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2SA969

器件型号:2SA969
厂商名称:ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
厂商官网:http://www.iscsemi.cn/
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2SA969器件文档内容

Inchange Semiconductor                                           Product Specification

Silicon PNP Power Transistors                                               2SA969

DESCRIPTION
With TO-66 package
Complement to type 2SC2239
High breakdown votage

APPLICATIONS
Power amplifier applications
Driver stage amplifier applications

PINNING(See Fig.2)

PIN                 DESCRIPTION

1       Base

2       Emitter

3       Collector                     Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25)

SYMBOL              PARAMETER                        CONDITIONS  VALUE    UNIT
                                      Open emitter                 -160     V
VCBO    Collector-base voltage        Open base                    -160     V
VCEO    Collector-emitter voltage     Open collector                 -5     V
VEBO    Emitter-base voltage                                        -1.5    A
                                      TC=25                         1.5     A
IC      Collector current                                           25      W
                                                                    150     
IE      Emitter current                                                     
                                                                 -55~150
PT      Total power dissipation

Tj      Junction temperature

Tstg    Storage temperature
Inchange Semiconductor                                              Product Specification

Silicon PNP Power Transistors                                                  2SA969

CHARACTERISTICS

Tj=25 unless otherwise specified

SYMBOL     PARAMETER                        CONDITIONS              MIN TYP. MAX UNIT

V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-10mA; IB=0         -160             V

V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage  IE=-1mA; IC=0              -5               V

VCEsat  Collector-emitter saturation voltage IC=-500mA; IB=B -50mA             -1.5  V

VBE     Base-emitter on voltage          IC=-500mA ; VCE=-5V                   -1.0  V

ICBO    Collector cut-off current        VCB=-160V ;IE=0                       -1.0 A

IEBO    Emitter cut-off current          VEB=-5V; IC=0                         -1.0 A

hFE     DC current gain                  IC=-100mA ; VCE=-5V        70         240

Cob     Output capacitance               IE=0 ; VCB=-10V,f=1MHz           30         pF

fT      Transition frequency             IC=-100mA ; VCE=10V              100        MHz

hFE Classifications

O       Y

70-140  120-240

                                         2
Inchange Semiconductor         Product Specification

Silicon PNP Power Transistors              2SA969

PACKAGE OUTLINE

Fig.2 Outline dimensions
              3
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