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2SD1175

器件型号:2SD1175
器件类别:晶体管
文件大小:1320.1KB,共0页
厂商名称:ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
厂商官网:http://www.iscsemi.cn/
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器件描述

POWER

参数

2SD1175状态 ACTIVE
2SD1175晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER

2SD1175器件文档内容

Inchange Semiconductor                                            Product Specification

Silicon NPN Power Transistors                                               2SD1175

DESCRIPTION
With TO-3 package
Built-in damper diode
High voltage ,high power dissipation
Wide area of safe operation

APPLICATIONS
Line-operated horizontal deflection

   output applications

PINNING(see fig.2)

PIN                 DESCRIPTION

1       Base

2       Emitter

3       Collector                     Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta= )

SYMBOL              PARAMETER                         CONDITIONS  VALUE           UNIT
                                      Open emitter                  1500            V
VCBO    Collector-base voltage        Open base                     1500            V
                                      Open collector                  5             V
VCEO    Collector-emitter voltage                                     5             A
                                      TC=25                          100            W
VEBO    Emitter-base voltage                                         150
IC     Collector current
PT     Total power dissipation                                   -65~150

Tj      Junction temperature

Tstg    Storage temperature
Inchange Semiconductor                                        Product Specification

Silicon NPN Power Transistors                                            2SD1175

CHARACTERISTICS

Tj=25 unless otherwise specified

SYMBOL  PARAMETER                               CONDITIONS     MIN TYP. MAX UNIT

V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage  IE=500mA; IC=0;       5        V

VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=4.0 A;IB=0.8 A      5.0  V

VBEsat Base-emitter saturation voltage   IC=4.0 A;IB=0.8 A         1.5  V

                                         VCB=750V;IE=0             50   A
                                         VCB=1500V;IE=0
ICBO    Collector cut-off current

                                                                   1.0  mA

hFE-1   DC current gain                  IC=1A ; VCE=5V        10  30

hFE-2   DC current gain                  IC=4A ; VCE=10V       5

VF      Diode forward voltage            IF=4A                     2.5  V

                                                2
Inchange Semiconductor         Product Specification

Silicon NPN Power Transistors            2SD1175

PACKAGE OUTLINE

Fig.2 Outline dimensions
              3
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