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2SA1493

器件型号:2SA1493
厂商名称:Jinmei
厂商官网:http://www.jmnic.com/
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器件描述

Silicon PNP Power Transistors

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2SA1493器件文档内容

JMnic                                                             Product Specification

Silicon PNP Power Transistors                                              2SA1493

DESCRIPTION
   With MT-200 package
   Complement to type 2SC3857

APPLICATIONS
   Audio and general purpose

PINNING(see Fig.2)

PIN                 DESCRIPTION

1       Base

2       Collector;connected to
        mounting base

3       Emitter                       Fig.1 simplified outline (MT-200) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25 )

SYMBOL              PARAMETER                         CONDITIONS  VALUE    UNIT
                                      Open emitter                  -200     V
VCBO    Collector-base voltage        Open base                     -200     V
                                      Open collector                  -6     V
VCEO    Collector-emitter voltage                                    -15     A
                                      TC=25                           -5     A
VEBO    Emitter-base voltage                                         150     W
                                                                     150
IC      Collector current
                                                                  -55~150
IB      Base current

PC      Collectorl power dissipation

Tj      Junction temperature

Tstg    Storage temperature
JMnic                                                         Product Specification

Silicon PNP Power Transistors                                         2SA1493

CHARACTERISTICS

Tj=25 unless otherwise specified

SYMBOL              PARAMETER         CONDITIONS              MIN TYP. MAX UNIT

V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-50mA; IB=0   -200              V

VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-10 A;IB=-1 A              -3.0  V

ICBO    Collector cut-off current  VCB=-200V; IE=0                        -100  A

IEBO    Emitter cut-off current    VEB=-6V; IC=0                          -100  A

hFE     DC current gain            IC=-5A ; VCE=-4V           50          180

fT      Transition frequency       IC=-0.5A ; VCE=-12V              20          MHz

COB     Output capacitance         IE=0; VCB=-10V;f=1MHz            400         pF

Switching times

ton     Turn-on time                                                0.30        s

ts      Storage time               IC=-5A;RL=-12                    0.90        s
                                   IB1=-IB2=-0.5A
                                   VCC=-60V

tf      Fall time                                                   0.20        s

hFE classifications

O                P          Y

50-100 70-140 90-180

                                   2
JMnic                          Product Specification

Silicon PNP Power Transistors          2SA1493

PACKAGE OUTLINE

Fig.2 Outline dimensions
           3
JMnic                             Product Specification

Silicon PNP Power Transistors             2SA1493

                               4
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