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2SC4369

器件型号:2SC4369
厂商名称:Jinmei
厂商官网:http://www.jmnic.com/
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器件描述

Silicon NPN Power Transistors

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2SC4369器件文档内容

JMnic                                                          Product Specification

Silicon NPN Power Transistors                                          2SC4369

DESCRIPTION
   With TO-220F package
   Complement to type 2SA1658
   Good linearity of hFE

APPLICATIONS
   For general purpose applications

PINNING            DESCRIPTION
     PIN

1         Base

2         Collector

3         Emitter                                    Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25 )

SYMBOL               PARAMETER                     CONDITIONS  VALUE    UNIT
                                                                  30      V
VCBO      Collector-base voltage     Open emitter                 30      V
                                                                   5      V
VCEO      Collector-emitter voltage  Open base                     3      A
                                                                  0.3     A
VEBO      Emitter-base voltage       Open collector               15      W
                                                                  150
IC        Collector current
                                                               -55~150
IB        Base current

PC        Collector dissipation      TC=25

Tj        Junction temperature

Tstg      Storage temperature
JMnic                                                        Product Specification

Silicon NPN Power Transistors                                        2SC4369

CHARACTERISTICS

Tj=25 unless otherwise specified

SYMBOL     PARAMETER                  CONDITIONS             MIN TYP. MAX UNIT

V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=10mA ; IB=0  30            V

VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=2A ;IB=0.2A            0.8  V

VBE     Base-emitter on voltage    IC=0.5A ; VCE=2V                   1.0  V

ICBO    Collector cut-off current  VCB=20V; IE=0                      1.0  A

IEBO    Emitter cut-off current    VEB=5V; IC=0                       1.0  A

hFE-1   DC current gain            IC=0.5A ; VCE=2V          70       240

hFE-2   DC current gain            IC=2.5A ; VCE=2V          25

fT      Transition frequency       IC=0.5A ; VCE=2V              100       MHz

hFE-1 Classifications

O       Y

70-140  120-240

                                   2
JMnic                          Product Specification

Silicon NPN Power Transistors          2SC4369

PACKAGE OUTLINE

Fig.2 Outline dimensions
                 3
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