does not cause bodily injury, fire or other
    consequential damage due to operation of the Hitachi product.

5. This product is not designed to be radiation resistant.
6. No one is permitted to reproduce or duplicate, in any form, the whole or part of this document without

    written approval from Hitachi.
7. Contact Hitachi's sales office for any questions regarding this document or Hitachi semiconductor

    products.

Hitachi, Ltd.

Semiconductor & Integrated Circuits.

Nippon Bldg., 2-6-2, Ohte-machi, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0004, Japan

Tel: Tokyo (03) 3270-2111 Fax: (03) 3270-5109

URL  NorthAmerica        : http:semiconductor.hitachi.com/
     Europe              : http://www.hitachi-eu.com/hel/ecg
     Asia (Singapore)    : http://www.has.hitachi.com.sg/grp3/sicd/index.htm
     Asia (Taiwan)       : http://www.hitachi.com.tw/E/Product/SICD_Frame.htm
     Asia (HongKong)     : http://www.hitachi.com.hk/eng/bo/grp3/index.htm
     Japan               : http://www.hitachi.co.jp/Sicd/indx.htm

For further information write to:

Hitachi Semiconductor    Hitachi Europe GmbH                Hitachi Asia Pte. Ltd.            Hitachi Asia (Hong Kong) Ltd.
(America) Inc.           Electronic components Group
179 East Tasman Drive,   Dornacher Strae 3                 16 Collyer Quay #20-00            Group III (Electronic Components)
San Jose,CA 95134        D-85622 Feldkirchen, Munich
Tel: <1> (408) 433-1990  Germany                            Hitachi Tower                     7/F., North Tower, World Finance Centre,
Fax: <1>(408) 433-0223   Tel: <49> (89) 9 9180-0
                         Fax: <49> (89) 9 29 30 00          Singapore 049318                  Harbour City, Canton Road, Tsim Sha Tsui,

                         Hitachi Europe Ltd.                Tel: 535-2100                     Kowloon, Hong Kong
                         Electronic Components Group.
                         Whitebrook Park                    Fax: 535-1533                     Tel: <852> (2) 735 9218
                         Lower Cookham Road
                         Maidenhead                                                           Fax: <852> (2) 730 0281
                         Berkshire SL6 8YA, United Kingdom
                         Tel: <44> (1628) 585000            Hitachi Asia Ltd.                 Telex: 40815 HITEC HX
                         Fax: <44> (1628) 778322
                                                            Taipei Branch Office

                                                            3F, Hung Kuo Building. No.167,

                                                            Tun-Hwa North Road, Taipei (105)

                                                            Tel: <886> (2) 2718-3666

                                                            Fax: <886> (2) 2718-8180

                                                            Copyright ' Hitachi, Ltd., 1999. All rights reserved. Printed in Japan.
This datasheet has been downloaded from:
             www.EEworld.com.cn

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company
小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved