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2SK123

器件型号:2SK123
厂商名称:Panasonic
厂商官网:http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
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器件描述

Silicon N-Channel Junction FET

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2SK123器件文档内容

Silicon Junction FETs (Small Signal)                                                                                                        unit: mm

2SK123                                                                      0.4-+00..015           2.40.1         5.8-+00..32     1.90.1
                                                                                                                    1.5-+00..0255
Silicon N-Channel Junction FET
                                                                                                              1
For impedance conversion in low frequency
For electret capacitor microphone                                                         1.90.2  0.95 0.95                            0.4-+00..015
                                                                                                                                                  1.45
s Features
q High mutual conductance gm                                                                                                                           2.9-+00..025
q Low noise voltage of NV

                                                                            0.4-+00..015                                          3
                                                                                                              2

s Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)                                                                                                   0.16-+00..016
                                                                                                                                                   0.8
Parameter                      Symbol Ratings            Unit                                                                                          1.1-+00..12

Drain to Source voltage        VDSO         20           V
Drain to Gate voltage          VDGO
Drain to Source current        IDSO         20           V
Drain to Gate current          IDGO
Gate to Source current         IGSO         2            mA                                                                     1: Drain
Allowable power dissipation    PD                                                                                               2: Source
Operating ambient temperature  Topr         2            mA                                                                     3: Gate
Storage temperature            Tstg                                                                          Mini Flat Package (3-pin)
                                            2            mA
                                                                            Marking Symbol: 1H
                                            200          mW
                                                                            Note: For the forming type, (Y) is indicated after the part No.
                                            -20 to +80   C

                                            -55 to +150  C

s Electrical Characteristics (Ta = 25C)

Parameter                      Symbol            Conditions                               min                 typ                  max      Unit

Current consumption            ID           VD = 4.5V, CO = 10pF, RD = 2.2k 1% 100                                               600      A

Drain to Source cut-off current IDSS        VDS = 4.5V, VGS = 0                           95                                       480      A

Mutual conductance             gm           VD = 4.5V, VGS = 0, f = 1kHz                  0.7                 1.6                           mS
Noise figure
                                            VD = 4.5V, RD = 2.2k 1%                                                              4        V
Voltage gain                   NV

Voltage gain difference                     CO = 10pF, A-curve

                                            VD = 4.5V, RD = 2.2k 1%                     -3                  2                             dB
                               GV1
                                            CO = 10pF, eG = 10mV, f = 1kHz

                               GV2          VD = 12V, RD = 2.2k 1%                      0                   3.3                           dB

                                            CO = 10pF, eG = 10mV, f = 1kHz

                                            VD = 1.5V, RD = 2.2k 1%       -4.5                              - 0.3                         dB
                               GV3
                                            CO = 10pF, eG = 10mV, f = 1kHz

                               |GV2 - GV1|                                                0                                        +3.5     dB

                               |GV1 - GV3|                                                0                                        +3.5     dB

                                                                                                                                                                     1
Silicon Junction FETs (Small Signal)                                                                                                                                                                   2SK123

                  PD  Ta                                                                            ID  VDS                                                                             ID  VGS

Allowable power dissipation PD (mW)240                                                     0.40                          Ta=25C                                          600
                                                                                           0.35                 VGS=0V                                                                                                  VDS=4.5V
                                   Topr max.200                                            0.30
                                                                                                                                                                          500
                                                               Drain current ID (mA)160
                                                                                                                                                   Drain current ID (A)  400
   120
                                                                                           0.25
    80                                                                                                                               0.05V

    40                                                                                     0.20                                                                           300
                                                                                                                                                                                                                Ta=75C
      0                                                                                    0.15                  0.10V
        0 20 40 60 80 100 120 140 160                                                                                                                                     200

         Ambient temperature Ta (C)                                                       0.10                  0.15V

                                                                                           0.05                  0.20V                                                   100
                                                                                                                                                                                                 25C
                                                                                                                                                                                                                         25C

                                                                                           0                                                                              0
                                                                                             0 2 4 6 8 10 12                                                               0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0

                                                                                            Drain to source voltage VDS (V)                                                 Gate to source voltage VGS (V)

                gm  VGS                                                                                  gm  ID

   2.0                                                                                     2.0
          VDS=4.5V                                                                                                                       VDS=4.5V
          f=1kHz                                                                                                                         f=1kHz
          Ta=25C                                                                                                                        Ta=25C

   1.6                                                                                     1.6
Mutual conductance gm (mS)
                                                               Mutual conductance gm (mS)1.21.2     IDSS=0.3mA

        IDSS=0.3mA

   0.8                                                                                     0.8

   0.4                                                                                     0.4

                                                    0.15mA                                 0
     0
     1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0                                                              0  0.1 0.2 0.3 0.4 0.5

       Gate to source voltage VGS (V)                                                               Drain current ID (mA)

2
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