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2SA887_15

器件型号:2SA887_15
厂商名称:Jinmei
厂商官网:http://www.jmnic.com/
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器件描述

Silicon PNP Power Transistors

2SA887_15器件文档内容

JMnic                                                            Product Specification

Silicon PNP Power Transistors                                              2SA887

DESCRIPTION
   With TO-202 package
   Complement to type 2SC1848

APPLICATIONS
   Medium power amplifier

PINNING(see Fig.2)

PIN                 DESCRIPTION

1       Base

2       Collector

3       Emitter                      Fig.1 simplified outline (TO-202) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25 )

SYMBOL              PARAMETER                        CONDITIONS  VALUE    UNIT
                                     Open emitter                   -70     V
VCBO    Collector-base voltage       Open base                      -50     V
                                     Open collector                  -5     V
VCEO    Collector-emitter voltage                                    -2     A
                                     Ta=25                           -3     A
VEBO    Emitter-base voltage         TC=25                          1.2
                                                                    10      W
IC      Collector current                                           150

ICM     Collector current-peak                                   -55~150

PC      Collector power dissipation

Tj      Junction temperature

Tstg    Storage temperature
JMnic                                                           Product Specification

Silicon PNP Power Transistors                                             2SA887

CHARACTERISTICS

Tj=25 unless otherwise specified

SYMBOL     PARAMETER                          CONDITIONS        MIN TYP. MAX UNIT

V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-10mA; IB=0     -50             V

V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage  IC=-1mA; IE=0        -70             V

VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-1A ;IB=-0.1A         -0.6 -1.2  V

VBEsat Base-emitter saturation voltage     IC=-2A ;IB=-0.2 A         -1.0 -1.5  V

hFE-1   DC current gain                    IC=-100mA ; VCE=-5V  30

hFE-2   DC current gain                    IC=-1A ; VCE=-5V     50        220

ICBO    Collector cut-off current          VCB=-40V; IE=0                 -1.0  A

ICEO    Collector cut-off current          VCE=-20V; IB=0                 -100  A

IEBO    Emitter cut-off current            VEB=-5V; IC=0                  -10   A

fT      Transition frequency               IE=0.5A ; VCB=-5V         150        MHz

hFE-2 Classifications

P       Q                R

50-100 80-160 120-220

                                           2
JMnic                          Product Specification

Silicon PNP Power Transistors            2SA887

PACKAGE OUTLINE

Fig.2 outline dimensions
          3
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