厂商名称:NCE Power


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300 mA, 60 V, N沟道, , 小信号, 场效应管


2N7002端子数量 3
2N7002最小击穿电压 60 V
2N7002加工封装描述 绿色, 塑料 PACKAGE-3
2N7002无铅 Yes
2N7002欧盟RoHS规范 Yes
2N7002中国RoHS规范 Yes
2N7002状态 ACTIVE
2N7002包装形状 矩形的
2N7002表面贴装 Yes
2N7002端子形式 GULL WING
2N7002端子涂层 MATTE 锡
2N7002包装材料 塑料/环氧树脂
2N7002结构 单一的 WITH BUILT-IN 二极管
2N7002元件数量 1
2N7002晶体管应用 开关
2N7002通道类型 N沟道
2N7002晶体管类型 通用小信号
2N7002最大漏电流 0.3000 A
2N7002反馈电容 3 pF
2N7002最大漏极导通电阻 3 ohm


                                                      Pb Free Product


NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

GENERAL FEATURES                                                            Schematic diagram
                                                                      Marking and pin Assignment
VDS = 60V,ID = 0.115A

    RDS(ON) < 3 @ VGS=4.5V
    RDS(ON) < 2 @ VGS=10V

Lead free product is acquired
Surface Mount Package


Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS
Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,Display,

   Memories, Transistors, etc.
Battery Operated Systems
Solid-State Relays

                                                                           SOT-23 top view

Package Marking And Ordering Information

Device Marking        Device           Device Package      Reel Size       Tape width       Quantity
                                                           180mm              8 mm         3000 units
7002                  2N7002           SOT-23

Absolute Maximum Ratings (TA=25unless otherwise noted)

                      Parameter                            Symbol            Limit                   Unit

Drain-Source Voltage                                                  VDS       60                     V
                                                                               20                     V
Gate-Source Voltage                                                   VGS     0.115                    A
                                                                                0.8                    A
Drain Current-Continuous@ Current-Pulsed (Note 1)                     ID        0.2                    W
                                                                           -55 To 150                 

Maximum Power Dissipation                                             PD

Operating Junction and Storage Temperature Range           TJ,TSTG

Thermal Characteristic                                                RJA              625           /W

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)

Electrical Characteristics (TA=25unless otherwise noted)

      Parameter                                  Symbol    Condition       Min Typ Max Unit

Off Characteristics

Drain-Source Breakdown Voltage                     BVDSS   VGS=0V ID=250A  60                              V

Zero Gate Voltage Drain Current                    IDSS    VDS=60V,VGS=0V                         1     A

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd              Page 1                                               v1.0                                                                               Pb Free Product


Gate-Body Leakage Current                IGSS                               VGS=20V,VDS=0V                100        nA
On Characteristics (Note 3)
Gate Threshold Voltage                 VGS(th)                              VDS=VGS,ID=250A       1        2           V
                                       RDS(ON)                              VGS=5V, ID=0.05A    0.08
Drain-Source On-State Resistance                                            VGS=10V, ID=0.5A               3           
                                         gFS                                 VDS=10V,ID=0.2A
Forward Transconductance                                                                                   2           
Dynamic Characteristics (Note4)          Clss
Input Capacitance                       Coss                                                                           S
Output Capacitance                       Crss
Reverse Transfer Capacitance                                                VDS=30V,VGS=0V,           20   50          PF
Switching Characteristics (Note 4)      td(on)                                   F=1.0MHz
Turn-on Delay Time                        tr                                                          10   20          PF
Turn-on Rise Time
Turn-Off Delay Time                     td(off)                                                       3.6  5           PF
Turn-Off Fall Time                        tf
                                         Qg                                                           10               nS
Total Gate Charge
                                         VSD                                  VDD=30V,ID=0.2A         50               nS
Drain-Source Diode Characteristics        IS                                VGS=10V,RGEN=10
Diode Forward Voltage (Note 3)                                                                        17               nS
Diode Forward Current (Note 2)                                              VDS=10V,ID=0.115A,
                                                                                   VGS=4.5V           10               nS

                                                                                                      1.7  3           nC

                                                                            VGS=0V,IS=0.115A               1.2         V

                                                                                                           0.115       A


1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
2. Surface Mounted on FR4 Board, t  10 sec.
3. Pulse Test: Pulse Width  300s, Duty Cycle  2%.
4. Guaranteed by design, not subject to production

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  Page 2                                                                          v1.0
                                                                                Pb Free Product



                                                              Vdd                                           ton                            toff

                                                                                                    td(on)  tr   td(off)                        tf

                                  Vin                            Rl                                 VOUT

                                          D                          Vout                                           90%               90%
                       Vgs  Rgen                                                                                     INVERTED

                                       G                                                                    10%


                                                              S                                     VIN     50%                       50%


                                                                                                                         PULSE WIDTH

                            Figure 1:Switching Test Circuit                                                 Figure 2:Switching Waveforms

ID- Drain Current (A)                                                        ID- Drain Current (A)

