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2SD882

器件型号:2SD882
器件类别:晶体管   
厂商名称:KEXIN
厂商官网:http://www.kexin.com.cn/html/index.htm
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器件描述

3000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

3000 mA, 30 V, NPN, , 小信号晶体管

参数

2SD882端子数量 3
2SD882晶体管极性 NPN
2SD882最大集电极电流 3 A
2SD882最大集电极发射极电压 30 V
2SD882状态 DISCONTINUED
2SD882包装形状 矩形的
2SD882包装尺寸 凸缘安装
2SD882端子形式 THROUGH-孔
2SD882端子位置 单一的
2SD882包装材料 塑料/环氧树脂
2SD882结构 单一的
2SD882壳体连接 COLLECTOR
2SD882元件数量 1
2SD882晶体管应用 放大器
2SD882晶体管元件材料
2SD882最大环境功耗 1 W
2SD882晶体管类型 通用小信号
2SD882最小直流放大倍数 60
2SD882额定交叉频率 90 MHz

文档预览

2SD882器件文档内容

SMD Type                                                                                 Transistors

                                  NPN Silicon Power Transistor
                                                 2SD882

Features

Excellent hFE linearity and high hFE
hFE = 60 to 400 (VCE = 2 V, IC = 1 A)

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

                       Parameter               Symbol       Rating           Unit
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage                   VCBO         40               V
Emitter to Base Voltage
Collector Current to Continuous                VCEO         30               V
Collector Dissipation
Junction Temperature                           VEBO         6                V
Storage Temperature
                                               IC           3                A

                                               Pc           0.5              W

                                               TJ           150

                                               Tstg    -55 to 150

Electrical Characteristics Ta = 25

             Parameter                  Symbol                        Testconditons  Min Typ Max Unit
Collector-base breakdown voltage         VCBO        Ic=100uA ,IE=0
Collector-emitter breakdown voltage      VCEO        IC= 10 mA , IB=0                40       V
Emitter-base breakdown voltage           VEBO        IE= 100 uA ,IC=0
Collector cut-off current                 ICBO       VCB=40 V , IE=0                 30       V
Collector cut-off current                 ICEO       VCE=30 V , IB=0
Emitter cut-off current                   IEBO       VEB=6V , IC=0                   6        V
                                                     VCE= 2V, IC= 1A
DC current gain                           hFE        VCE=2V, IC= 100mA                   1 uA
                                                     IC=2A, IB= 0.2A
Collector-emitter saturation voltage    VCE(sat)     IC=2A, IB= 0.2A                     10 uA
Base-emitter saturation voltage         VBE(sat)     VCE=5 V, IC=0.1mA,f = 10MHz
Transition frequency                                                                     1 uA
                                           fT
                                                                                     60  400

                                                                                     32

                                                                                         0.5 V

                                                                                         1.5 V

                                                                                     50       MHz

hFE Classification

Rank      R                                O            P                E
hFE   60 120                          100 200      160 320          200 400

                                                                                         www.kexin.com.cn 1
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