电子工程世界电子工程世界电子工程世界

型号

产品描述

搜索
 

2SD1175

器件型号:2SD1175
器件类别:晶体管   
厂商名称:SAVANTIC [Savantic, Inc.]
厂商官网:http://www.svntc.com/
下载文档

器件描述

POWER TRANSISTOR

功率晶体管

参数

2SD1175状态 ACTIVE
2SD1175晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER

文档预览

2SD1175器件文档内容

SavantIC Semiconductor                                             Product Specification

Silicon NPN Power Transistors                                                   2SD1175

DESCRIPTION
With TO-3 package
Built-in damper diode
High voltage ,high power dissipation
Wide area of safe operation

APPLICATIONS
Line-operated horizontal deflection

  output applications

PINNING(see fig.2)

PIN                 DESCRIPTION

1       Base

2       Emitter

3       Collector                      Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta= )

SYMBOL              PARAMETER                          CONDITIONS  VALUE           UNIT
                                       Open emitter                  1500            V
VCBO    Collector-base voltage         Open base                     1500            V
VCEO    Collector-emitter voltage      Open collector                  5             V
VEBO    Emitter-base voltage                                           5             A
        Collector current              TC=25                          100            W
  IC                                                                  150

PT      Total power dissipation                                    -65~150

Tj      Junction temperature

Tstg    Storage temperature
SavantIC Semiconductor                                         Product Specification

Silicon NPN Power Transistors                                               2SD1175

CHARACTERISTICS

Tj=25 unless otherwise specified

SYMBOL  PARAMETER                               CONDITIONS     MIN TYP. MAX UNIT

V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage  IE=500mA; IC=0;       5                      V

VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=4.0 A;IB=0.8 A      5.0                V

VBEsat  Base-emitter saturation voltage  IC=4.0 A;IB=0.8 A         1.5                V

                                         VCB=750V;IE=0             50   A
                                         VCB=1500V;IE=0
ICBO    Collector cut-off current

                                                                   1.0  mA

hFE-1   DC current gain                  IC=1A ; VCE=5V        10  30

hFE-2   DC current gain                  IC=4A ; VCE=10V       5

VF      Diode forward voltage            IF=4A                     2.5                V

                                                2
SavantIC Semiconductor         Product Specification

Silicon NPN Power Transistors              2SD1175

PACKAGE OUTLINE

Fig.2 Outline dimensions
           3
This datasheet has been downloaded from:
             www.EEworld.com.cn

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company

该厂商的其它器件

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved