电子工程世界电子工程世界电子工程世界

型号

产品描述

搜索
 

2N5551N

器件型号:2N5551N
厂商名称:AUK [AUK corp]
厂商官网:http://www.auk.co.kr/english/index.html
下载文档

器件描述

文档预览

2N5551N器件文档内容

Semiconductor                                                                         2N5551N

                                                                                      NPN Silicon Transistor

Descriptions

General purpose amplifier
High voltage application

Features

High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V
Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.)
Complementary pair with 2N5401N

Ordering Information             Marking                                              Package Code
                                 2N5551                                                    TO-92N
          Type NO.

          2N5551N

Outline Dimensions                                                                                  unit : mm

                      4.20~4.40                                            2.25 Max.

4.20~4.40

0.52 Max.                        2.14 Typ.
                                                              13.50~14.50
0.90 Max.
  1.27 Typ.                               0.40 Max.

          12 3

                 3.55 Typ

           3.09~3.29                                                                  PIN Connections
                                                                                      1. Emitter
                                 KSD-T0C035-001                                       2. Base
                                                                                      3. Collector

                                                                                                                    1
                                                                                     2N5551N

Absolute Maximum Ratings                            Symbol              Rating         (Ta=25C)

                Characteristic                        VCBO                180        Unit
                                                      VCEO                160
Collector-base voltage                               VEBO                             V
Collector-emitter voltage                                                  6          V
Emitter-base voltage                                   IC                600          V
Collector current                                      PC                400        mA
Collector power dissipation                            TJ                150        mW
Junction temperature                                  Tstg            -55~150        C
Storage temperature range                                                            C

Electrical Characteristics                                                           (Ta=25C)

Characteristic                        Symbol           Test Condition      Min. Typ. Max. Unit

Collector-emitter breakdown voltage   BVCEO         IC=1mA, IB=0           160  -    -     V
Collector cut-off current              ICBO         VCB=180V, IE=0
Emitter cut-off current                IEBO         VEB=6V, IC=0           -    -    100 nA

                                                                           -    -    100 nA

DC current gain                       hFE (1)       VCE=5V, IC=1mA         80   -          -

DC current gain                       hFE (2)       VCE=5V, IC=10mA        80   -    250   -

DC current gain                          hFE (3)    VCE=5V, IC=50mA        30   -          -
Collector-emitter saturation voltage  VCE(sat)(1)*  IC=10mA, IB=1mA
Collector-emitter saturation voltage  VCE(sat)(2)*  IC=50mA, IB=5mA        -    -    0.2   V
Base-emitter saturation voltage       VBE(sat)(1)*  IC=10mA, IB=1mA
                                                                           -    -    0.5   V

                                                                           -    -    1     V

Base-emitter saturation voltage       VBE(sat)(2)* IC=50mA, IB=5mA         -    -    1     V

Base-emitter voltage                  VBE           VCE=5V, IC=10mA        -    0.65 0.85  V

Transition frequency                  fT            VCE=10V, IC=10mA       -    150  -     MHz

Collector output capacitance          Cob           VCB=10V, IE=0, f=1MHz  -    3    -     pF

* : Pulse Tester : Pulse Width 300s, Duty Cycle 2.0%

                                      KSD-T0C035-001                                            2
                                                                  2N5551N

Electrical Characteristic Curves  Fig. 2 IC - VBE

     Fig. 1 Pc - Ta

Fig. 3 fT - IC                    Fig. 4 VCE(sat), VBE(sat) - IC

Fig. 5 Cob - VCB

                                  KSD-T0C035-001                  3
                2N5551N

The AUK Corp. products are intended for the use as components in general electronic
equipment (Office and communication equipment, measuring equipment, home
appliance, etc.).

   Please make sure that you consult with us before you use these AUK Corp. products
in equipments which require high quality and / or reliability, and in equipments which
could have major impact to the welfare of human life(atomic energy control, airplane,
spaceship, transportation, combustion control, all types of safety device, etc.). AUK
Corp. cannot accept liability to any damage which may occur in case these AUK Corp.
products were used in the mentioned equipments without prior consultation with AUK
Corp..

  Specifications mentioned in this publication are subject to change without notice.

KSD-T0C035-001                                                                          4
This datasheet has been downloaded from:
             www.EEworld.com.cn

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company

该厂商的其它器件

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved