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2N7002K

器件型号:2N7002K
器件类别:晶体管   
文件大小:295.95KB,共0页
厂商名称:NCEPOWER [Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd]
厂商官网:http://www.ncepower.com
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器件描述

340 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-

340 mA, 60 V, N沟道, , 小信号, 场效应管, TO-

参数

2N7002K端子数量 3
2N7002K最小击穿电压 60 V
2N7002K加工封装描述 塑料 PACKAGE-3
2N7002K无铅 Yes
2N7002K欧盟RoHS规范 Yes
2N7002K中国RoHS规范 Yes
2N7002K状态 ACTIVE
2N7002K包装形状 矩形的
2N7002K包装尺寸 SMALL OUTLINE
2N7002K表面贴装 Yes
2N7002K端子形式 GULL WING
2N7002K端子涂层
2N7002K端子位置
2N7002K包装材料 塑料/环氧树脂
2N7002K结构 单一的 WITH BUILT-IN 二极管
2N7002K元件数量 1
2N7002K晶体管应用 开关
2N7002K晶体管元件材料
2N7002K通道类型 N沟道
2N7002K场效应晶体管技术 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
2N7002K操作模式 ENHANCEMENT
2N7002K晶体管类型 通用小信号
2N7002K最大漏电流 0.3400 A
2N7002K反馈电容 10 pF
2N7002K最大漏极导通电阻 3.9 ohm

文档预览

2N7002K器件文档内容

                      http://www.ncepower.com                                          Pb Free Product

                                                                                       2N7002K

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

GENERAL FEATURES

VDS = 60V,ID = 0.3A

RDS(ON) < 3 @ VGS=4.5V                                                     Schematic diagram
RDS(ON) < 2 @ VGS=10V

ESD RatingHBM 2500V

High Power and current handing capability
Lead free product is acquired
Surface Mount Package

Application                                                           Marking and pin Assignment
                                                                              SOT-23 top view
Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS
Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,Display,

   Memories, Transistors, etc.
Battery Operated Systems
Solid-State Relays

Package Marking And Ordering Information

Device Marking        Device           Device Package      Reel Size       Tape width         Quantity
                                                           180mm              8 mm           3000 units
7002K                 2N7002K               SOT-23

Absolute Maximum Ratings (TA=25unless otherwise noted)

                      Parameter                            Symbol            Limit                Unit

Drain-Source Voltage                                                  VDS       60                  V
                                                                               20                  V
Gate-Source Voltage                                                   VGS       0.3                 A
                                                                                0.8                 A
Drain Current-Continuous@ Current-Pulsed (Note 1)                     ID       0.35                 W
                                                                           -55 To 150              
                                                                      IDM

Maximum Power Dissipation                                             PD

Operating Junction and Storage Temperature Range           TJ,TSTG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)                       RJA              350        /W

Electrical Characteristics (TA=25unless otherwise noted)

       Parameter                                 Symbol    Condition       Min Typ Max Unit

Off Characteristics

Drain-Source Breakdown Voltage                     BVDSS   VGS=0V ID=250A  60                             V

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd              Page 1                                                 v1.0
http://www.ncepower.com                                                                             Pb Free Product

                                                                                                    2N7002K

Zero Gate Voltage Drain Current          IDSS                                VDS=60V,VGS=0V              1    A
Gate-Body Leakage Current                IGSS                                VGS=20V,VDS=0V
On Characteristics (Note 3)                                                                              10  uA
Gate Threshold Voltage                 VGS(th)                              VDS=VGS,ID=250A
                                       RDS(ON)                              VGS=4.5V, ID=0.2A  1    1.5  2.5  V
Drain-Source On-State Resistance                                             VGS=10V, ID=0.5A
                                         gFS                                 VDS=10V,ID=0.2A        1.2  3   
Forward Transconductance
Dynamic Characteristics (Note4)          Clss                                VDS=25V,VGS=0V,        1.1  2   
Input Capacitance                       Coss                                      F=1.0MHz
Output Capacitance                       Crss                                                  0.1            S
Reverse Transfer Capacitance                                                 VDD=30V,ID=0.2A
Switching Characteristics (Note 4)      td(on)                              VGS=10V,RGEN=10         21   50   PF
Turn-on Delay Time                        tr
Turn-on Rise Time                                                            VDS=10V,ID=0.3A,       11   25   PF
Turn-Off Delay Time                     td(off)                                   VGS=4.5V
Turn-Off Fall Time                        tf                                                        4.2  5    PF
                                         Qg                                   VGS=0V,IS=0.2A
Total Gate Charge                                                                                   10        nS
                                         VSD
Drain-Source Diode Characteristics        IS                                                        50        nS
Diode Forward Voltage (Note 3)
Diode Forward Current (Note 2)                                                                      17        nS

                                                                                                    10        nS

                                                                                                    1.7  3    nC

                                                                                                         1.3  V

                                                                                                         0.2  A

Notes:

1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
2. Surface Mounted on FR4 Board, t  10 sec.
3. Pulse Test: Pulse Width  300s, Duty Cycle  2%.
4. Guaranteed by design, not subject to production

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  Page 2                                                                 v1.0
                                  http://www.ncepower.com                                                        Pb Free Product

                                                                                                                 2N7002K

                       TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS

                                                              Vdd                                           ton                            toff

                                                                                                    td(on)  tr   td(off)                        tf

                                  Vin                            Rl                                 VOUT

                                          D                          Vout                                           90%               90%
                                                                                                                                           10%
                       Vgs  Rgen                                                                                     INVERTED

