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2SD381

器件型号:2SD381
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厂商名称:ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
厂商官网:http://www.iscsemi.cn/
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2SD381器件文档内容

Inchange Semiconductor                                           Product Specification

Silicon NPN Power Transistors                                               2SD381

DESCRIPTION                                                                     

With TO-220C package

Complement to type 2SB536

Low collector saturation voltage

APPLICATIONS
Audio frequency power amplifier
Low speed power switching

PINNING           DESCRIPTION
     PIN
       1  Base
       2  Collector;connected to
       3  mounting base
          Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25)

SYMBOL       PARAMETER                               CONDITIONS  VALUE    UNIT
                                                                    130     V
VCBO      Collector-base voltage     Open emitter                   120     V
                                                                     5      V
VCEO      Collector-emitter voltage  Open base                      1.5     A
                                                                    3.0     A
VEBO      Emitter-base voltage       Open collector                 0.3     A
                                                                    1.5
IC        Collector current                                         20      W
                                                                    150
ICM       Collector current-peak                                            
                                                                 -50~150   
IBB       Base current

PT        Total power dissipation    Ta=25
                                     TC=25

Tj        Junction temperature

Tstg      Storage temperature
Inchange Semiconductor                                          Product Specification

Silicon NPN Power Transistors                                              2SD381

CHARACTERISTICS

Tj=25 unless otherwise specified

SYMBOL     PARAMETER                       CONDITIONS           MIN TYP. MAX UNIT

V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=10mA; IB=0      120           V

VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=1A; IB=0.1A               2.0  V

VBEsat Base-emitter saturation voltage  IC=1A; IB=0.1A                   1.5  V

ICBO    Collector cut-off current       VCB=120V; IE=0                   1.0 A
                                        VEB=3V; IC=0
IEBO    Emitter cut-off current         IC=5mA ; VCE=5V                  1.0 A

hFE-1   DC current gain                                         25

hFE-2   DC current gain                 IC=0.3A ; VCE=5V        40       250

COB     Output capacitance              IE=0 ; VCB=10V; f=1MHz       25       pF

fT      Transition frequency            IC=0.1A ; VCE=5V             45       MHz

hFE-2 Classifications

N       M                L         K

40-80 60-120 80-160 120-250

                                        2
Inchange Semiconductor         Product Specification

Silicon NPN Power Transistors              2SD381

PACKAGE OUTLINE

Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:0.10mm)
                                      3
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