2N5551N

NPN Silicon Transistor

Semiconductor                                                                         2N5551N

                                                                                      NPN Silicon Transistor

Descriptions

� General purpose amplifier
� High voltage application

Features

� High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V
� Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.)
� Complementary pair with 2N5401N

Ordering Information             Marking                                              Package Code
                                 2N5551                                                    TO-92N
          Type NO.

          2N5551N

Outline Dimensions                                                                                  unit : mm

                      4.20~4.40                                            2.25 Max.

4.20~4.40

0.52 Max.                        2.14 Typ.
                                                              13.50~14.50
0.90 Max.
  1.27 Typ.                               0.40 Max.

          12 3

                 3.55 Typ

           3.09~3.29                                                                  PIN Connections
                                                                                      1. Emitter
                                 KSD-T0C035-001                                       2. Base
                                                                                      3. Collector

                                                                                                                    1
                                                                                     2N5551N

Absolute Maximum Ratings                            Symbol              Rating         (Ta=25�C)

                Characteristic                        VCBO                180        Unit
                                                      VCEO                160
Collector-base voltage                               VEBO                             V
Collector-emitter voltage                                                  6          V
Emitter-base voltage                                   IC                600          V
Collector current                                      PC                400        mA
Collector power dissipation                            TJ                150        mW
Junction temperature                                  Tstg            -55~150        �C
Storage temperature range                                                            �C

Electrical Characteristics                                                           (Ta=25�C)

Characteristic                        Symbol           Test Condition      Min. Typ. Max. Unit

Collector-emitter breakdown voltage   BVCEO         IC=1mA, IB=0           160  -    -     V
Collector cut-off current              ICBO         VCB=180V, IE=0
Emitter cut-off current                IEBO         VEB=6V, IC=0           -    -    100 nA

                                                                           -    -    100 nA

DC current gain                       hFE (1)       VCE=5V, IC=1mA         80   -          -

DC current gain                       hFE (2)       VCE=5V, IC=10mA        80   -    250   -

DC current gain                          hFE (3)    VCE=5V, IC=50mA        30   -          -
Collector-emitter saturation voltage  VCE(sat)(1)*  IC=10mA, IB=1mA
Collector-emitter saturation voltage  VCE(sat)(2)*  IC=50mA, IB=5mA        -    -    0.2   V
Base-emitter saturation voltage       VBE(sat)(1)*  IC=10mA, IB=1mA
                                                                           -    -    0.5   V

                                                                           -    -    1     V

Base-emitter saturation voltage       VBE(sat)(2)* IC=50mA, IB=5mA         -    -    1     V

Base-emitter voltage                  VBE           VCE=5V, IC=10mA        -    0.65 0.85  V

Transition frequency                  fT            VCE=10V, IC=10mA       -    150  -     MHz

Collector output capacitance          Cob           VCB=10V, IE=0, f=1MHz  -    3    -     pF

* : Pulse Tester : Pulse Width 300�s, Duty Cycle 2.0%

                                      KSD-T0C035-001                                            2
                                                                  2N5551N

Electrical Characteristic Curves  Fig. 2 IC - VBE

     Fig. 1 Pc - Ta

Fig. 3 fT - IC                    Fig. 4 VCE(sat), VBE(sat) - IC

Fig. 5 Cob - VCB

                                  KSD-T0C035-001                  3
                2N5551N

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KSD-T0C035-001                                                                          4
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