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2SC2246

器件型号:2SC2246
厂商名称:ISC [ISC]
厂商官网:http://www.iscsemi.cn/
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2SC2246器件文档内容

Inchange Semiconductor                                           Product Specification

Silicon NPN Power Transistors                                               BUW35

DESCRIPTION
   With TO-3 package
   High breakdown voltage

APPLICATIONS
   For high voltage ,fast switching
   applications

PINNING (See Fig.2)

PIN            DESCRIPTION

1        Base

2        Emitter

3        Collector                                 Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25 )
SYMBOL
INCHANGE SEMICONDUCTOR VCBOPARAMETER                 CONDITIONS  VALUE    UNIT
                                     Open emitter                  800      V
         Collector-base voltage      Open base                     400      V
                                     Open collector                  7      V
VCEO     Collector-emitter voltage                                  10      A
                                                                    15      A
VEBO     Emitter-base voltage

IC       Collector current

ICM      Collector current-peak

IB       Base current                                            5                             A

PT       Total power dissipation     TC 25                       125                           W

Tj       Junction temperature                                    200

Tstg     Storage temperature                                     -65~200

THERMAL CHARACTERISTICS              PARAMETER                   VALUE    UNIT
                                                                   1.4       /W
SYMBOL

Rth j-c  Thermal resistance from junction to case
Inchange Semiconductor                                          Product Specification

Silicon NPN Power Transistors                                              BUW35

CHARACTERISTICS

Tj=25 unless otherwise specified

SYMBOL             PARAMETER               CONDITIONS           MIN TYP. MAX UNIT

VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=100mA ; IB=0  400       V

VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=8A; IB=2.5A           1.5  V

VBEsat Base-emitter saturation voltage  IC=8A; IB=2.5A               1.8  V

ICES    Collector cut-off current       VCE=800V ;VBE=0              0.1  mA
                                        TC=125                       3.0

IEBO    Emitter cut-off current         VEB=7V; IC=0                 1    mA

hFE-1   DC current gain                 IC=1A ; VCE=5V          15   50

hFE-2   DC current gain                 IC=5A ; VCE=5V          8

Switching times
INCHANGE SEMICONDUCTOR ton
        Turn-on time                                                 0.7  s
                                                                          s
ts      Storage time                    IC=5A ;IB1=- IB2=1A          3.0  s
                                        VCC=250V

tf      Fall time                                                    0.8

                                        2
Inchange Semiconductor            Product Specification

Silicon NPN Power Transistors                BUW35

PACKAGE OUTLINE

                               SEMICONDUCTOR
  INCHANGE

Fig.2 Outline dimensions

                               3
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