电子工程世界电子工程世界电子工程世界

产品描述

搜索
 

2SK1195

器件型号:2SK1195
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:SHINDENGEN
厂商官网:https://www.shindengen.com
下载文档

器件描述

POWER, FET

参数
2SK1195状态 ACTIVE
2SK1195晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER

文档预览

2SK1195器件文档内容

SHINDENGEN                                            N-Channel Enhancement type

VR Series Power MOSFET

2SK1195                               OUTLINE DIMENSIONS

  ( F1E23 )                               Case : E-pack

  230V 1.5A                                               (Unit : mm)

  FEATURES

  Applicable to 4V drive.
  The static Rds(on) is small.
  Built-in ZD for Gate Protection.

APPLICATION

  DC/DC converters
  Power supplies of DC 12-24V input
  Product related to
  Integrated Service Digital Network

RATINGS

Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd
VR Series Power MOSFET                                                   2SK1195 ( F1E23 )

Electrical Characteristics Tc = 25

                   Item             Symbole           Conditions         Min. Typ. Max. Unit

Drain-Source Breakdown Voltage      V(BR)DSS ID = 250A, VGS = 0V         230             V

Zero Gate Voltage Drain Current     IDSS VDS = 230V, VGS = 0V                      250 A

Gate-Source Leakage Current         IGSS VGS = 20V, VDS = 0V                      0.1

Forward Tranconductance             gfs ID = 1.5A, VDS = 10V             0.7 1.4         S

Static Drain-Source On-tate Resistance RDS(ON) ID = 1.5A, VGS = 10V           1.2 2

Gate Threshold Voltage              VTH ID = 0.2mA, VDS = 10V            234 V

Source-Drain Diode Forward Voltage  VSD IS = 1.5A, VGS = 0V                        1.5

Thermal Resistance                  jc junction to case                            12.5 /

Total Gate Charge                   Qg VGS = 10V, ID = 1.5A, VDD = 200V       6.9        nC

Input Capacitance                   Ciss                                      160

Reverse Transfer Capacitance        Crss VDS = 10V, VGS = 0V, f = 1MHZ        20         pF

Output Capacitance                  Coss                                      90

Turn-On Time                        ton ID = 1.5A, VGS = 10V, RL = 67         37 75 ns

Turn-Off Time                       toff                                      50 100

Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd
Drain Current ID [A]          2SK1195 Transfer Characteristics

                        3
                                                     Tc = -55C
                                                             25C

                      2.5
                                                           100C
                                                           150C

                        2

                      1.5

                      1

                      0.5              VDS = 10V
                                       pulse test
                        0              TYP
                           0
                              2  4  6  8                           10

                              Gate-Source Voltage VGS [V]
Static Drain-Source On-state Resistance RDS(ON) []    2SK1195 Static Drain-Source On-state Resistance

                                                    10

                                                                                          ID = 1.5A
                                                     1

                                                                                        VGS = 10V
                                                                                        pulse test
                                                                                        TYP

                                                    0.1       0  50  100                150
                                                         -50

                                                              Case Temperature Tc [C]
                                     2SK1195 Gate Threshold Voltage

                                5

Gate Threshold Voltage VTH [V]  4

                                3

                                2

                                1             VDS = 10V
                                0             ID = 0.2mA
                                              TYP
                                  -50
                                       0  50  100                    150

                                       Case Temperature Tc [C]
                                2SK1195 Safe Operating Area

                      3

Drain Current ID [A]    1                                             100s
                               RDS(ON)                                200s
                               limit
                                                                      1ms
                      0.1
                                                                      10ms
                                                                      DC

                      Tc = 25C
                      Single Pulse

0.01                                    10                            100 230
      1

                                        Drain-Source Voltage VDS [V]
Transient Thermal Impedance jc(t) [C/W]                           2SK1195 Transient Thermal Impedance

                                          10

                                          1

                                          0.1

                                          10-4  10-3  10-2        10-1                                  100

                                                      Time t [s]
                                                2SK1195       Capacitance

                                 1000

Capacitance Ciss Coss Crss [pF]                                             Ciss
                                 100

                                                                            Coss

                                  10
                                                                            Crss

                                       Tc=25C
                                       TYP

                                 10             50       100                      150  200

                                                Drain-Source Voltage VDS [V]
                                 2SK1195      Power Derating

                    100

                    80

Power Derating [%]  60

                    40

                    20

                    0

                        0                 50  100             150

                           Case Temperature Tc [C]
       2SK1195  Gate Charge Characteristics

250                                                                20

200     VDS
Drain-Source Voltage VDS [V]
                                                                                       Gate-Source Voltage VGS [V]15

                   VDD = 200V

150                100V

                                                       10

100                            VG S

                                                                                     5
50

                                        ID = 1.5A

0                                                      0

     0  2       4  6                 8             10

             Gate Charge Qg [nC]
This datasheet has been downloaded from:
             www.EEworld.com.cn

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company
小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved