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2SC2767

器件型号:2SC2767
厂商名称:Jinmei
厂商官网:http://www.jmnic.com/
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器件描述

Silicon NPN Power Transistors

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2SC2767器件文档内容

JMnic                                                                     Product Specification

Silicon NPN Power Transistors                                                     2SC2767

DESCRIPTION
   With TO-220C package
   High speed switching
   High reliability

APPLICATIONS
   Switching regulators
   Ultrasonic generators
   High frequency inverters
   General purpose power amplifiers

PINNING        DESCRIPTION
    PIN

1        Base

2        Collector;connected to
         mounting base

3        Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25 )

SYMBOL            PARAMETER                                   CONDITIONS  VALUE    UNIT
                                           Open emitter                      250     V
VCBO     Collector-base voltage            Open base                         200     V
                                           Open collector                     7      V
VCEO     Collector-emitter voltage                                            5      A
                                           TC=25                             1.5     A
VEBO     Emitter-base voltage                                                40      W
                                                                             150
IC       Collector current
                                                                          -55~150
IB       Base current

PC       Collector power dissipation

Tj       Junction temperature

Tstg     Storage temperature

THERMAL CHARACTERISTICS               PARAMETER                           MAX      UNIT
                                                                           3.0        /W
SYMBOL

Rth j-C  Thermal resistance junction case
JMnic                                                             Product Specification

Silicon NPN Power Transistors                                             2SC2767

CHARACTERISTICS

Tj=25 unless otherwise specified

SYMBOL             PARAMETER                  CONDITIONS          MIN TYP. MAX UNIT

V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=25mA ; IB=0       200       V

V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage  IC=100 A ; IE=0        250       V

V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage    IE=100 A ; IC=0        7         V

VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=2A; IB=0.8A             0.2  V

VBEsat Base-emitter saturation voltage     IC=2A; IB=0.8A              1.0  V

ICBO    Collector cut-off current          VCB=250V ;IE=0              10   A

IEBO    Emitter cut-off current            VEB=7V; IC=0                100  A

hFE     DC current gain                    IC=1A ; VCE=5V         20   80

Switching times

ton     Turn-on time                                                   1.0  s

tstg    Storage time                       IC=4A; IB1=-IB2=-0.4A       2.0  s
                                           RL=20

tf      Fall time                                                      1.0  s

                                           2
JMnic                          Product Specification

Silicon NPN Power Transistors          2SC2767

PACKAGE OUTLINE

Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance: 0.10 mm)
                                     3
JMnic                             Product Specification

Silicon NPN Power Transistors             2SC2767

                               4
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