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2SB870

器件型号:2SB870
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厂商名称:ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
厂商官网:http://www.iscsemi.cn/
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器件描述

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2SB870器件文档内容

Inchange Semiconductor                                                Product Specification

Silicon PNP Power Transistors                                                    2SB870

DESCRIPTION
   With TO-220C package
   Complement to type 2SD866
   Low collector saturation voltage
   High collector current capability

APPLICATIONS
   For power switching applications

PINNING           DESCRIPTION                Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol
     PIN
       1  Emitter
       2  Collector;connected to
       3  mounting base
          Base

Absolute maximum ratings(Ta=25 )
INCHANGE SEMICONDUCTOR SYMBOL
          PARAMETER                                       CONDITIONS  VALUE    UNIT
                                      Open emitter                     -130      V
VCBO      Collector-base voltage      Open base                         -80      V
                                      Open collector                     -7      V
VCEO      Collector-emitter voltage

VEBO      Emitter-base voltage

IC        Collector current (DC)                                      -7       A

ICM       Collector current-Peak                                      -15      A

PC        Collector dissipation       TC=25                           40       W

Tj        Junction temperature                                        150

Tstg      Storage temperature                                         -50~150
Inchange Semiconductor                                           Product Specification

Silicon PNP Power Transistors                                               2SB870

CHARACTERISTICS

Tj=25 unless otherwise specified

SYMBOL             PARAMETER               CONDITIONS            MIN TYP. MAX UNIT

V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-10mA; IB=0      -80             V

VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-5A; IB=-0.25A              -0.5  V

VBEsat Base-emitter saturation voltage  IC=-5A; IB=-0.25A                  -1.5  V

ICBO    Collector cut-off current       VCB=-100V; IE=0                    -10   A

IEBO    Emitter cut-off current         VEB=-5V; IC=0                      -50   A

hFE-1   DC current gain                 IC=-0.1A ; VCE=-2V       45

hFE-2   DC current gain                 IC=-3A ; VCE=-2V         60        260

fT
INCHANGE SEMICONDUCTOR Switching timesTransition frequencyIC=-0.5A ; VCE=-10V30  MHz
                                        IC=-3A ; IB1=-IB2=-0.3A
ton     Turn-on time                                                  0.1        s

tstg    Storage time                                                  0.8        s

tf      Fall time                                                     0.1        s

hFE-2 Classifications

R       Q                        P

60-120  90-180 130-260

                                        2
Inchange Semiconductor            Product Specification

Silicon PNP Power Transistors                 2SB870

PACKAGE OUTLINE

                               SEMICONDUCTOR
  INCHANGE

Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance: 0.10mm)

                               3
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