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2SC4793

器件型号:2SC4793
器件类别:晶体管
文件大小:158.76KB,共0页
厂商名称:ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
厂商官网:http://www.iscsemi.cn/
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器件描述

1 A, 230 V, NPN, Si, POWER

1 A, 230 V, NPN, ,

参数

2SC4793端子数量 3
2SC4793晶体管极性 NPN
2SC4793最大集电极电流 1 A
2SC4793最大集电极发射极电压 230 V
2SC4793加工封装描述 铅 FREE, 2-10R1A, 3 PIN
2SC4793状态 DISCONTINUED
2SC4793包装形状 矩形的
2SC4793包装尺寸 凸缘安装
2SC4793端子形式 THROUGH-孔
2SC4793端子涂层 NOT SPECIFIED
2SC4793端子位置 单一的
2SC4793包装材料 塑料/环氧树脂
2SC4793结构 单一的
2SC4793壳体连接 隔离
2SC4793元件数量 1
2SC4793晶体管应用 放大器
2SC4793晶体管元件材料
2SC4793最大环境功耗 2 W
2SC4793晶体管类型 通用电源
2SC4793最小直流放大倍数 100
2SC4793额定交叉频率 100 MHz

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2SC4793器件文档内容

Inchange Semiconductor                                              Product Specification

Silicon NPN Power Transistors                                                 2SC4793

DESCRIPTION
   With TO-220F package
   Complement to type 2SA1837
   High transition frequency

APPLICATIONS
   Power amplifier applications
   Driver stage amplifier applications

PINNING           DESCRIPTION                  Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol
     PIN  Base
       1  Collector
       2  Emitter
       3

INCHANGE SEMICONDUTOR Absolute maximum ratings (Ta=25 )SYMBOLPARAMETER
                                                        CONDITIONS  VALUE    UNIT
VCBO      Collector-base voltage        Open emitter                  230      V
                                        Open base                     230      V
VCEO      Collector-emitter voltage     Open collector                  5      V

VEBO      Emitter-base voltage

IC        Collector current                                         1        A

IB        Base current                                              0.1      A

PC        Collector dissipation         TC=25                       20
                                        Ta=25                                         W

                                                                    2.0

Tj        Junction temperature                                      150

Tstg      Storage temperature                                       -55~150
Inchange Semiconductor                                       Product Specification

Silicon NPN Power Transistors                                          2SC4793

CHARACTERISTICS

Tj=25 unless otherwise specified

SYMBOL  PARAMETER                     CONDITIONS             MIN TYP. MAX UNIT

V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=10mA ; IB=0  230            V

VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=0.5A IB=50mA            1.5  V

VBE     Base-emitter voltage       IC=0.5A ; VCE=5V                    1.0  V

ICBO    Collector cut-off current  VCB=230V; IE=0                      1.0  A

IEBO    Emitter cut-off current    VEB=5V; IC=0                        1.0  A

hFE     DC current gain            IC=0.1A ; VCE=5V          100       320

COB     Output capacitance         IE=0; VCB=10V;f=1MHz           20        pF

fT      INCHANGE SEMICONDUTOR Transition frequencyIC=0.1A ; VCE=10V100      MHz

                                   2
Inchange Semiconductor            Product Specification

Silicon NPN Power Transistors               2SC4793

PACKAGE OUTLINE

                               SEMICONDUTOR
INCHANGE

Fig.2 Outline dimensions

                               3
Inchange Semiconductor            Product Specification

Silicon NPN Power Transistors               2SC4793

                               SEMICONDUTOR
INCHANGE

                               4
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