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2N7000

器件型号:2N7000
器件类别:晶体管   
厂商名称:Calogic
厂商官网:http://www.calogic.net/
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器件描述

200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92

参数

2N7000端子数量 3
2N7000最小击穿电压 60 V
2N7000加工封装描述 TO-92, 3 PIN
2N7000状态 DISCONTINUED
2N7000包装形状
2N7000包装尺寸 圆柱形的
2N7000端子形式 THROUGH-孔
2N7000端子涂层 锡 铅
2N7000端子位置 BOTTOM
2N7000包装材料 塑料/环氧树脂
2N7000结构 单一的 WITH BUILT-IN 二极管
2N7000元件数量 1
2N7000晶体管应用 开关
2N7000晶体管元件材料
2N7000通道类型 N沟道
2N7000场效应晶体管技术 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
2N7000操作模式 ENHANCEMENT
2N7000晶体管类型 通用小信号
2N7000最大漏电流 0.2000 A
2N7000反馈电容 5 pF
2N7000最大漏极导通电阻 5 ohm

文档预览

2N7000器件文档内容

                               N-Channel Enhancement-Mode
                                                MOS Transistor

CORPORATION

                                                                                            2N7000 / BS170L

DESCRIPTION                                                   ORDERING INFORMATION

The 2N7000 utilizes Calogic's vertical DMOS technology. The   Part     Package                                    Temperature Range
device is well suited for switching applications where BV of                                                       -55oC to +150oC
60V and low on resistance (under 5 ohms) are required. The    2N7000 Plastic TO-92                                 -55oC to +150oC
2N7000 is housed in a plastic TO-92 package.                  BS170L Plastic TO-92                                 -55oC to +150oC
                                                              X2N7000 Sorted Chips in Carriers

PIN CONFIGURATION

                                                                       2N7000

                                                                                                               3
                                                                       3

                                    1 SOURCE

                                    2 GATE                             2
                                    3 DRAIN

                      TO-92                                            1
                   (TO-226AA)                                                            2

                                                                       BOTTOM VIEW              1

                                                                       BS170L

                                                                                                               1
                                                                       3

                                    1 DRAIN

                                    2 GATE                             2
                                    3 SOURCE

             123                                                       1
                                                                                         2

                                                                       BOTTOM VIEW              3

CD5

PRODUCT SUMMARY

                   P/N         V(BR)DSS                       rDS(ON)          ID

                               (V)                            ()               (A)

                   2N7000      60                             5                0.2

                   BS170       60                             5                0.5
2N7000 / BS170L

                                                                                                          CORPORATION

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25oC unless otherwise specified)

    SYMBOL                     PARAMETERS                                LIMITS                    UNITS    TEST CONDITIONS
                                                                                                      V
VDS         Drain-Source Voltage                                                60                    A   TA = 25oC
                                                                               40                    W   TA = 100oC
VGS         Gate-Source Voltage                                                0.2                   oC   TA = 25oC
                                                                               0.13                       TA = 100oC
ID          Continuous Drain Current                                           0.5
                                                                               0.4
IDM         Pulsed Drain Current1                                              0.16

PD          Power Dissipation1

TJ          Operating Junction Temperature Range                         -55 to 150

Tstg        Storage Temperature Range                                    -55 to 150

TL          Lead Temperature (1/16" from case for 10 sec.)                     300

THERMAL RESISTANCE RATINGS

            SYMBOL                    THERMAL RESISTANCE                             LIMITS               UNITS
               RthJA                     Junction-to-Ambient                          312.5                K/W

NOTE: 1. Pulse width limited by maximum junction temperature.

SPECIFICATIONS1

SYMBOL                PARAMETER                   MIN                    TYP2        MAX     UNIT         TEST CONDITIONS

STATIC                                                                    70           3
                                                                          1.9        10
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage           60                                                   ID = 10A, VGS = 0V
                                                                          210          1     V
VGS(th)     Gate-Threshold Voltage                0.8                     4.8        1000
                                                                          2.5                          VDS = VGS, ID = 1mA
                                                                          4.4         5.3
IGSS        Gate-Body Leakage                                            0.36          5     nA    VGS = 15V, VDS = 0V
                                                                         1.25          9
IDSS        Zero Gate Voltage Drain Current                               2.2         0.4    A    VDS = 48V, VGS = 0V
                                                                          170         2.5
                                                                          500         4.5                                   TC = 125oC

ID(ON)      On-State Drain Current3               75                      16          60     mA VDS = 10V, VGS = 4.5V
                                                                          11          25                4VGS = 4.5V, ID = 75mA
                                                                           2           5
rDS(ON)     Drain-Source On-Resistance3                                                            VGS = 10V, ID = 0.5A
                                                                           7
                                                                                                                            TC = 125oC
                                                                           7
                                                                                                   4VGS = 4.5V, ID = 75mA

VDS(ON)     Drain-Source On-Voltage3                                                         V     VGS = 10V, ID = 0.5A

                                                                                                                            TC = 125oC4

gFS         Forward Transconductance3             100                                        mS VDS = 10V, ID = 0.2A

gOS         Common Source Output Conductance3, 4                                             S VDS = 5V, ID = 50mA

DYNAMIC

Ciss        Input Capacitance

Coss        Output Capacitance4                                                              pF VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz

Crss        Reverse Transfer Capacitance

SWITCHING

tON         Turn-On Time                                                             10            VDD = 15V, RL = 25, ID = 0.5A

                                                                                             nS    VGEN = 10V, RG = 25
                                                                                                   (Switching time is essentially
tOFF        Turn-Off Time                                                            10
                                                                                                   independent of operating temperature)

NOTES: 1. TA = 25oC unless otherwise specified.
             2. For design aid only, not subject to production testing.
             3. Pulse test; PW = 300S, duty cycle 3%.
             4. This parameter not registered with JEDEC.
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