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2SC1815

器件型号:2SC1815
器件类别:晶体管
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厂商名称:TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
厂商官网:http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/
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器件描述

150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-

150 mA, 50 V, NPN, , 小信号晶体管, TO-

参数

2SC1815端子数量 3
2SC1815晶体管极性 NPN
2SC1815最大集电极电流 0.1500 A
2SC1815最大集电极发射极电压 50 V
2SC1815加工封装描述 塑料 PACKAGE-3
2SC1815状态 DISCONTINUED
2SC1815包装形状
2SC1815包装尺寸 圆柱形的
2SC1815端子形式 THROUGH-孔
2SC1815端子涂层 锡 铅
2SC1815端子位置 BOTTOM
2SC1815包装材料 塑料/环氧树脂
2SC1815结构 单一的
2SC1815元件数量 1
2SC1815晶体管应用 放大器
2SC1815晶体管元件材料
2SC1815晶体管类型 通用小信号
2SC1815最小直流放大倍数 70
2SC1815额定交叉频率 80 MHz

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2SC1815器件文档内容

                                                                   2SC1815(L)

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)

       2SC1815(L)

Audio Frequency Voltage Amplifier Applications                                                                        Unit: mm
Low Noise Amplifier Applications

High breakdown voltage, high current capability
                            : VCEO = 50 V (min), IC = 150 mA (max)

Excellent linearity of hFE
                            : hFE (2) = 100 (typ.) at VCE = 6 V, IC = 150 mA
                            : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.)

Low noise: NF = 0.2dB (typ.) (f = 1 kHz).
Complementary to 2SA1015 (L). (O, Y, GR class).

Maximum Ratings (Ta = 25C)

               Characteristics               Symbol   Rating              Unit

Collector-base voltage                        VCBO    60                           V
Collector-emitter voltage                     VCEO
Emitter-base voltage                          VEBO    50                           V
Collector current
Base current                                    IC    5                            V
Collector power dissipation                     IB
Junction temperature                            PC    150                 mA              JEDEC           TO-92
Storage temperature range                       Tj
                                               Tstg   50                  mA              JEITA           SC-43

                                                      400                 mW              TOSHIBA         2-5F1B

                                                      125                 C              Weight: 0.21 g (typ.)

                                                      -55~125             C

Electrical Characteristics (Ta = 25C)

Characteristics                              Symbol            Test Condition                    Min Typ. Max Unit

Collector cut-off current                    ICBO     VCB = 60 V, IE = 0                                       0.1 mA
Emitter cut-off current
                                             IEBO     VEB = 5 V, IC = 0                                        0.1 mA
DC current gain
                                             hFE (1)                                             70   700
                          Collector-emitter                  VCE = 6 V, IC = 2 mA
Saturation voltage
                                                  (Note)
                          Base-emitter
Transition frequency                         hFE (2)  VCE = 6 V, IC = 150 mA                     25 100
Collector output capacitance
Base intrinsic resistance                    VCE (sat) IC = 100 mA, IB = 10 mA                      0.1 0.25

Noise figure                                                                                                          V

                                             VBE (sat) IC = 100 mA, IB = 10 mA                                 1.0

                                             fT       VCE = 10 V, IC = 1 mA                      80              MHz

                                             Cob      VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz                 2.0         3.5  pF

                                             rbb'     VCE = 10 V, IE = -1 mA, f = 30 MHz            50              W

                                             NF (1)   VCE = 6 V, IC = 0.1 mA                        0.5         6
                                                      RG = 10 kW, f = 100 Hz
                                                                                                                      dB

                                             NF (2)   VCE = 6 V, IC = 0.1 mA                        0.2         3
                                                      RG = 10 kW, f = 1 kHz

Note: hFE (1) classification O: 70~140, Y: 120~240, GR: 200~400, BL: 350~700

                                                      1                                                          2003-03-27
   2SC1815(L)

2  2003-03-27
   2SC1815(L)

3  2003-03-27
                                                                         2SC1815(L)

RESTRICTIONS ON PRODUCT USE                                              000707EAA

TOSHIBA is continually working to improve the quality and reliability of its products. Nevertheless, semiconductor
   devices in general can malfunction or fail due to their inherent electrical sensitivity and vulnerability to physical
   stress. It is the responsibility of the buyer, when utilizing TOSHIBA products, to comply with the standards of
   safety in making a safe design for the entire system, and to avoid situations in which a malfunction or failure of
   such TOSHIBA products could cause loss of human life, bodily injury or damage to property.
   In developing your designs, please ensure that TOSHIBA products are used within specified operating ranges as
   set forth in the most recent TOSHIBA products specifications. Also, please keep in mind the precautions and
   conditions set forth in the "Handling Guide for Semiconductor Devices," or "TOSHIBA Semiconductor Reliability
   Handbook" etc..

The TOSHIBA products listed in this document are intended for usage in general electronics applications
   (computer, personal equipment, office equipment, measuring equipment, industrial robotics, domestic appliances,
   etc.). These TOSHIBA products are neither intended nor warranted for usage in equipment that requires
   extraordinarily high quality and/or reliability or a malfunction or failure of which may cause loss of human life or
   bodily injury ("Unintended Usage"). Unintended Usage include atomic energy control instruments, airplane or
   spaceship instruments, transportation instruments, traffic signal instruments, combustion control instruments,
   medical instruments, all types of safety devices, etc.. Unintended Usage of TOSHIBA products listed in this
   document shall be made at the customer's own risk.

The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No
   responsibility is assumed by TOSHIBA CORPORATION for any infringements of intellectual property or other
   rights of the third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under
   any intellectual property or other rights of TOSHIBA CORPORATION or others.

The information contained herein is subject to change without notice.

                             4                                           2003-03-27
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