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2SC1815

器件型号:2SC1815
器件类别:晶体管   
厂商名称:Toshiba Semiconductor
厂商官网:http://toshiba-semicon-storage.com/
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器件描述

150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

150 mA, 50 V, NPN, , 小信号晶体管, TO-92

参数

2SC1815端子数量 3
2SC1815晶体管极性 NPN
2SC1815最大集电极电流 0.1500 A
2SC1815最大集电极发射极电压 50 V
2SC1815加工封装描述 塑料 PACKAGE-3
2SC1815状态 DISCONTINUED
2SC1815包装形状
2SC1815包装尺寸 圆柱形的
2SC1815端子形式 THROUGH-孔
2SC1815端子涂层 锡 铅
2SC1815端子位置 BOTTOM
2SC1815包装材料 塑料/环氧树脂
2SC1815结构 单一的
2SC1815元件数量 1
2SC1815晶体管应用 放大器
2SC1815晶体管元件材料
2SC1815晶体管类型 通用小信号
2SC1815最小直流放大倍数 70
2SC1815额定交叉频率 80 MHz

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2SC1815器件文档内容

                                                                                                       2SC1815

                      TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)

                               2SC1815

Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications                                                      Unit: mm
Driver Stage Amplifier Applications

High voltage and high current: VCEO = 50 V (min),
                                                 IC = 150 mA (max)

Excellent hFE linearity: hFE (2) = 100 (typ.)
                                       at VCE = 6 V, IC = 150 mA

                                     : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA)
                                       = 0.95 (typ.)

Low noise: NF = 1dB (typ.) at f = 1 kHz
Complementary to 2SA1015 (O, Y, GR class)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)

Characteristics                       Symbol   Rating                     Unit

Collector-base voltage                VCBO     60                         V

Collector-emitter voltage             VCEO     50                         V

Emitter-base voltage                  VEBO     5                          V

Collector current                     IC       150                        mA

Base current                          IB       50                         mA    JEDEC           TO-92

Collector power dissipation           PC       400                        mW    JEITA           SC-43

Junction temperature                  Tj       125                        C
Storage temperature range
                                      Tstg     -55~125                    C    TOSHIBA         2-5F1B

                                                                                Weight: 0.21 g (typ.)

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating

conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Electrical Characteristics (Ta = 25C)

               Characteristics        Symbol               Test Condition              Min Typ. Max Unit
Collector cut-off current
Emitter cut-off current               ICBO     VCB = 60 V, IE = 0                                      0.1    A

DC current gain                       IEBO     VEB = 5 V, IC = 0                                       0.1    A

Collector-emitter saturation voltage  hFE (1)  VCE = 6 V, IC = 2 mA                    70              700
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency                  (Note)
Collector output capacitance
Base intrinsic resistance             hFE (2) VCE = 6 V, IC = 150 mA                   25 100

Noise figure                          VCE (sat) IC = 100 mA, IB = 10 mA                    0.1 0.25             V

                                      VBE (sat) IC = 100 mA, IB = 10 mA                                1.0      V

                                      fT       VCE = 10 V, IC = 1 mA                   80               MHz

                                      Cob      VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz               2.0         3.5    pF

                                      rbb'     VCE = 10 V, IE = -1 mA                      50                  

                                               f = 30 MHz

                                                   VCE = 6 V, IC = 0.1 mA                  1.0         10     dB
                                      NF

                                                   f = 1 kHz, RG = 10 k

Note: hFE classification O: 70~140, Y: 120~240, GR: 200~400, BL: 350~700                               2007-11-01

                                                        1
   2SC1815

2  2007-11-01
   2SC1815

3  2007-11-01
                                                                          2SC1815

RESTRICTIONS ON PRODUCT USE                                               20070701-EN GENERAL

The information contained herein is subject to change without notice.

TOSHIBA is continually working to improve the quality and reliability of its products. Nevertheless, semiconductor
   devices in general can malfunction or fail due to their inherent electrical sensitivity and vulnerability to physical
   stress. It is the responsibility of the buyer, when utilizing TOSHIBA products, to comply with the standards of
   safety in making a safe design for the entire system, and to avoid situations in which a malfunction or failure of
   such TOSHIBA products could cause loss of human life, bodily injury or damage to property.
   In developing your designs, please ensure that TOSHIBA products are used within specified operating ranges as
   set forth in the most recent TOSHIBA products specifications. Also, please keep in mind the precautions and
   conditions set forth in the "Handling Guide for Semiconductor Devices," or "TOSHIBA Semiconductor Reliability
   Handbook" etc.

The TOSHIBA products listed in this document are intended for usage in general electronics applications
   (computer, personal equipment, office equipment, measuring equipment, industrial robotics, domestic appliances,
   etc.).These TOSHIBA products are neither intended nor warranted for usage in equipment that requires
   extraordinarily high quality and/or reliability or a malfunction or failure of which may cause loss of human life or
   bodily injury ("Unintended Usage"). Unintended Usage include atomic energy control instruments, airplane or
   spaceship instruments, transportation instruments, traffic signal instruments, combustion control instruments,
   medical instruments, all types of safety devices, etc.. Unintended Usage of TOSHIBA products listed in his
   document shall be made at the customer's own risk.

The products described in this document shall not be used or embedded to any downstream products of which
   manufacture, use and/or sale are prohibited under any applicable laws and regulations.

The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No
   responsibility is assumed by TOSHIBA for any infringements of patents or other rights of the third parties which
   may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patents or other rights of
   TOSHIBA or the third parties.

Please contact your sales representative for product-by-product details in this document regarding RoHS
   compatibility. Please use these products in this document in compliance with all applicable laws and regulations
   that regulate the inclusion or use of controlled substances. Toshiba assumes no liability for damage or losses
   occurring as a result of noncompliance with applicable laws and regulations.

4                                                                         2007-11-01
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