                                   Vds Drain-Source Voltage (V)                                                      Vgs Gate-Source Voltage (V)

                            Figure 3 Output CHARACTERISTICS                                                 Figure 4 Transfer Characteristics

Rdson On-Resistance()                                                        Rdson On-Resistance()

                                      ID- Drain Current (A)                                                       Vgs Gate-Source Voltage (V)

                       Figure 5 Drain-Source On-Resistance                                                  Figure 6 Rdson vs Vgs

                       Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd         Page 3                                                                                         v1.0
                                                                           Pb Free Product


Vgs Gate-Source Voltage (V)                                                 Is- Reverse Drain Current (mA)

                                    Qg Gate Charge (nC)                                                               Vsd Source-Drain Voltage (V)

                             Figure 7 Gate Charge                                                           Figure 8 Source-DrainDiode Forward

Normalized On-Resistance                                                    ID- Drain Current (A)

                                      TJ-Junction Temperature()                                                   Vds Drain-Source Voltage (V)

                             Figure 9 Drain-Source On-Resistance                                            Figure 10 Safe Operation Area

C Capacitance (pF)

                              Vds Drain-Source Voltage (V)

                             Figure 11 Capacitance vs Vds

                             Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  Page 4                                                                      v1.0
                         Pb Free Product


r(t),Normalized Effective
    Transient Thermal Impedance

                                                                Square Wave Pluse Duration(sec)

                                 Figure 12 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  Page 5                                                    v1.0                                                                                                Pb Free Product



                                               Dimensions in Millimeters (UNIT:mm)

                                       Symbol  Dimensions in Millimeters

                                           A   MIN.                                                                    MAX.
                                          A2   0.900                                                                   1.150
                                           c   0.000                                                                   0.100
                                           E   0.900                                                                   1.050
                                           e   0.300                                                                   0.500
                                           L   0.080                                                                   0.150
                                               2.800                                                                   3.000

                                               1.200                                                                   1.400

                                               2.250                                                                   2.550


                                               1.800                                                                   2.000


                                               0.300                                                                   0.500

                                               0                                                                      8


1. All dimensions are in millimeters.
2. Tolerance 0.10mm (4 mil) unless otherwise specified
3. Package body sizes exclude mold flash and gate burrs. Mold flash at the non-lead sides should be less than 5 mils.
4. Dimension L is measured in gauge plane.
5. Controlling dimension is millimeter, converted inch dimensions are not necessarily exact.

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  Page 6                                                                                           v1.0                        Pb Free Product



Any and all NCE power products described or contained herein do not have specifications that can handle applications that

      require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's control systems, or other applications
      whose failure can be reasonably expected to result in serious physical and/or material damage. Consult
      with your NCE power representative nearest you before using any NCE power products described or contained herein in
      such applications.

NCE power assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values

      that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other parameters)
      listed in products specifications of any and all NCE power products described or contained herein.

Specifications of any and all NCE power products described or contained herein stipulate the performance, characteristics,

      and functions of the described products in the independent state, and are not guarantees of the performance, characteristics,
      and functions of the described products as mounted in the customer's products or equipment. To verify symptoms and states
      that cannot be evaluated in an independent device, the customer should always evaluate and test
      devices mounted in the customer's products or equipment.

NCE power Semiconductor CO.,LTD. strives to supply high-quality high-reliability products. However, any and all

      semiconductor products fail with some probability. It is possible that these probabilistic failures could
      give rise to accidents or events that could endanger human lives, that could give rise to smoke or fire, or that could
      cause damage to other property. When designing equipment, adopt safety measures so that these kinds of accidents or
      events cannot occur. Such measures include but are not limited to protective circuits and error prevention circuits for safe
      design, redundant design, and structural design.

In the event that any or all NCE power products(including technical data, services) described or contained herein are

      controlled under any of applicable local export control laws and regulations, such products must not be exported without
      obtaining the export license from the authorities concerned in accordance with the above law.

No part of this publication may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or mechanical, including

      photocopying and recording, or any information storage or retrieval system, or otherwise, without the prior written permission
      of NCE power Semiconductor CO.,LTD.

Information (including circuit diagrams and circuit parameters) herein is for example only ; it is not guaranteed for volume

      production. NCE power believes information herein is accurate and reliable, but no guarantees are made or implied
      regarding its use or any infringements of intellectual property rights or other rights of third parties.

Any and all information described or contained herein are subject to change without notice due to

      product/technology improvement, etc. When designing equipment, refer to the "Delivery Specification" for the NCE power
      product that you intend to use.

This catalog provides information as of Sep. 2010. Specifications and information herein are subject to change without notice.

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  Page 7                   v1.0
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数量 单价(人民币) mouser购买
1 ¥1.91 购买
10 ¥1.26 购买
100 ¥0.526 购买
1000 ¥0.362 购买
3000 ¥0.28 购买
9000 ¥0.239 购买
24000 ¥0.226 购买
45000 ¥0.212 购买
99000 ¥0.185 购买


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