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2SD1175

器件型号:2SD1175
器件类别:晶体管
文件大小:108.33KB,共0页
厂商名称:SAVANTIC [Savantic, Inc.]
厂商官网:http://www.svntc.com/
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器件描述

POWER

参数

2SD1175状态 ACTIVE
2SD1175晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER

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2SD1175器件文档内容

SavantIC Semiconductor                                             Product Specification

Silicon NPN Power Transistors                                                   2SD1175

DESCRIPTION
With TO-3 package
Built-in damper diode
High voltage ,high power dissipation
Wide area of safe operation

APPLICATIONS
Line-operated horizontal deflection

  output applications

PINNING(see fig.2)

PIN                 DESCRIPTION

1       Base

2       Emitter

3       Collector                      Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta= )

SYMBOL              PARAMETER                          CONDITIONS  VALUE           UNIT
                                       Open emitter                  1500            V
VCBO    Collector-base voltage         Open base                     1500            V
VCEO    Collector-emitter voltage      Open collector                  5             V
VEBO    Emitter-base voltage                                           5             A
        Collector current              TC=25                          100            W
  IC                                                                  150

PT      Total power dissipation                                    -65~150

Tj      Junction temperature

Tstg    Storage temperature
SavantIC Semiconductor                                         Product Specification

Silicon NPN Power Transistors                                               2SD1175

CHARACTERISTICS

Tj=25 unless otherwise specified

SYMBOL  PARAMETER                               CONDITIONS     MIN TYP. MAX UNIT

V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage  IE=500mA; IC=0;       5                      V

VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=4.0 A;IB=0.8 A      5.0                V

VBEsat  Base-emitter saturation voltage  IC=4.0 A;IB=0.8 A         1.5                V

                                         VCB=750V;IE=0             50   A
                                         VCB=1500V;IE=0
ICBO    Collector cut-off current

                                                                   1.0  mA

hFE-1   DC current gain                  IC=1A ; VCE=5V        10  30

hFE-2   DC current gain                  IC=4A ; VCE=10V       5

VF      Diode forward voltage            IF=4A                     2.5                V

                                                2
SavantIC Semiconductor         Product Specification

Silicon NPN Power Transistors              2SD1175

PACKAGE OUTLINE

Fig.2 Outline dimensions
           3
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