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2SB1165_2014

器件型号:2SB1165_2014
厂商名称:Jinmei
厂商官网:http://www.jmnic.com/
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器件描述

Silicon PNP Power Transistors

2SB1165_2014器件文档内容

JMnic                                                               Product Specification

Silicon PNP Power Transistors                                              2SB1165

DESCRIPTION
   With TO-126 package
   Complement to type 2SD1722
   Low collector saturation voltage
   Fast switching time

APPLICATIONS
   For use in relay drivers,high-speed
   inverters,converters.

PINNING              DESCRIPTION
     PIN
       1  Emitter
       2  Collector;connected to
       3  mounting base
          Base

Absolute maximum ratings(Ta=25 )

SYMBOL    PARAMETER                                     CONDITIONS  VALUE    UNIT
                                        Open emitter                   -60     V
VCBO      Collector-base voltage        Open base                      -50     V
                                        Open collector                  -6     V
VCEO      Collector-emitter voltage                                     -5     A
                                        Ta=25                           -8     A
VEBO      Emitter-base voltage          TC=25                          1.2
                                                                       20      W
IC        Collector current (DC)                                       150

ICM       Collector current-Peak                                    -55~150

PC        Collector power dissipation

Tj        Junction temperature

Tstg      Storage temperature
JMnic                                                               Product Specification

Silicon PNP Power Transistors                                              2SB1165

CHARACTERISTICS

Tj=25 unless otherwise specified

SYMBOL              PARAMETER                 CONDITIONS            MIN TYP. MAX UNIT

V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-1mA ;RBE=          -50              V

V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage  IC=-10 A ;IE=0           -60              V

V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage    IE=-10 A ;IC=0           -6               V

VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-3A; IB=-0.15A            -0.28 -0.55 V

VBEsat Base-emitter saturation voltage     IC=-3A; IB=-0.15A             -0.95 -1.3  V

ICBO    Collector cut-off current          VCB=-40V; IE=0                     -1.0   A

IEBO    Emitter cut-off current            VEB=-4V; IC=0                      -1.0   A

hFE-1   DC current gain                    IC=-0.5A ; VCE=-2V       70        400

hFE-2   DC current gain                    IC=-4A ; VCE=-2V         35

fT      Transition frequency               IC=-1A ; VCE=-5V              130         MHz

COB     Collector output capacitance       IE=0; f=1MHz ; VCB=-10V       60          pF

Switching times

ton     Turn-on time                                                     50          ns

tstg    Storage time                       IC=-2A; IB1=-IB2=-0.2A        450         ns
                                           VCC=25V

tf      Fall time                                                        20          ns

hFE-1 Classifications

Q                R       S            T

70-140 100-200 140-280 200-400

                                           2
JMnic                          Product Specification

Silicon PNP Power Transistors         2SB1165

PACKAGE OUTLINE

Fig.2 Outline dimensions
             3
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