                                       G                                                                    10%

                                                                                                                                           90%

                                                              S                                     VIN     50%                       50%

                                                                                                         10%

                                                                                                                         PULSE WIDTH

                            Figure 1:Switching Test Circuit                                                 Figure 2:Switching Waveforms

ID- Drain Current (A)                                                        ID- Drain Current (A)

                                   Vds Drain-Source Voltage (V)                                                      Vgs Gate-Source Voltage (V)

                            Figure 3 Output CHARACTERISTICS                                                 Figure 4 Transfer Characteristics

Rdson On-Resistance()                                                        Rdson On-Resistance()

                                      ID- Drain Current (A)                                                       Vgs Gate-Source Voltage (V)

                       Figure 5 Drain-Source On-Resistance                                                  Figure 6 Rdson vs Vgs

                       Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd         Page 3                                                                                         v1.0
                             http://www.ncepower.com                                                        Pb Free Product

                                                                                                            2N7002K

Vgs Gate-Source Voltage (V)                                                 Is- Reverse Drain Current (mA)

                                    Qg Gate Charge (nC)                                                               Vsd Source-Drain Voltage (V)

                             Figure 7 Gate Charge                                                           Figure 8 Source-DrainDiode Forward

Normalized On-Resistance                                                    ID- Drain Current (A)

                                      TJ-Junction Temperature()                                                   Vds Drain-Source Voltage (V)

                             Figure 9 Drain-Source On-Resistance                                            Figure 10 Safe Operation Area

C Capacitance (pF)

                              Vds Drain-Source Voltage (V)

                             Figure 11 Capacitance vs Vds

                             Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  Page 4                                                                      v1.0
                                 http://www.ncepower.com  Pb Free Product

                                                          2N7002K

r(t),Normalized Effective
    Transient Thermal Impedance

                                                                Square Wave Pluse Duration(sec)

                                 Figure 12 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  Page 5                                                    v1.0
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                                                                                                                       2N7002K

SOT-23 PACKAGE INFORMATION

                                               Dimensions in Millimeters (UNIT:mm)

                                       Symbol  Dimensions in Millimeters

                                           A   MIN.                                                                    MAX.
                                          A1
                                          A2   0.900                                                                   1.150
                                           b
                                           c   0.000                                                                   0.100
                                          D
                                           E   0.900                                                                   1.050
                                          E1
                                           e   0.300                                                                   0.500
                                          e1
                                           L   0.080                                                                   0.150
                                          L1
                                               2.800                                                                   3.000

                                               1.200                                                                   1.400

                                               2.250                                                                   2.550

                                                      0.950TYP

                                               1.800                                                                   2.000

                                                      0.550REF

                                               0.300                                                                   0.500

                                               0                                                                      8

NOTES

1. All dimensions are in millimeters.
2. Tolerance 0.10mm (4 mil) unless otherwise specified
3. Package body sizes exclude mold flash and gate burrs. Mold flash at the non-lead sides should be less than 5 mils.
4. Dimension L is measured in gauge plane.
5. Controlling dimension is millimeter, converted inch dimensions are not necessarily exact.

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  Page 6                                                                                 v1.0
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ATTENTION:

Any and all NCE power products described or contained herein do not have specifications that can handle applications that

      require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's control systems, or other applications
      whose failure can be reasonably expected to result in serious physical and/or material damage. Consult
      with your NCE power representative nearest you before using any NCE power products described or contained herein in
      such applications.

NCE power assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values

      that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other parameters)
      listed in products specifications of any and all NCE power products described or contained herein.

Specifications of any and all NCE power products described or contained herein stipulate the performance, characteristics,

      and functions of the described products in the independent state, and are not guarantees of the performance, characteristics,
      and functions of the described products as mounted in the customer's products or equipment. To verify symptoms and states
      that cannot be evaluated in an independent device, the customer should always evaluate and test
      devices mounted in the customer's products or equipment.

NCE power Semiconductor CO.,LTD. strives to supply high-quality high-reliability products. However, any and all

      semiconductor products fail with some probability. It is possible that these probabilistic failures could
      give rise to accidents or events that could endanger human lives, that could give rise to smoke or fire, or that could
      cause damage to other property. When designing equipment, adopt safety measures so that these kinds of accidents or
      events cannot occur. Such measures include but are not limited to protective circuits and error prevention circuits for safe
      design, redundant design, and structural design.

In the event that any or all NCE power products(including technical data, services) described or contained herein are

      controlled under any of applicable local export control laws and regulations, such products must not be exported without
      obtaining the export license from the authorities concerned in accordance with the above law.

No part of this publication may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or mechanical, including

      photocopying and recording, or any information storage or retrieval system, or otherwise, without the prior written permission
      of NCE power Semiconductor CO.,LTD.

Information (including circuit diagrams and circuit parameters) herein is for example only ; it is not guaranteed for volume

      production. NCE power believes information herein is accurate and reliable, but no guarantees are made or implied
      regarding its use or any infringements of intellectual property rights or other rights of third parties.

Any and all information described or contained herein are subject to change without notice due to

      product/technology improvement, etc. When designing equipment, refer to the "Delivery Specification" for the NCE power
      product that you intend to use.

This catalog provides information as of Sep, 2010. Specifications and information herein are subject to change without notice.

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  Page 7  v1.0
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